1. Übersicht zu den Experimenten

CI(G)S-Technologie: Bekannt ist bereits die sogenannte CI(G)S-Technologie, die primär auf chemischen Verbindungen von Kupfer, Indium (Gallium) und wahlweise Schwefel oder Selen sowie einigen weiteren Elementen basiert. Die prominentesten Vertreter sind Kupfer-Indium-Disulfid CuInS₂, Kupfer-Indium-Diselenid CuInSe₂, Kupfer-Gallium-Disulfid CuGaS₂ und Kupfer-Gallium-Diselenid CuGaSe₂. Der Bandabstand für Kupfer-Gallium-Diselenid beträgt beispielsweise E_g = 1,02 eV. Das teilweise Ersetzen von Indium durch Gallium und von Selen durch Schwefel erlaubt es, den Bandabstand an die fotovoltaische Anwendung anzupassen (Bandgap-Engineering). Damit ergibt sich eine große Vielfalt an möglichen Kupfer-Indium-Gallium-Diselenid Cu(In,Ga)Se₂ oder noch allgemeiner Kupfer-Indium-Gallium-Diselenid-Disulfid Cu(In,Ga)(Se₂,S₂) Strukturen. Diese Verbindungen stellen I-III-VI₂-Verbindungshalbleiter dar (Gruppennummern des Periodensystems). Diese werden wegen ihres Kristallaufbaus den Chalkopyriten zugeordnet. Aufgrund des hohen Absorptionsvermögens von Licht, welches auch durch die tiefschwarze Farbe dieser Materialien belegt wird, weisen die CI(G)S-Solarzellen einen sehr hohen Wirkungsgrad und eine hohe Quanteneffizienz auf.