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2019 | OriginalPaper | Chapter

11. Erweiterungen zur Höchstintegration

Author : Ulrich Hilleringmann

Published in: Silizium-Halbleitertechnologie

Publisher: Springer Fachmedien Wiesbaden

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Zusammenfassung

Verschiedene lokale Oxidationstechniken werden hinsichtlich der erreichbaren Planarität analysiert. Anschließend folgen die Integration von Spacer- und LDD-Strukturen zur Reduktion von Kurzkanaleffekten. Die Schaltungsintegration in SOI-Technik einschließlich der Substratherstellung wird vorgestellt. Nanometer-Transistoren und FINFET-Strukturen runden das Kapitel ab.

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Title: Erweiterungen zur Höchstintegration
Author: Ulrich Hilleringmann
Publisher: Springer Fachmedien Wiesbaden
Book: Silizium-Halbleitertechnologie
Print ISBN: 978-3-658-23443-0

Electronic ISBN: 978-3-658-23444-7

Copyright Year: 2019
DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-658-23444-7_11