Top

Published in:

2007 | OriginalPaper | Chapter

32. Group III Nitrides

Authors : Ali Teke, Prof., Hadis Morkoç, Prof.

Published in: Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials

Publisher: Springer US

Activate our intelligent search to find suitable subject content or patents.

search-config

AI-assisted search

Off

Abstract

Optical, electrical and mechanical properties of group III nitrides, including of AlN, GaN, InN and their ternary and quaternary compounds are discussed. The driving force for semiconductor nitrides is device applications for emitters and detectors in the visible and ultraviolet (UV) portions of the optical spectrum and high-power amplifiers. Further advances in electronic and optoelectronic devices, which are imperative, require better understanding and precise measurements of the mechanical, thermal, electrical and optical properties of nitride semiconductors. Information available in the literature regarding many of the physical properties of nitrides, especially AlN and InN, is still in the process of evolution, and naturally in the subject of some controversy. This is, in part, a consequence of measurements having been performed on samples of widely varying quality. When possible, these spurious discrepancies have been disregarded. For other materials, too few measurements are available to yield a consensus, in which case the available data are simply reported. The aim of this work is to present the latest available data obtained by various experimental observations and theoretical calculations.

Dont have a licence yet? Then find out more about our products and how to get one now:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

über 102.000 Bücher
über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

Automobil + Motoren
Bauwesen + Immobilien
Business IT + Informatik
Elektrotechnik + Elektronik
Energie + Nachhaltigkeit
Finance + Banking
Management + Führung
Marketing + Vertrieb
Maschinenbau + Werkstoffe
Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

inform now

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

über 67.000 Bücher
über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

Automobil + Motoren
Bauwesen + Immobilien
Business IT + Informatik
Elektrotechnik + Elektronik
Energie + Nachhaltigkeit
Maschinenbau + Werkstoffe

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

inform now

previous chapter III-V Ternary and Quaternary Compounds

next chapter Electron Transport Within the III–V Nitride Semiconductors, GaN, AIN, and InA: A Monte Carlo Analysis

32.1.

H. Morkoç: Nitride Semiconductors and Devices, its 2^nd edition will appear within 2004 (Springer, Heidelberg 1999)

32.2.

S. Nakamura, S. Pearton, G. Fasol: The Blue Laser Diodes (Springer, Berlin Heidelberg New York 2001)

32.3.

P. Ruterana, M. Albrecht, J. Neugebauer: Nitride Semiconductors – Handbook on Materials and Devices (Wiley, Weinheim 2003)

32.4.

S. J. Pearton: GaN and Related Materials (Gordon and Breach, New York 1997)

32.5.

B. Gil: Group III Nitride Semiconductor Compounds (Clarendon, Oxford 1998)

32.6.

J. I. Pankove, T. D. Moustakas: GaN, Vol. 1 (Academic, New York 1998)

32.7.

T. D. Moustakas, I. Akasaki, B. A. Monemar: III–V nitrides, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 482 (1997, 1998)

32.8.

M. E. Levinshtein, S. L. Rumyantsev, M. S. Shur: Properties of Advanced Semiconductor Materials (Wiley, New York 2001)

32.9.

J. H. Edgar: Properties of Group III Nitrides (INSPEC, London 1994)

32.10.

J. H. Edgar, S. T. Strite, I. Akasaki, H. Amano, C. Wetzel: Properties, Processing and Applications of Gallium Nitride and Related Semiconductors (INCPEC, London 1999)

32.11.

S. N. Mohammad, W. Kim, A. Salvador, H. Morkoc: MRS Bull. 22, 22 (1997)

32.12.

S. Strite, H. Morkoç: J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1237 (1992)

32.13.

H. Morkoc, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, M. Burns: J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994)

32.14.

S. N. Mohammad, H. Morkoç: Proc. Quant. Electr. 20, 361 (1996)

32.15.

H. Morkoç, S. N. Mohammad: Science 267, 51 (1995)

32.16.

I. Akasaki, H. Amano: Tech. Dig. Int. Electron. Devices Meet. 96, 231 (1996)

32.17.

S. Nakamura: MRS Bull. 22, 29 (1997)

32.18.

S. Nakamura: Sel. Top. Quant. Electron. 3, 712 (1997)

32.19.

S. Nakamura: Science 281, 956 (1998)

32.20.

S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, F. Ren: J. Appl. Phys. 86, 1 (1999)

32.21.

S. J. Pearton, F. Ren, J. C. Zolper, R. J. Shul: Mater. Sci. Eng. R30, 55 (2000)

32.22.

M. A. Khan, Q. Chen, J. W. Yang, C. J. Sun: Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 985 (1995)

32.23.

M. A. Khan, Q. Chen, J. Yang, M. Z. Anwar, M. Blasingame, M. S. Shur: Tech. Dig. Int. Electron. Devices Meet. 96, 27 (1996)

32.24.

M. S. Shur, M. A. Khan: MRS Bull. 22, 44 (1997)

32.25.

L. Liu, J. H. Edgar: Mater. Sci. Eng. R37, 61 (2002)

32.26.

S. C. Jain, M. Willander, J. Narayan, R. Van Overstraeten: J. Appl. Phys. 87, 965 (2000)

32.27.

B. Monemar: Semicond. Semimetals 50, 305 (1998)

32.28.

O. Ambacher: J. Phys. D: Appl. Phys. 31, 2653 (1998)

32.29.

I. Akasaki, H. Amano, I. Suemune: Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 7 (1996)

32.30.

W. A. Harris: Electronic Structure and Properties of Solids (Dover, New York 1980) pp. 174–179

32.31.

C. Y. Yeh, Z. W. Lu, S. Froyen, A. Zunger: Phys. Rev. B 46, 10086 (1992)

32.32.

G. A. Jeffery, G. S. Parry, R. L. Mozzi: J. Chem. Phys. 25, 1024 (1956)

32.33.

H. Schulz, K. H. Theimann: Solid State Commun. 23, 815 (1977)

32.34.

Q. Xia, H. Xia, A. L. Ruoff: J. Appl. Phys. 73, 8198 (1993)

32.35.

P. Perlin, C. Jauberthie-Carillon, J. P. Itie, A. San Miguel, I. Grzegory, A. Polian: Phys. Rev. B 45, 83 (1992)

32.36.

M. Ueno, M. Yoshida, A. Onodera, O. Shimommura, K. Takemura: Phys. Rev. B 49, 14 (1994)

32.37.

M. J. Paisley, Z. Sitar, J. B. Posthill, R. F. Davis: J. Vac. Sci. Technol. 7, 701 (1989)

32.38.

T. Lei, M. Fanciulli, R. J. Molnar, T. D. Moustakas, R. J. Graham, J. Scanlon: Appl. Phys. Lett. 59, 944 (1991)

32.39.

R. C. Powell, N. E. Lee, Y. W. Kim, J. E. Greene: J. Appl. Phys. 73, 189 (1993)

32.40.

