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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 6/2020

01.06.2020 | PHYSICS OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Ultimate Lasing Temperature of Microdisk Lasers

verfasst von: A. E. Zhukov, N. V. Kryzhanovskaya, E. I. Moiseev, M. M. Kulagina, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, A. M. Nadtochiy, M. V. Maximov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 6/2020

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Abstract

A model is developed that makes it possible to analytically determine the threshold current of a microdisk laser with consideration for its self-heating as a function of the ambient temperature and the microlaser diameter. It is shown that there exists a minimum microdisk diameter determined by self-heating, up to which continuous-wave lasing can be reached at a given temperature. Another manifestation of the self-heating effect is the existence of the ultimate working temperature, which is lower, the smaller the microlaser diameter. Reasonable agreement between the predictions of the model and the available experimental data is shown.
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Literatur
1.
A. F. J. Levi, R. E. Slusher, S. L. McSall, T. Tanbun-Ek, D. L. Coblentz, and S. J. Pearton, Electron. Lett. 28, 1010 (1992).ADSCrossRef
2.
T. Baba, M. Fujita, A. Sakai, M. Kihara, and R. Watanabe, IEEE Photon. Technol. Lett. 9, 878 (1997).ADSCrossRef
3.
B. Gayral, J. M. Gerard, A. Lemaitre, C. Dupuis, L. Manin, and J. L. Pelouard, Appl. Phys. Lett. 75, 1908 (1999).ADSCrossRef
4.
H. Cao, J. Y. Xu, W. H. Xiang, Y. Ma, S.-H. Chang, S. T. Ho, and G. S. Solomon, Appl. Phys. Lett. 76, 3519 (2000).ADSCrossRef
5.
Y. Wan, J. Norman, Q. Li, M. J. Kennedy, D. Liang, C. Zhang, D. Huang, Z. Zhang, A. Y. Liu, A. Torres, D. Jung, A. C. Gossard, E. L. Hu, K. M. Lau, and J. E. Bowers, Optica 4, 940 (2017).ADSCrossRef
6.
N. Kryzhanovskaya, E. Moiseev, Yu. Polubavkina, M. Maximov, M. Kulagina, S. Troshkov, Yu. Zadiranov, Yu. Guseva, A. Lipovskii, M. Tang, M. Liao, J. Wu, S. Chen, H. Liu, and A. Zhukov, Opt. Lett. 42, 3319 (2017).ADSCrossRef
7.
Y. Wan, D. Inoue, D. Jung, J. C. Norman, C. Shang, A. C. Gossard, and J. E. Bowers, Photon. Res. 6, 776 (2018).CrossRef
8.
9.
N. V. Kryzhanovskaya, E. I. Moiseev, Yu. V. Kudashova, F. I. Zubov, A. A. Lipovskii, M. M. Kulagina, S. I. Troshkov, Yu. M. Zadiranov, D. A. Livshits, M. V. Maximov, and A. E. Zhukov, Electron. Lett. 51, 1354 (2015).ADSCrossRef
10.
E. Moiseev, N. Kryzhanovskaya, M. Maximov, F. Zubov, A. Nadtochiy, M. Kulagina, Yu. Zadiranov, N. Kalyuzhnyy, S. Mintairov, and A. Zhukov, Opt. Lett. 43, 4554 (2018).ADSCrossRef
11.
Y. Wan, J. Norman, Q. Li, M. J. Kennedy, D. Liang, C. Zhang, D. Huang, A. Y. Liu, A. Torres, D. Jung, A. C. Gossard, E. L. Hu, K. M. Lau, and J. E. Bowers, in Proceedings of the Conference CLEO: Applications and Technology (San Jose, CA, USA, 2017), p. JTh5C.3.
12.
J. W. Scott, R. S. Geels, S. W. Corzine, and L. A. Coldren, J. Lightwave Technol. 29, 1295 (1993).
13.
14.
P. P. Baveja, B. Kogel, P. Westbergh, J. S. Gustavsson, A. Haglund, D. N. Maywar, G. P. Agrawal, and A. Larsson, Opt Express 19, 15490 (2011).ADSCrossRef
15.
S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, M. V. Maximov, A. M. Nadtochiy, S. Rouvimov, and A. E. Zhukov, Electron. Lett. 51, 1602 (2015).ADSCrossRef
16.
N. V. Kryzhanovskaya, E. I. Moiseev, F. I. Zubov, A. M. Mozharov, M. V. Maximov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, M. M. Kulagina, S. A. Blokhin, K. E. Kudryavtsev, A. N. Yablonskiy, S. V. Morozov, Yu. Berdnikov, S. Rouvimov, and A. E. Zhukov, Photon. Res. 7, 664 (2019).CrossRef
17.
N. V. Kryzhanovskaya, E. I. Moiseev, F. I. Zubov, A. M. Mozharov, M. V. Maximov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, Yu. A. Guseva, M. M. Kulagina, S. A. Blokhin, Yu. Berdnikov, and A. E. Zhukov, J. Appl. Phys. 126, 063107 (2019).ADSCrossRef
18.
F. I. Zubov, E. I. Moiseev, G. O. Kornyshov, N. V. Kryzhanovskaya, Yu. M. Shernyakov, A. S. Payusov, M. M. Kulagina, N. A. Kalyuzhnyi, S. A. Mintairov, M. V. Maksimov, and A. E. Zhukov, Tech. Phys. Lett. 45, 994 (2019).ADSCrossRef
Metadaten
Titel
Ultimate Lasing Temperature of Microdisk Lasers
verfasst von
A. E. Zhukov
N. V. Kryzhanovskaya
E. I. Moiseev
M. M. Kulagina
S. A. Mintairov
N. A. Kalyuzhnyy
A. M. Nadtochiy
M. V. Maximov
Publikationsdatum
01.06.2020
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 6/2020
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782620060172

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