„Verbesserte Gehäusetechniken sind nötig, um mehr Wärme abzuleiten sowie parasitäre Ströme zu reduzieren“

01.11.2024
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Verfasst von: Robert Unseld
Erschienen in: ATZ - Automobiltechnische Zeitschrift | Ausgabe 11/2024

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Der Fachbeitrag beleuchtet die Notwendigkeit verbesserter Gehäusetechniken zur effizienteren Wärmeableitung und Reduktion parasitärer Ströme in der Leistungselektronik. Dr. Mrinal K. Das von onsemi erläutert im Interview die Potenziale der M3e-Linie und die allgemeinen Rahmenbedingungen für die Entwicklung von SiC-Technologien. Die Diskussion umfasst die Vorteile der EliteSiC-Familie, die durch die Verkürzung der Elementarzelle und die Optimierung der internen Struktur Leitungs- und Schaltverluste reduziert. Zudem werden die Herausforderungen und Lösungen bei der Packungsdichte und der Robustheit gegen kosmische Strahlung thematisiert. Der Beitrag bietet auch Einblicke in die Integration von SiC und Si in integrierten Leistungsmodulen und die zukünftigen Möglichkeiten der Leistungselektronik, einschließlich der Entwicklung von Technologien mit höheren Spannungen.

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Metadaten

Titel: „Verbesserte Gehäusetechniken sind nötig, um mehr Wärme abzuleiten sowie parasitäre Ströme zu reduzieren“
Verfasst von: Robert Unseld
Publikationsdatum: 01.11.2024
Verlag: Springer Fachmedien Wiesbaden
Erschienen in: ATZ - Automobiltechnische Zeitschrift / Ausgabe 11/2024
Print ISSN: 0001-2785
Elektronische ISSN: 2192-8800
DOI: https://doi.org/10.1007/s35148-024-2155-1

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