M. Mizita, S. Fujieda, Y. Matsumoto, T. Kawamura: Jpn. J. Appl. Phys. 25, L945 (1986)

32.41.

M. Leszczynski, J. Bak-Misiuk, J. Domagala, J. Muszalski, M. Kaniewska, J. Marczewski: Appl. Phys. Lett. 67, 539 (1995)

32.42.

M. Leszczynski, E. Litwin-Staszewska, J. Bak-Misiuk, J. Domagala: Acta Phys. Pol. 88, 837 (1995)

32.43.

G. S. Cargill, A. Segmuller, T. F. Kuech, T. N. Theis: Phys. Rev. B 46, 10078 (1992)

32.44.

M. Leszczynski, T. Suski, P. Perlin, H. Teisseyre, I. Grzegory, M. Bockowski, J. Jun, S. Polowski, K. Pakula, J. M. Baranowski, C. T. Foxon, T. S. Cheng: Appl. Phys. Lett. 69, 73 (1996)

32.45.

J. Härtwing, S. Groswing: Phys. Stat. Solidi 115, 369 (1989)

32.46.

W. L. Bond: Acta Crystallogr. 13, 814 (1960)

32.47.

I. Petrov, E. Mojab, R. Powell, J. Greene, L. Hultman, J.-E. Sundgren: Appl. Phys. Lett. 60, 2491 (1992)

32.48.

M. E. Sherwin, T. J. Drummond: J. Appl. Phys. 69, 8423 (1991)

32.49.

Q. Xia, H. Xia, A. L. Ruoff: Phys. Rev. B 74, 12925 (1993)

32.50.

H. Vollstadt, E. Ito, M. Akaishi, S. Akimoto, O. Fukunaga: Proc. Jpn. Acad. B 66, 7 (1990)

32.51.

A. Munoz, K. Kunc: Phys. Rev. B 44, 10372 (1991)

32.52.

P. E. Van Camp, V. E. Van Doren, J. T. Devreese: Solid State Commun. 81, 23 (1992)

32.53.

M. Tanaka, S. Nakahata, K. Sogabe, H. Nakata, M. Tabioka: Jpn. J. Appl. Phys. 36, L1062 (1997)

32.54.

H. Angerer, D. Brunner, F. Freudenberg, O. Ambacher, M. Stutzmann, R. Höpler, T. Metzger, E. Born, G. Dollinger, A. Bergmaier, S. Karsch, H.-J. Körner: Appl. Phys. Lett. 71, 1504 (1997)

32.55.

J. Domagala, M. Leszczynski, P. Prystawko, T. Suski, R. Langer, A. Barski, M. Bremser: J. Alloy Compd. 286, 284 (1999)

32.56.

K. Kim, W. R. L. Lambrecht, B. Segall: Phys. Rev. B 53, 16310 (1996). erratum: [32.388]

32.57.

A. F. Wright, J. S. Nelson: Phys. Rev. 51, 7866 (1995)

32.58.

M. Leszczynski, P. Prystawko, T. Suski, B. Lucznik, J. Domagala, J. Bak-Misiuk, A. Stonert, A. Turos, R. Langer, A. Barski: J. Alloy Compd. 286, 271 (1999)

32.59.

T. Detchprohm, K. Hiramatsu, K. Itoh, I. Akasaki: Jpn. J. Appl. Phys. 31, L1454 (1992)

32.60.

M. Leszczynski, H. Teisseyre, T. Suski, I. Grzegory, M. Bockowski, J. Jun, S. Polowski, J. Major: J. Phys. D 69, A149 (1995)

32.61.

T. Deguchi, D. Ichiryu, K. Toshikawa, K. Sekiguchi, T. Sota, R. Matsuo, T. Azuhata, M. Yamaguchi, T. Yagi, S. Chichibu, S. Nakamura: J. Appl. Phys. 86, 1860 (1999)

32.62.

W. Paszkowicz, J. Adamczyk, S. Krukowski, M. Leszczynski, S. Porowski, J. A. Sokolowski, M. Michalec, W. Lasocha: Philos. Mag. A 79, 1145 (1999)

32.63.

S. Strite, D. Chandrasekhar, D. J. Smith, J. Sariel, H. Chen, N. Teraguchi: J. Cryst. Growth 127, 204 (1993)

32.64.

W. Paszkowicz: Powder Diffr. 14, 258 (1999)

32.65.

F. D. Murnaghan: Proc. Natl. Acad. Sci. 30, 244 (1944)

32.66.

A. Polian, M. Grimsditch, I. Grzegory: J. Appl. Phys. 79, 3343 (1996)

32.67.

I. Yonenaga, T. Shima, M. H. F. Sluiter: Jpn. J. Appl. Phys. 41, 4620 (2002)

32.68.

I. Yonenega: MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 7, 6 (2002)

32.69.

T. Tsubouchi, N. Mikoshiba: IEEE Trans. Sonics Ultroson. SU 32, 634 (1985)

32.70.

L. E. McNeil, M. Grimsditch, R. H. French: J. Am. Ceram. Soc. 76, 1132 (1993)

32.71.

A. F. Wright: J. Appl. Phys. 82, 2833 (1997)

32.72.

T. Tsubouchi, K. Sugai, N. Mikoshiba: Ultrosonic Symposium Preceedings (IEEE, New York 1981) p. 375

32.73.

R. Thokala, J. Chaudhuri: Thin Solid Films 266, 189 (1995)

32.74.

M. Ueno, A. Onodera, O. Shimomura, K. Takemura: Phys. Rev. B 45, 10123 (1992)

32.75.

D. Gerlich, S. L. Dole, G. A. Slack: J. Phys. Chem. Solid 47, 437 (1986)

32.76.

P. E. Van Camp, V. E. Van Doren, J. T. Devreese: Phys. Rev. B 44, 9056 (1991)

32.77.

E. Ruiz, S. Alvarez, P. Alemany: Phys. Rev. B 49, 7617 (1994)

32.78.

V. A. Savastenko, A. V. Sheleg: Phys. Stat. Sol. A 48, K135 (1978)

32.79.

R. B. Schwarz, K. Khachataryan, E. R. Weber: Appl. Phys. Lett. 70, 1122 (1997)

32.80.

C. Deger, E. Born, H. Angerer, O. Ambacher, M. Stutzmann, J. Hornstein, E. Riha, G. Fischeruer: Appl. Phys. Lett. 72, 2400 (1998)

32.81.

R. Nowak, M. Pessa, M. Suganuma, M. Leszczynski, I. Grzegory, S. Porowski, F. Yoshida: Appl. Phys. Lett. 75, 2070 (1999)

32.82.

I. Yonenaga, K. Motoki: J. Appl. Phys. 90, 6539 (2001)

32.83.

J. H. Edgar, C. H. Wei, D. T. Smith, T. J. Kistenmacher, W. A. Bryden: J. Mater. Sci. 8, 307 (1997)

32.84.

