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2007 | OriginalPaper | Buchkapitel

Validation of the Effect of Full Stress Tensor in Hole Transport in Strained 65nm-Node pMOSFETs

verfasst von : E. Tsukuda, Y. Kamakura, H. Takashino, T. Okagaki, T. Uchida, T. Hayashi, M. Tanizawa, K. Eikyu, S. Wakahara, K. Ishikawa, O. Tsuchiya, Y. Inoue, K. Taniguchi

Erschienen in: Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2007

Verlag: Springer Vienna

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We have developed a system consisting of a full-3D process simulator for stress calculation and k · p band calculation that takes into account the subband structure. Our simulations are in good agreement with the experimental data of strained Si-pMOSFETs of 65nm technology devices. This system is a powerful tool to optimize device structures with all stress components.

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Metadaten
Titel
Validation of the Effect of Full Stress Tensor in Hole Transport in Strained 65nm-Node pMOSFETs
verfasst von
E. Tsukuda
Y. Kamakura
H. Takashino
T. Okagaki
T. Uchida
T. Hayashi
M. Tanizawa
K. Eikyu
S. Wakahara
K. Ishikawa
O. Tsuchiya
Y. Inoue
K. Taniguchi
Copyright-Jahr
2007
Verlag
Springer Vienna
Buch
Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2007

Print ISBN: 978-3-211-72860-4

Electronic ISBN: 978-3-211-72861-1

Copyright-Jahr: 2007

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-211-72861-1_7