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VC - Potenzialkontrast

  • 2017
  • OriginalPaper
  • Buchkapitel
Erschienen in:
Verfasst von
Jürgen Bauch
Rüdiger Rosenkranz
Erschienen in
Physikalische Werkstoffdiagnostik
Verlag
Springer Berlin Heidelberg

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Zusammenfassung

Für das Verfahren ist ein REM oder besser ein FIB erforderlich. Die durch den Primärstrahl erzeugten elektrischen Ladungen führen zu lokalen Aufladungen auf der Probenoberfläche. Aus positiv geladenen Bereichen können nur sehr wenige Sekundärelektronen die Oberfläche verlassen. Dies führt zu Kontrasten, welche Aussagen über die elektrische Funktion der betreffenden Struktur zulassen. Das Verfahren wird meist in der Halbleiterfertigung zur Lokalisierung elektrischer Fehler benutzt.

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Titel
VC - Potenzialkontrast
Verfasst von
Jürgen Bauch
Rüdiger Rosenkranz
Copyright-Jahr
2017
Verlag
Springer Berlin Heidelberg
Buch
Physikalische Werkstoffdiagnostik

Print ISBN: 978-3-662-53951-4

Electronic ISBN: 978-3-662-53952-1

Copyright-Jahr: 2017

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-662-53952-1_20

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