P. Perlin, A. Polian, T. Suski: Phys. Rev. B 47, 2874 (1993)

32.85.

C. T. M. Ribeiro, F. Alvarez, A. R. Zanatta: Appl. Phys. Lett. 81, 1005 (2002)

32.86.

Z. M. Ren, Y. F. Lu, H. Q. Ni, T. Y. F. Liew, B. A. Cheong, S. K. Chow, M. L. Ng, J. P. Wang: J. Appl. Phys. 88, 7346 (2000)

32.87.

O. Brafman, G. Lengyel, S. S. Mitra, P. J. Gielisse, J. N. Plendl, L. C. Mansur: Solid State Commun. 6, 523 (1968)

32.88.

K. Shimada, T. Sota, K. Suzuki: J. Appl. Phys. 84, 4951 (1993)

32.89.

K. Miwa, A. Fukumoto: Phys. Rev. B 48, 7897 (1993)

32.90.

T. Azuhata, T. Sota, K. Suzuki, S. Nakamura: J. Phys.: Condens. Matter 7, L129 (1995)

32.91.

V. Yu. Davydov, V. V Emtsev, I. N. Goncharuk, A. N. Smirnov, V. D. Petrikov, V. V. Mamutin, V. A. Vekshin, S. V. Ivanov, M. B. Smirnov, T. Inushima: Appl. Phys. Lett. 75, 3297 (1999)

32.92.

J. S. Dyck, K. Kim, S. Limpijumnong, W. R. L. Lambrecht, K. Kash, J. C. Angus: Solid State Commun. 114, 355 (2000)

32.93.

D. Huang, F. Yun, M. A. Reshchikov, D. Wang, H. Morkoç, D. L. Rode, L. A. Farina, Ç. Kurdak, K. T. Tsen, S. S. Park, K. Y. Lee: Solid State Electron. 45, 711 (2001)

32.94.

W. Götz, N. M. Johnson, D. P. Bour, M. G. McCluskey, E. E. Haller: Appl. Phys. Lett. 69, 3725 (1996)

32.95.

C. G. Van de Walle: Phys. Rev. B 56, R10020 (1997)

32.96.

C. Wetzel, A. L. Chen, J. W. Suski, J. W. Ager III, W. Walukiewicz: Phys. Stat. Sol. B 198, 243 (1996)

32.97.

G. Kaczmarczyk, A. Kaschner, S. Reich, A. Hoffmann, C. Thomsen, D. J. As, A. P. Lima, D. Schikora, K. Lischka, R. Averbeck, H. Riechert: Appl. Phys. Lett. 76, 2122 (2000)

32.98.

K. M. Taylor, C. Lenie: J. Electrochem. Soc. 107, 308 (1960)

32.99.

V. Kirchner, H. Heinke, D. Hommel, J. Z. Domagala, M. Leszczynski: Appl. Phys. Lett. 77, 1434 (2000)

32.100.

G. A. Slack, S. F. Bartram: J. Appl. Phys. 46, 89 (1975)

32.101.

W. M. Yim, R. J. Paff: J. Appl. Phys. 45, 1456 (1974)

32.102.

H. P. Maruska, J. J. Tietjen: Appl. Phys. Lett. 15, 327 (1969)

32.103.

A. U. Sheleg, V. A. Savastenko: Vestsi Akad. Nauk, Set. Fiz.-Mat. Nauk USSR 3, 126 (1976)

32.104.

M. Leszczynski, J. F. Walker: Appl. Phys. Lett. 62, 1484 (1993)

32.105.

G. L. Slack, L. J. Schowalter, D. Morelli, J. A. Freitas Jr.: J. Cryst. Growth 246, 287 (2002)

32.106.

G. A. Slack: J. Phys. Chem. Solids 34, 321 (1973)

32.107.

G. A. Slack, T. F. McNelly: J. Cryst. Growth 42, 560 (1977)

32.108.

K. Watari, K. Ishizaki, F. Tsuchiya: J. Mater. Sci. 28, 3709 (1993)

32.109.

A. Witek: Diamond Relat. Mater. 7, 962 (1998)

32.110.

A. Nikolaev, I. Nikitina, A. Zubrilov, M. Mynbaeva, Y. Melnik, V. Dmitriev: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 595, 6.5.1 (2000)

32.111.

D. I. Florescu, V. M. Asnin, F. H. Pollak: Compound Semiconductor 7, 62 (2001)

32.112.

E. K. Sichel, J. I. Pankove: J. Phys. Chem. Solids 38, 330 (1977)

32.113.

D. Kotchetkov, J. Zou, A. A. Balandin, D. I. Florescu, F. H. Pollak: Appl. Phys. Lett. 79, 4316 (2001)

32.114.

J. Zou, D. Kotchetkov, A. A. Balandin, D. I. Florescu, F. H. Pollak: J. Appl. Phys. 92, 2534 (2002)

32.115.

D. I. Florescu, V. M. Asnin, F. H. Pollak, R. J. Molnar: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 595, 3.89.1 (2000)

32.116.

D. I. Florescu, V. M. Asnin, F. H. Pollak, R. J. Molnar, C. E. C. Wood: J. Appl. Phys. 88, 3295 (2000)

32.117.

G. A. Slack, R. A. Tanzilli, R. O. Pohl, J. W. Vandersande: J. Phys. Chem. Solids 48, 641 (1987)

32.118.

S. Krukowski, A. Witek, J. Adamczyk, J. Jun, M. Bockowski, I. Grzegory, B. Lucznik, G. Nowak, M. Wroblewski, A. Presz, S. Gierlotka, S. Stelmach, B. Palosz, S. Porowski, P. Zinn: J. Phys. Chem. Solids 59, 289 (1998)

32.119.

A. D. Mah, E. G. King, W. W. Weller, A. U. Christensen: Bur. Mines, Rept. Invest. RI-5716, 18 (1961)

32.120.

V. P. Glushko, L. V. Gurevich, G. A. Bergman, I. V. Weitz, V. A. Medvedev, G. A. Chachkurov, V. S. and Yungman: Thermodinamicheskiie Swoistwa Indiwidualnych Weshchestw (the old USSR), Vol. 1 (Nauka, Moscow 1979) p. 164

32.121.

I. Basin, O. Knacke, O. Kubaschewski: Thermochemical Properties of Inorganic Substances (Springer, Berlin, Heidelberg 1977)

32.122.

V. I. Koshchenko, A. F. Demidienko, L. D. Sabanova, V. E. Yachmenev, V. E. Gran, A. E. Radchenko: Inorg. Mater. 15, 1329 (1979)

32.123.

