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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 3/2018

16.01.2018

Voltage- and Light-Controlled Spin Properties of a Two-Dimensional Hole Gas in p-Type GaAs/AlAs Resonant Tunneling Diodes

verfasst von: H. V. A. Galeti, Y. Galvão Gobato, M. J. S. P. Brasil, D. Taylor, M. Henini

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 3/2018

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Metadaten
Titel
Voltage- and Light-Controlled Spin Properties of a Two-Dimensional Hole Gas in p-Type GaAs/AlAs Resonant Tunneling Diodes
verfasst von
H. V. A. Galeti
Y. Galvão Gobato
M. J. S. P. Brasil
D. Taylor
M. Henini
Publikationsdatum
16.01.2018
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 3/2018
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-018-6065-4

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