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13.10.2016 | Ausgabe 3/2017

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 3/2017

Visible quantum cutting in Tb3+ doped BaGdF5 phosphor for plasma display panel

Zeitschrift:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics > Ausgabe 3/2017
Autoren:
S. R. Jaiswal, N. S. Sawala, P. A. Nagpure, V. B. Bhatkar, S. K. Omanwar

Abstract

Visible quantum cutting (QC) via down-conversion and enhancement in photoluminescence properties has been observed in terbium (Tb3+) doped BaGdF5 phosphor. This phosphor was synthesized by varying molar concentration of Tb3+ ions via co-precipitation method. The prepared phosphor was characterized through X-ray diffraction technique. The photoluminescence spectra of BaGdF5:Tb3+ phosphor measured under vacuum ultraviolet or UV excitation. The QC process was observed in prepared phosphor due to cross relaxation and direct energy transfer between Tb3+ and Tb3+ or Tb3+ and Gd3+ ions depending on the excitation wavelength. The maximum quantum efficiencies were found to be 162, 174 and 177 %, under the excitation of 172, 187 and 240 nm respectively. The green emission of 544 nm was observed at excitation of 172 and 187 nm. Hence this phosphor may be prime candidate for application in plasma display panels and mercury free fluorescent lamps.

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