S. Krukowski, M. Leszczynski, S. Porowski: Thermal properties of the Group III nitrides. In: Properties, Processing and Applications of Gallium Nitride and Related Semiconductors, EMIS Datareviews Series, No. 23, ed. by J. H. Edgar, S. Strite, I. Akasaki, H. Amano, C. Wetzel (INSPEC, The Institution of Electrical Engineers, Stevenage, UK 1999) p. 23

32.124.

A. F. Demidienko, V. I. Koshchenko, L. D. Sabanova, V. E. Gran: Russ. J. Phys. Chem. 49, 1585 (1975)

32.125.

J. C. Nipko, C.-K. Loong, C. M. Balkas, R. F. Davis: Appl. Phys. Lett. 73, 34 (1998)

32.126.

V. Davydov, A. Klochikhin, S. Ivanov, J. Aderhold, A. Yamamoto: Growth and properties of InN. In: Nitride Semiconductors - Handbook on Materials and Devices, ed. by P. Ruterana, M. Albrecht, J. Neugebauer (Wiley, New York 2003)

32.127.

D. L. Rode, R. K. Willardson, A. C. Beer (Eds.): Semiconductors and Semimetals, Vol. 10 (Academic, New York 1975) pp. 1–90

32.128.

K. Seeger: Semiconductor Physics, 2 edn. (Springer, Berlin Heidelberg New York 1982)

32.129.

V. W. L. Chin, T. L. Tansley, T. Osotchan: J. Appl. Phys. 75, 7365 (1994)

32.130.

D. L. Rode, D. K. Gaskill: Appl. Phys. Lett. 66, 1972 (1995)

32.131.

M. E. Lin, B. Sverdlov, G. L. Zhou, H. Morkoç: Appl. Phys. Lett. 62, 3479 (1993)

32.132.

H. M. Ng, D. Doppalapudi, T. D. Moustakas, N. G. Weimann, L. F. Eastman: Appl. Phys. Lett. 73, 821 (1998)

32.133.

N. G. Weimann, L. F. Eastman, D. Doppalapudi, H. M. Ng, T. D. Moustakas: J. Appl. Phys. 83, 3656 (1998)

32.134.

D. C. Look, J. R. Sizelove: Phys. Rev. Lett. 82, 1237 (1999)

32.135.

H. W. Choi, J. Zhang, S. J. Chua: Mater. Sci. Semicond. Process. 4, 567 (2001)

32.136.

J. Y. Shi, L. P. Yu, Y. Z. Wang, G. Y. Zhang, H. Zhang: Appl. Phys. Lett. 80, 2293 (2002)

32.137.

Z. Q. Fang, D. C. Look, W. Kim, Z. Fan, A. Botchkarev, H. Morkoc: Appl. Phys. Lett. 72, 2277 (1998)

32.138.

K. Wook, A. E. Botohkarev, H. Morkoc, Z. Q. Fang, D. C. Look, D. J. Smith: J. Appl. Phys. 84, 6680 (1998)

32.139.

Q. S. Zhu, N. Sawaki: Appl. Phys. Lett. 76, 1594 (2000)

32.140.

Z. Chen, Y. Yuan, Da-C. Lu, X. Sun, S. Wan, X. Liu, P. Han, X. Wang, Q. Zhu, Z. Wang: Solid State Electron. 46, 2069 (2002)

32.141.

S. Nakamura: Jpn. J. Appl. Phys. 30, L1705 (1991)

32.142.

W. Götz, L. T. Romano, J. Walker, N. M. Johnson, R. J. Molnar: Appl. Phys. Lett. 72, 1214 (1998)

32.143.

D. C. Look, R. J. Molnar: Appl. Phys. Lett. 70, 3377 (1997)

32.144.

S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh: Jpn. J. Appl. Phys. 31, 2883 (1992)

32.145.

S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh: J. Appl. Phys. 71, 5543 (1992)

32.146.

S. C. Binari, H. C. Dietrich: In: GaN and Related Materials, ed. by S. J. Pearton (Gordon and Breach, New York 1997) pp. 509–534

32.147.

F. Yun, M. A. Reshchikov, K. Jones, P. Visconti, S. S. Park, K. Y. Lee: Solid State Electron. 44, 2225 (2000)

32.148.

B. Heying, I. Smorchkova, C. Poblenz, C. Elsass, P. Fini, S. Den Baars, U. Mishra, J. S. Speck: Appl. Phys. Lett. 77, 2885 (2000)

32.149.

D. D. Koleske, R. L. Henry, M. E. Twigg, J. C. Culbertson, S. C. Binari, A. E. Wickenden, M. Fatemi: Appl. Phys. Lett. 80, 4372 (2000)

32.150.

S. Nakamura, T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys. 31, L1457 (1992)

32.151.

W. Götz, N. M. Johnson, C. Chen, H. Liu, C. Kuo, W. Imler: Appl. Phys. Lett. 68, 3144 (1996)

32.152.

M. Ilegams, H. C. Montgomery: J. Phys. Chem. Solids 34, 885 (1973)

32.153.

M. A. Littlejohn, J. R. Hauser, M. Glisson: Appl. Phys. Lett. 26, 625 (1975)

32.154.

U. V. Bhapkar, M. S. Shur: J. Appl. Phys. 82, 1649 (1997)

32.155.

J. D. Albrecht, R. P. Wang, P. P. Ruden, M. Farahmand, K. F. Brennan: J. Appl. Phys. 83, 1446 (1998)

32.156.

S. Dhar, S. Ghosh: J. Appl. Phys. 86, 2668 (1999)

32.157.

J. G. Kim, A. C. Frenkel, H. Liu, R. M. Park: Appl. Phys. Lett. 65, 91 (1994)

32.158.

R. J. Molnar, W. Götz, L. T. Romano, N. M. Johnson: J. Cryst. Growth 178, 147 (1997)

32.159.

S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, T. Takeuchi, C. Wetzel, H. Amano, I. Akasaki: J. Appl. Phys. 85, 7682 (1999)

32.160.

H. Morkoç: IEEE J. Select. Top. Quant. Electron. 4, 537 (1998)

32.161.

D. C. Look, D. C. Reynolds, J. W. Hemsky, J. R. Sizelove, R. L. Jones, R. J. Molnar: Phys. Rev. Lett. 79, 2273 (1997)

32.162.

S. Keller, B. P. Keller, Y. F. Wu, B. Heying, D. Kapolnek, J. S. Speck, U. K. Mishra, S. P. Den Baars: Appl. Phys. Lett. 68, 1525 (1996)

32.163.

S. Nakamura, T. Mukhai, M. Senoh: J. Appl. Phys. 75, 7365 (1997)

32.164.

M. A. Khan, R. A. Skogman, R. G. Schulze, M. Gershenzon: Appl. Phys. Lett. 42, 430 (1983)

32.165.

I. Akasaki, H. Amano: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 242, 383 (1992)

32.166.

T. Matsuoka: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 39 (1995)

32.167.

S. Sinharoy, A. K. Aggarwal, G. Augustine, L. B. Rawland, R. L. Messham, M. C. Driver, R. H. Hopkins: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 157 (1995)

32.168.

