Skip to main content
Fachgebiete
Automobil + Motoren Bauwesen + Immobilien Business IT + Informatik Elektrotechnik + Elektronik Energie + Nachhaltigkeit Finance + Banking Management + Führung Marketing + Vertrieb Maschinenbau + Werkstoffe Versicherung + Risiko
DE
EN
Bücher
Zeitschriften
Themenseiten
Organisationspsychologie Projektmanagement Marketing Smart Manufacturing
Weitere Formate
Podcasts Webinare Technik Webinare Wirtschaft Kongresse Veranstaltungskalender Awards
Jetzt Einzelzugang starten
Zugang für Unternehmen
Referenzkunden
SLX-Digitalkonferenz: Zukunftswerkstatt 2024

Mehr Umsatz mit Top-Kontakten

Am 7. Mai erfahren Sie, wie Vertriebsteams Leadgenerierung, Leadnurturing und Leadstrategien effizient steuern können.
Erweiterte Suche
Anmelden
nach oben
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 3/2015

01.03.2015

VV and VO2 defects in silicon studied with hybrid density functional theory

verfasst von: S.-R. G. Christopoulos, H. Wang, A. Chroneos, C. A. Londos, E. N. Sgourou, U. Schwingenschlögl

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 3/2015

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …

Abstract

The formation of VO (A-center), VV and VO2 defects in irradiated Czochralski-grown silicon (Si) is of technological importance. Recent theoretical studies have examined the formation and charge states of the A-center in detail. Here we use density functional theory employing hybrid functionals to analyze the formation of VV and VO2 defects. The formation energy as a function of the Fermi energy is calculated for all possible charge states. For the VV and VO2 defects double negatively charged and neutral states dominate, respectively.
Vorheriger Artikel Electrochemical construction of different titania–tungsten trioxide nanotubular composite and their photocatalytic activity for pollutant degradation: a recyclable photocatalysts
Nächster Artikel Effects of minor Bi, Ni on the wetting properties, microstructures, and shear properties of Sn–0.7Cu lead-free solder joints

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Wirtschaft"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 340 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Versicherung + Risiko




Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren
Literatur
1.
S. Takeuchi, Y. Shimura, O. Nakatsuka, S. Zaima, M. Ogawa, A. Sakai, Appl. Phys. Lett. 92, 231916 (2008)CrossRef
2.
G. Impellizzeri, S. Boninelli, F. Priolo, E. Napolitani, C. Spinella, A. Chroneos, H. Bracht, J. Appl. Phys. 109, 113527 (2011)CrossRef
3.
E. Kamiyama, K. Sueoka, J. Vanhellemont, J. Appl. Phys. 111, 083507 (2012)CrossRef
4.
H. Tahini, A. Chroneos, R.W. Grimes, U. Schwingenschlögl, A. Dimoulas, J. Phys.: Condens. Mat. 24, 195802 (2012)
5.
6.
E.N. Sgourou, D. Timerkaeva, C.A. Londos, D. Aliprantis, A. Chroneous, D. Caliste, P. Pochet, J. Appl. Phys. 113, 113506 (2013)CrossRef
7.
G. Davies, R.C. Newman, in Handbook of Semiconductors, vol. 3, ed. by S. Mahajan (Elsevier, Amsterdam, 1994), p. 1557
8.
A. Chroneos, C.A. Londos, E.N. Sgourou, P. Pochet, Appl. Phys. Lett. 99, 241901 (2011)CrossRef
9.
H. Wang, A. Chroneos, C.A. Londos, E.N. Sgourou, U. Schwingenschlögl, Appl. Phys. Lett. 103, 052101 (2013)CrossRef
10.
H. Wang, A. Chroneos, C.A. Londos, E.N. Sgourou, U. Schwingenschlögl, Phys. Chem. Phys. 16, 8487 (2014)CrossRef
11.
12.
A. Hallen, N. Keskitalo, F. Masszi, V. Nagl, J. Appl. Phys. 79, 3906 (1996)CrossRef
13.
14.
15.
16.
17.
J.P. Perdew, A. Ruzsinszky, G.I. Csonka, O.A. Vydrov, G.E. Scuseria, L.A. Constantin, X. Zhou, K. Burke, Phys. Rev. Lett. 100, 136406 (2008)CrossRef
18.
J. Heyd, G.E. Scuseria, M. Ernzerhof, J. Chem. Phys. 118, 8207 (2003)CrossRef
19.
20.
T.M. Henderson, J. Paier, G.E. Scuseria, Phys. Status Solidi B 248, 767 (2011)CrossRef
21.
C. Freysoldt, J. Neugebauer, C.G. van de Walle, Phys. Rev. Lett. 102, 016402 (2009)CrossRef
22.
C. Freysoldt, J. Neugebauer, C.G. van de Walle, Phys. Status Solidi B 248, 1067 (2011)CrossRef
23.
24.
25.
26.
L. C. Kimerling, Radiation Effects in Semiconductors 1976 (Inst. Phys. Conf. Series 31) ed. by N. B. Urli, J. W. Corbett (Bristol, Institute of Physics Publishing, 1977) p. 221
27.
B.G. Svensson, B. Mohadjeri, A. Hallen, J.H. Svensson, J.W. Corbett, Phys. Rev. B 43, 2292 (1991)CrossRef
28.
L.J. Cheng, J.C. Corelli, J.W. Corbett, G.D. Watkins, Phys. Rev. 152, B761 (1966)CrossRef
29.
J.H. Svensson, B.G. Svensson, B. Monemar, Phys. Rev. B 38, 4192 (1988)CrossRef
30.
F. Carton-Merlet, B. Pajot, D.T. Don, C. Porte, C. Clertjaaud, P.M. Mooney, J. Phys. C 15, 2239 (1982)CrossRef
31.
32.
33.
J.L. Lindstrom, L.I. Murin, B.G. Svensson, V.P. Markevich, T. Hallberg, Phys. B 340–342, 509 (2003)CrossRef
34.
L.I. Murin, J.L. Lindstrom, V.P. Markevich, I.F. Medvedeva, V.J.B. Torres, J. Coutinho, R. Jones, P.R. Briddon, Solid State Phenom. 108–109, 223 (2005)CrossRef
35.
A. Chroneos, C.A. Londos, E.N. Sgourou, J. Appl. Phys. 110, 093507 (2011)CrossRef
36.
C.A. Londos, L.G. Fytros, G. Georgiou, Defect Diffus Forum 171–172, 1 (1999)CrossRef
Metadaten
Titel
VV and VO2 defects in silicon studied with hybrid density functional theory
verfasst von
S.-R. G. Christopoulos
H. Wang
A. Chroneos
C. A. Londos
E. N. Sgourou
U. Schwingenschlögl
Publikationsdatum
01.03.2015
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 3/2015
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-014-2576-9

Weitere Artikel der Ausgabe 3/2015

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 3/2015 Zur Ausgabe

OriginalPaper

Controllable decoration of CVD-grown graphene with Au NP as a promising ammonia sensing platform

OriginalPaper

Growth and various characterizations of LiHSO4 single crystals

OriginalPaper

Preparation and magnetic properties of CoFe2O4/Y3Fe5O12 nanocomposite powders

OriginalPaper

Effects of temperature in electrodeposition of ZnTe thin films

OriginalPaper

Structural, optical and ferroelectric behavior of pure BiFeO3 thin films synthesized by the sol–gel method

OriginalPaper

Enhanced electrochemical performance of the cathode material LiNi0.5Mn1.5O4 embedded by CNTs

Neuer Inhalt

    Bildnachweise