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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 9/2018

25.04.2018 | Topical Collection: 17th Conference on Defects (DRIP XVII)

W and X Photoluminescence Centers in Crystalline Si: Chasing Candidates at Atomic Level Through Multiscale Simulations

verfasst von: María Aboy, Iván Santos, Pedro López, Luis A. Marqués, Lourdes Pelaz

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 9/2018

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Metadaten
Titel
W and X Photoluminescence Centers in Crystalline Si: Chasing Candidates at Atomic Level Through Multiscale Simulations
verfasst von
María Aboy
Iván Santos
Pedro López
Luis A. Marqués
Lourdes Pelaz
Publikationsdatum
25.04.2018
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 9/2018
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-018-6300-z

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