R. J. Molnar, R. Aggarwal, Z. L. Lian, E. R. Brown, I. Melngailis, W. Götz, L. T. Romano, N. M. Johnson: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 157 (1995)

32.169.

T. T. Mnatsakanov, M. E. Levinshtein, L. I. Pomortseva, S. N. Yurkov, G. S. Simin, M. A. Khan: Solid State Electron. 47, 111 (2003)

32.170.

D. M. Caughey, R. E. Thomas: Proc. IEEE 55, 2192 (1967)

32.171.

J. Edwards, K. Kawabe, G. Stevens, R. H. Tredgold: Solid State Commun. 3, 99 (1965)

32.172.

K. Kawabe, R. H. Tredgold, Y. Inyishi: Electr. Eng. Jpn. 87, 62 (1967)

32.173.

G. A. Cox, D. O. Cummins, K. Kawabe, R. H. Tredgold: J. Phys. Chem. Solilds 28, 543 (1967)

32.174.

W. M. Yim, E. J. Stotko, P. J. Zanzucchi, J. Pankove, M. Ettenberg, S. L. Gilbert: J. Appl. Phys. 44, 292 (1973)

32.175.

S. Yoshida, S. Misawa, Y. Fujii, S. Takada, H. Hayakawa, S. Gonda, A. Itoh: J. Vac. Sci. Technol. 16, 990 (1979)

32.176.

A. G. Gorbatov, V. M. Kamyshoc: Sov. Powder, Metall. Met. Ceram. 9, 917 (1970)

32.177.

R. F. Rutz: Appl. Phys. Lett. 28, 379 (1976)

32.178.

R. F. Rutz, E. P. Harrison, J. J. Cuome: IBMJ. Res. Sev. 17, 61 (1973)

32.179.

A. Fara, F. Bernadini, V. Fiorentini: J. Appl. Phys. 85, 2001 (1999)

32.180.

K. Wongchotigul, N. Chen, D. P. Zhang, X. Tang, M. G. Spencer: Mater. Lett. 26, 223 (1996)

32.181.

H. J. Hovel, J. J. Cuomo: Appl. Phys. Lett. 20, 71 (1972)

32.182.

T. L. Tansley, C. P. Foley: Electron. Lett. 20, 1066 (1984)

32.183.

M. J. Brett, K. L. Westra: Thin Solid Films 192, 227 (1990)

32.184.

J. S. Morgan, T. J. Kistenmacher, W. A. Bryden, S. A. Ecelberger: Proc. Mater. Res. Soc. 202, 383 (1991)

32.185.

T. J. Kistenmacher, W. A. Bryden: Appl. Phys. Lett. 59, 1844 (1991)

32.186.

C. R. Abernathy, S. J. Pearton, F. Ren, P. W. Wisk: J. Vac. Sci. Technol. B 11, 179 (1993)

32.187.

W. R. Bryden, S. A. Ecelberger, M. E. Hawley, T. J. Kistenmacher: MRS Proc. 339, 497 (1994)

32.188.

T. Maruyama, T. Morishita: J. Appl. Phys. 76, 5809 (1994)

32.189.

H. Lu, W. J. Schaff, J. Hwang, H. Wu, W. Yeo, A. Pharkya, L. F. Eastman: Appl. Phys. Lett. 77, 2548 (2000)

32.190.

Y. Saito, N. Teraguchi, A. Suzuki, T. Araki, Y. Nanishi: Jpn. J. Appl. Phys. 40, L91 (2001)

32.191.

J. Aderhold, V. Yu. Davydov, F. Fedler, H. Klausing, D. Mistele, T. Rotter, O. Semchinova, J. Stemmer, J. Graul: J. Cryst. Growth 221, 701 (2001)

32.192.

H. Lu, W. J. Schaff, J. Hwang, H. Wu, G. Koley, L. F. Eastman: Appl. Phys. Lett. 79, 1489 (2001)

32.193.

Motlan, E. M. Goldys, T. L. Tansley: J. Cryst. Growth 241, 165 (2002)

32.194.

Y. Saito, T. Yamaguchi, H. Kanazawa, K. Kano, T. Araki, Y. Nanishi, N. Teraguchi, A. Suzuki: J. Cryst. Growth 237–239, 1017 (2002)

32.195.

M. Higashiwaki, T. Matsui: Jpn. J. Appl. Phys. 41, L540 (2002)

32.196.

H. W. Lu, J. Schaff, L. F. Eastman, J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Auger III, E. E. Haller, O. Ambacher: Conference Digest of the 44 ^th Electronic Materials Conference, Santa Barbara, p. 2 (2002)

32.197.

M. Higashiwaki, T. Matsui: J. Cryst. Growth 252, 128 (2003)

32.198.

T. L. Tansley, C. P. Foley, J. S. Blakemore (Ed.): Proc. 3rd Int. Conf. on Semiinsulating III–V Materials, Warm Springs, OR 1984 (Shiva, London 1985)

32.199.

T. L. Tansley, R. J. Egan, E. C. Horrigan: Thin Solid Films 164, 441 (1988)

32.200.

C. Stampfl, C. G. Van de Walle, D. Vogel, P. Kruger, J. Pollmann: Phys. Rev. BR 61, 7846 (2000)

32.201.

D. C. Look, H. Lu, W. J. Schaff, J. Jasinski, Z. Liliental-Weber: Appl. Phys. Lett. 80, 258 (2002)

32.202.

B. E. Foutz, S. K. OʼLeary, M. S. Shur, L. F. Eastman: J. Appl. Phys. 85, 7727 (1999)

32.203.

J. D. Albrecht, R. P. Wang, P. P. Ruden, M. Farahmand, K. F. Brennan: J. Appl. Phys. 83, 4777 (1998)

32.204.

S. K. OʼLeary, B. E. Foutz, M. S. Shur, U. V. Bhapkar, L. F. Eastman: Solid State Commun. 105, 621 (1998)

32.205.

B. Gelmont, K. Kim, M. Shur: J. Appl. Phys. 74, 1818 (1993)

32.206.

N. S. Mansour, K. W. Kim, M. A. Littlejohn: J. Appl. Phys. 77, 2834 (1995)

32.207.

J. Kolnik, I. H. Oguzman, K. F. Brennan, R. Wang, P. P. Ruden, Y. Wang: J. Appl. Phys. 78, 1033 (1995)

32.208.

M. Shur, B. Gelmont, M. A. Khan: J. Electron. Mater. 25, 777 (1996)

32.209.

S. K. OʼLeary, B. E. Foutz, M. S. Shur, U. V. Bhapkar, L. F. Eastman: J. Appl. Phys. 83, 826 (1998)

32.210.

E. Bellotti, B. K. Doshi, K. F. Brennan, J. D. Albrecht, P. P. Ruden: J. Appl. Phys. 85, 916 (1999)

32.211.

