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2019 | OriginalPaper | Chapter

12. Bipolar-Technologie

Author : Ulrich Hilleringmann

Published in: Silizium-Halbleitertechnologie

Publisher: Springer Fachmedien Wiesbaden

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Zusammenfassung

Die Integration von Bipolar-Transistoren wird auf der Grundlage der Standard-Buried-Collector-Technik eingeführt und anschließend durch alternative Isolationsmethoden verbessert. Daran schließt sich die moderne Integrationstechnik mit selbstjustierendem Emitter an. Die Kombination von Bipolar- und MOS-Transistoren auf einem Substrat als BiCMOS-Prozess wird diskutiert.

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Literature
1.
Ruge, I., Mader, H.: Halbleiter-Technologie, S. 232 ff. Springer, Berlin (1991)CrossRef
2.
Sze, S.M.: VLSI Technology, S. 499–502. Mc Graw-Hill, New York (1991)
3.
Hilleringmann, U.: Mikrosystemtechnik auf Silizium, S. 181–188. Teubner, Stuttgart (1995)CrossRef
4.
Chen, W.-K.: The VLSI Handbook, S. 2–17 ff. CRC Press, Boca Raton (2000)
Metadata
Title
Bipolar-Technologie
Author
Ulrich Hilleringmann
Copyright Year
2019
Book
Silizium-Halbleitertechnologie

Print ISBN: 978-3-658-23443-0

Electronic ISBN: 978-3-658-23444-7

Copyright Year: 2019

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-658-23444-7_12