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Erschienen in:
Co-existence of Multiferroic Memories in CoFe2O4/Bi3.4Sm0.6Ti3O12 Composite Structures Kapitel lesen Erstes Kapitel lesen

2014 | OriginalPaper | Buchkapitel

Varying Photoconductivity of ZnO as a Function of Annealing Temperature

verfasst von : Pranab Biswas, P. Banerji

Erschienen in: Physics of Semiconductor Devices

Verlag: Springer International Publishing

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Arsenic has been doped in MOCVD grown ZnO thin films using thermal diffusion technique from semi-insulating GaAs substrate. Hall measurements showed p-type conductivity in ZnO. XPS analyses reveal that As

Zn

–V

Zn

is the shallow acceptor complex which contributes p-type conductivity of the films. As the post-growth annealing temperature increased from 600 to 700

°

C the hole concentration also increased from 1.1 × 10

18

to 2.8 × 10

19

cm

−3

respectively. It shows an increase in UV-to-dark current ratio from 284 to 488 at 10 V respectively.

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Metadaten
Titel
Varying Photoconductivity of ZnO as a Function of Annealing Temperature
verfasst von
Pranab Biswas
P. Banerji
Copyright-Jahr
2014
Verlag
Springer International Publishing
Buch
Physics of Semiconductor Devices

Print ISBN: 978-3-319-03001-2

Electronic ISBN: 978-3-319-03002-9

Copyright-Jahr: 2014

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-319-03002-9_211