C. G. Rodrigues, V. N. Freire, A. R. Vasconcellos, R. Luzzi: Appl. Phys. Lett. 76, 1893 (2000)

32.212.

M. Wraback, H. Shen, S. Rudin, E. Bellotti: Phys. Stat. Sol. (b) 234, 810 (2002)

32.213.

R. Collazo, R. Schesser, Z. Sitar: Appl. Phys. Lett. 81, 5189 (2002)

32.214.

B. Monemar, U. Lindefelt, W. M. Chen: Physica B 146, 256 (1987)

32.215.

M. Tchounkeu, O. Briot, B. Gil, J. P. Alexis, R. L. Aulombard: J. Appl. Phys. 80, 5352 (1996)

32.216.

R. Dingle, D. D. Sell, S. E. Stokowski, M. Ilegems: Phys. Rev. B 4, 1211 (1971)

32.217.

E. L. Ivchenko: Excitons (North Holland, Amsterdam 1982) p. 141

32.218.

B. Monemar, J. P. Bergman, I. A. Buyanova: Optical characterization of GaN and related materials. In: GaN and Related Material, ed. by S. J. Pearton (Golden and Breach, Amsterdam 1997) p. 85

32.219.

J. J. Song, W. Shan: In: Group III Nitride Semiconductor Compounds, ed. by B. Gil (Clarendon, Oxford 1998) pp. 182–241

32.220.

B. Monemar, J. P. Bergman, I. A. Buyanova: In: GaN and Related Materials Semiconductor Compounds, ed. by S. J. Pearton (Gordon and Breach, New York 1998) pp. 85–139

32.221.

B. Monemar: Phys. Rev. B 10, 676 (1974)

32.222.

B. Gil, O. Briot, R. L. Aulombard: Phys. Rev. B 52, R17028 (1995)

32.223.

W. Shan, B. D. Little, A. J. Fischer, J. J. Song, B. Goldenberg, W. G. Perry, M. D. Bremser, R. F. Davis: Phys. Rev. B 54, 16369 (1996)

32.224.

M. Smith, G. D. Chen, J. Y. Lin, H. X. Jiang, A. Salvador, W. K. Kim, O. Aktas, A. Botchkarev, H. Morkoç: Appl. Phys. Lett. 67, 3387 (1995)

32.225.

K. P. Korona, A. Wysmolek, K. Pakula, R. Stepniewski, J. M. Baranowski, I. Grzegory, B. Lucznik, M. Wroblewski, S. Porowski: Appl. Phys. Lett. 69, 788 (1996)

32.226.

K. Kornitzer, T. Ebner, M. Grehl, K. Thonke, R. Sauer, C. Kirchner, V. Schwegler, M. Kamp, M. Leszczynski, I. Grzegory, S. Porowski: Phys. Stat. Sol. (b) 216, 5 (1999)

32.227.

B. J. Skromme, K. Palle, C. D. Poweleit, H. Yamane, M. Aoki, F. J. Disalvo: J. Cryst. Growth 246, 299 (2002)

32.228.

L. Eckey, L. Podloswski, A. Goldner, A. Hoffmann, I. Broser, B. K. Meyer, D. Volm, T. Streibl, K. Hiramatsu, T. Detcprohm, H. Amano, I. Akasaki: Ins. Phys. Conf. Ser. 142, 943 (1996)

32.229.

K. Pakula, A. Wysmolek, K. P. Korona, J. M. Baranowski, R. Stepniewski, I. Grzegory, M. Bockowski, J. Jun, S. Krukowski, M. Wroblewski, S. Porowski: Solid State Commun. 97, 919 (1996)

32.230.

A. V. Rodina, M. Dietrich, A. Goldner, L. Eckey, A. L. L. Efros, M. Rosen, A. Hoffmann, B. K. Meyer: Phys. Stat. Sol. (b) 216, 216 (1999)

32.231.

A. Shikanai, T. Azuhata, T. Sota, S. Chichibu, A. Kuramata, K. Horino, S. Nakamura: J. Appl. Phys. 81, 417 (1997)

32.232.

B. Monemar, J. P. Bergman, I. A. Buyanova, W. Li, H. Amano, I. Akasaki: MRS Int. J. Nitride Semicond. Res. 1, 2 (1996)

32.233.

S. F. Chichibu, K. Torii, T. Deguchi, T. Sota, A. Setoguchi, H. Nakanishi, T. Azuhata, S. Nakamura: Appl. Phys. Lett. 76, 1576 (2000)

32.234.

J. F. Muth, J. H. Lee, I. K. Shmagin, R. M. Kolbas, H. C. Casey Jr., B. P. Keller, U. K. Mishra, S. P. DenBaars: Appl. Phys. Lett. 71, 2572 (1997)

32.235.

R. Stepniewski, K. P. Korona, A. Wysmolek, J. M. Baranowski, K. Pakula, M. Potemski, G. Martinez, I. Grzegory, S. Porowski: Phys. Rev. B 56, 15151 (1997)

32.236.

W. Shan, A. J. Fischer, S. J. Hwang, B. D. Little, R. J. Hauenstein, X. C. Xie, J. J. Song, D. S. Kim, B. Goldenberg, R. Horning, S. Krishnankutty, W. G. Perry, M. D. Bremser, R. F. Davis: J. Appl. Phys. 83, 455 (1998)

32.237.

B. Gil, S. Clur, O. Briot: Solid State Commun. 104, 267 (1997)

32.238.

W. Shan, R. J. Hauenstein, A. J. Fischer, J. J. Song, W. G. Perry, M. D. Bremser, R. F. Davis, B. Goldenberg: Appl. Phys. Lett. 66, 985 (1995)

32.239.

C. F. Li, Y. S. Huang, L. Malikova, F. H. Pollak: Phys. Rev. B 55, 9251 (1997)

32.240.

A. K. Viswanath, J. I. Lee, D. Kim, C. R. Lee, J. Y. Leam: Phys. Rev. B 58, 16333 (1998)

32.241.

S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, S. Nakamura: J. Appl. Phys. 79, 2784 (1996)

32.242.

M. Smith, G. D. Chen, J. Y. Lin, H. X. Jiang, M. A. Khan, C. J. Sun, Q. Chen, J. W. Yang: J. Appl. Phys. 79, 7001 (1996)

32.243.

M. Smith, G. D. Chen, J. Y. Lin, H. X. Jiang, A. Salvador, B. N. Sverdlov, A. Botchkarev, H. Morkoç: Appl. Phys. Lett. 66, 3474 (1995)

32.244.

F. Hamdani, A. Botchkarev, H. Tang, W. K. Kim, H. Morkoç: Appl. Phys. Lett. 71, 3111 (1997)

32.245.

