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Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 3/2014

01.03.2014

Zinc vacancy mediated structural phase transition and photoluminescence in nanocrystalline ZnS thin films

verfasst von: N. Roy, A. Roy

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 3/2014

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Abstract

Nanocrystalline thin films of zinc sulphide were prepared on glass substrate at various deposition temperatures by thermal evaporation technique. The variation of the structural and optical properties of films deposited at various substrate temperatures was investigated in detailed. X-ray diffraction spectra showed that films deposited at 300 and 400 °C are polycrystalline in nature having cubic and both cubic and wurtzite structure, respectively. However, film deposited at temperature of 200 °C was found to be amorphous in nature. The ultra-violet and visible absorption studies showed that the band gap of films increases with increase in deposition temperatures. Photoluminescence spectra displayed emission near 396 and 444 nm, which arises due to zinc vacancies and sulphur vacancies, respectively and has been correlated to phase transition of the films.

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Metadaten
Titel
Zinc vacancy mediated structural phase transition and photoluminescence in nanocrystalline ZnS thin films
verfasst von
N. Roy
A. Roy
Publikationsdatum
01.03.2014
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 3/2014
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-014-1721-9

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