F. Hamdani, A. Botchkarev, W. Kim, H. Morkoç, M. Yeadon, J. M. Gibson, S. C. Y. Tsen, D. J. Smith, D. C. Reynolds, D. C. Look, K. Evans, C. W. Litton, W. C. Mitchel, P. Hemenger: Appl. Phys. Lett. 70, 467 (1997)

32.246.

W. Shan, A. J. Fischer, J. J. Song, G. E. Bulman, H. S. Kong, M. T. Leonard, W. G. Perry, M. D. Bremser, B. Goldenberg, R. F. Davis: Appl. Phys. Lett. 69, 740 (1996)

32.247.

S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, H. Amano, I. Akasaki: Appl. Phys. Lett. 70, 2085 (1997)

32.248.

I. A. Buyanova, J. P. Bergman, B. Monemar, H. Amano, I. Akasaki: Appl. Phys. Lett. 69, 1255 (1996)

32.249.

B. J. Skromme, K. C. Palle, C. D. Poweleit, H. Yamane, M. Aoki, F. J. Disalvo: Appl. Phys. Lett. 81, 3765 (2002)

32.250.

Y. S. Huang, Fred H. Pollak, S. S. Park, K. Y. Lee, H. Morkoç: J. Appl. Phys. 94, 899 (2003)

32.251.

B. K. Meyer: In: Free and Bound Excitons in GaN Epitaxial Films, MRS Proc., Vol. 449, ed. by F. A. Ponce, T. D. Moustakas, I. Akasaki, B. A. Monemar (Materials Research Society, Pittsburgh, Pennsylvania 1997) p. 497

32.252.

B. Monemar, J. P. Bergman, I. A. Buyanova, H. Amano, I. Akasaki, T. Detchprohm, K. Hiramatsu, N. Sawaki: Solid State Electron. 41, 239 (1995)

32.253.

D. Kovalev, B. Averboukh, D. Volm, B. K. Meyer: Phys. Rev. B 54, 2518 (1996)

32.254.

G. D. Chen, M. Smith, J. Y. Lin, H. X. Jiang, S.-H. Wei, M. A. Khan, C. J. Sun: Appl. Phys. Lett. 68, 2784 (1996)

32.255.

G. Mahler, U. Schroder: Phys. Stat. Sol. (b) 61, 629 (1974)

32.256.

B. Monemar: In: Gallium Nitride I, ed. by J. I. Pankove, T. D. Moustakas (Academic, San Diego 1998) p. 305

32.257.

D. C. Reynolds, D. C. Look, W. Kim, O. Aktas, A. Botchkarev, A. Salvador, H. Morkoç, D. N. Talwar: J. Appl. Phys. 80, 594 (1996)

32.258.

R. Stepniewski, M. Potemski, A. Wysmolek, K. Pakula, J. M. Baranowski, J. Lusakowski, I. Grzegory, S. Porowski, G. Martinez, P. Wyder: Phys. Rev. B 60, 4438 (1999)

32.259.

G. Neu, M. Teisseire, E. Frayssinet, W. Knap, M. L. Sadowski, A. M. Witowski, K. Pakula, M. Leszczynski, P. Prystawsko: Appl. Phys. Lett. 77, 1348 (2000)

32.260.

J. M. Baranowski, Z. Liliental-Weber, K. Korona, K. Pakula, R. Stepniewski, A. Wysmolek, I. Grzegory, G. Nowak, S. Porowski, B. Monemar, P. Bergman: III–V Nitrides, Vol. 449 (MRS Proc., Pittsburg, PA 1997) p. 393

32.261.

J. M. Baranowski and S. Porowski, Proc. 23^rd Int. Conf. on Physics of Semiconductors, Berlin, p.497 (1996)

32.262.

S. J. Pearton, C. R. Abernathy, J. W. Lee, C. B. Vartuli, C. B. Mackenzi, J. D. Ren, R. G. Wilson, J. M. Zavada, R. J. Shul, J. C. Zolper: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 423, 124 (1996)

32.263.

B. Monemar: J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 10, 227 (1999)

32.264.

M. Reshchikov, D. Huang, F. Yun, L. He, H. Morkoç, D. C. Reynolds, S. S. Park, K. Y. Lee: Appl. Phys. Lett. 79, 3779 (2001)

32.265.

A. K. Viswanath: Semicond. Semimetals 73, 63 (2002)

32.266.

B. Monemar, P. P. Paskov, T. Paskova, J. P. Bergman, G. Pozina, W. M. Chan, P. N. Hai, I. A. Buyanova, H. Amano, I. Akasaki: Mater. Sci. Eng. B 93, 112 (2002)

32.267.

G. Pozina, N. V. Edwards, J. P. Bergman, T. Paskova, B. Monemar, M. D. Bremser, R. F. Davis: Appl. Phys. Lett. 78, 1062 (2001)

32.268.

S. Pau, J. Kuhl, M. A. Khan, C. J. Sun: Phys. Rev. B 58, 12916 (1998)

32.269.

G. Pozina, J. P. Bergman, T. Paskova, B. Monemar: Appl. Phys. Lett. 75, 412 (1999)

32.270.

M. Leroux, B. Beaumont, N. Grandjean, P. Lorenzini, S. Haffouz, P. Vennegues, J. Massies, P. Gibart: Mater. Sci. Eng. B 50, 97 (1997)

32.271.

M. Leroux, N. Grandjean, B. Beaumont, G. Nataf, F. Semond, J. Massies, P. Gibart: J. Appl. Phys. 86, 3721 (1999)

32.272.

B. J. Skromme, G. L. Martinez: Mater. Res. Soc. Symp. 595, W9.8. (1999)

32.273.

D. C. Reynolds, D. C. Look, B. Jogai, V. M. Phanse, R. P. Vaudo: Solid State Commun. 103, 533 (1997)

32.274.

B. Santic, C. Merz, U. Kaufmann, R. Niebuhr, H. Obloh, K. Bachem: Appl. Phys. Lett. 71, 1837 (1997)

32.275.

A. K. Viswanath, J. I. Lee, S. Yu, D. Kim, Y. Choi, C. H. Hong: J. Appl. Phys. 84, 3848 (1998)

32.276.

R. A. Mair, J. Li, S. K. Duan, J. Y. Lin, H. X. Jiang: Appl. Phys. Lett. 74, 513 (1999)

32.277.

D. G. Thomas, J. J. Hopfield: Phys. Rev. 128, 2135 (1962)

32.278.

H. Saito, S. Shionoya, E. Hanamura: Solid State Commun. 12, 227 (1973)

32.279.

U. Kaufmann, M. Kunzer, C. Merz, I. Akasaki, H. Amano: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 633 (1996)

32.280.

K. P. Korona, J. P. Bergman, B. Monemar, J. M. Baranowski, K. Pakula, L. Grzegory, S. Porowski: Mater. Sci. Forum 258-263, 1125 (1997)

32.281.

G. Neu, M. Teisseire, N. Grandjean, H. Lahreche, B. Beaumont, I. Grzegory, S. Porowski: Proc. Phys. 87, 1577 (2001)

32.282.

C. H. Henry, K. Nassau: Phys. Rev. B 1, 1628 (1970)

32.283.

O. Lagerstedt, B. Monemar: J. Appl. Phys. 45, 2266 (1974)

32.284.

R. Dingle, M. Ilegems: Solid State Commun. 9, 175 (1971)

32.285.

S. Fischer, C. Wetzel, E. E. Haller, B. K. Meyer: Appl. Phys. Lett. 67, 1298 (1995)

32.286.

M. A. L. Johnson, Z. Yu, C. Boney, W. C. Hughes, J. W. Cook Jr, J. F. Schetzina, H. Zao, B. J. Skromme, J. A. Edmond: MRS Proc. 449, 271 (1997)

32.287.

M. Smith, G. D. Chen, J. Y. Lin, H. X. Jiang, A. Salvador, B. N. Sverdlov, A. Botchkarev, H. Morkoc, B. Goldenberg: Appl. Phys. Lett. 68, 1883 (1996)

32.288.

G. D. Chen, M. Smith, J. Y. Lin, H. X. Jiang, A. Salvador, B. N. Sverdlov, A. Botchkarev, H. Morkoc: J. Appl. Phys. 79, 2675 (1995)

32.289.

T. Ogino, M. Aoki: Jpn. J. Appl. Phys. 19, 2395 (1980)

32.290.

K. Saarinen, T. Laine, S. Kuisma, J. Nissilä, P. Hautojärvi, L. Dobrzynski, J. M. Baranowski, K. Pakula, R. Stepniewski, M. Wojdak, A. Wysmolek, T. Suski, M. Leszczynski, I. Grzegory, S. Porowski: Phys. Rev. Lett. 79, 3030 (1997)

32.291.

J. Neugebauer, C. G. Van de Walle: Appl. Phys. Lett. 69, 503 (1996)

32.292.

T. Mattila, R. M. Nieminen: Phys. Rev. 55, 9571 (1997)

32.293.

E. R. Glaser, T. A. Kennedy, K. Doverspike, L. B. Rowland, D. K. Gaskill, J. A. Freitas Jr, M. Asif Khan, D. T. Olson, J. N. Kuznia, D. K. Wickenden: Phys. Rev. B 51, 13326 (1995)

32.294.

P. Perlin, T. Suski, H. Teisseyre, M. Leszczynski, I. Grzegory, J. Jun, S. Porowski, P. Boguslawski, J. Berholc, J. C. Chervin, A. Polian, T. D. Moustakas: Phys. Rev. Lett. 75, 296 (1995)

32.295.

R. Zhang, T. F. Kuech: Appl. Phys. Lett. 72, 1611 (1998)

32.296.

I. Shalish, L. Kronik, G. Segal, Y. Rosenwaks, Y. Shapira, U. Tisch, J. Salzman: Phys. Rev. B 59, 9748 (1999)

32.297.

E. Calleja, F. J. Sanchez, D. Basak, M. A. Sanchez-Garsia, E. Munoz, I. Izpura, F. Calle, J. M. G. Tijero, J. L. Sanchez-Rojas, B. Beaumont, P. Lorenzini, P. Gibart: Phys. Rev. B 55, 4689 (1997)

32.298.

M. A. Reshchikov, F. Shahedipour, R. Y. Korotkov, M. P. Ulmer, B. W. Wessels: Physica B 273-274, 103 (1999)

32.299.

J. Elsner, R. Jones, M. I. Heggie, P. K. Sitch, M. Haugk, Th. Frauenheim, S. Öberg, P. R. Briddon: Phys. Rev. B 58, 12571 (1998)

32.300.

F. A. Ponce, D. P. Bour, W. Gotz, P. J. Wright: Appl. Phys. Lett. 68, 57 (1996)

32.301.

D. M. Hofmann, D. Kovalev, G. Steude, B. K. Meyer, A. Hoffmann, L. Eckey, R. Heitz, T. Detchprom, H. Amano, I. Akasaki: Phys. Rev. B 52, 16702 (1995)

32.302.

R. Y. Korotkov, M. A. Reshchikov, B. W. Wessels: Physica B 273-274, 80 (1999)

32.303.

D. G. Thomas, J. J. Hopfield, W. M. Augustyniak: Phys. Rev. A 140, 202 (1965)

32.304.

R. Seitz, C. Gaspar, T. Monteiro, E. Pereira, M. Leroux, B. Beaumont, P. Gibart: MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, article 36 (1997)

32.305.

M. Godlewski, V. Yu. Ivanov, A. Kaminska, H. Y. Zuo, E. M. Goldys, T. L. Tansley, A. Barski, U. Rossner, J. L. Rouvicre, M. Arlery, I. Grzegory, T. Suski, S. Porowski, J. P. Bergman, B. Monemar: Mat. Sci. Forum 258-263, 1149 (1997)

32.306.

H. Haag, B. Hönerlage, O. Briot, R. L. Aulombard: Phys. Rev. B 60, 11624 (1999)

32.307.

M. A. Reshchikov, F. Yun, H. Morkoç, S. S. Park, K. Y. Lee: Appl. Phys. Lett. 78, 2882 (2001)

32.308.

S. Pacesova, L. Jastrabik: Czech. J. Phys. B 29, 913 (1979)

32.309.

R. A. Youngman, J. H. Harris: J. Am. Ceram. Soc. 73, 3238 (1990)

32.310.

J. H. Harris, R. A. Youngman, R. G. Teller: J. Mater. Res. 5, 1763 (1990)

32.311.

M. Katsikini, E. C. Paloura, T. S. Cheng, C. T. Foxon: J. Appl. Phys. 82, 1166 (1997)

32.312.

J. Pastrnak, S. Pacesova, L. Roskovcova: Czech. J. Phys. B24, 1149 (1974)

32.313.

F. Karel, J. Pastrnak, J. Hejduk, V. Losik: Phys. Stat. Sol. 15, 693 (1966)

32.314.

F. Karel, J. Mares: Czech. J. Phys. B 22, 847 (1972)

32.315.

G. E. Archangelskii, F. Karel, J. Mares, S. Pacesova, J. Pastrnak: Phys. Stat. Sol. 69, 173 (1982)

32.316.

R. G. Wilson, R. N. Schwartz, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, N. Newman, M. Rubin, T. Fu, J. M. Zavada: Appl. Phys. Lett. 65, 992 (1994)

32.317.

J. D. MacKenzie, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, U. Hömmerich, X. Wu, R. N. Schwartz, R. G. Wilson, J. M. Zavada: Appl. Phys. Lett. 69, 2083 (1996)

32.318.

X. Wu, U. Hömmerich, J. D. MacKenzie, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, R. G. Wilson, R. N. Schwartz, J. M. Zavada: J. Lumin. 72-74, 284 (1997)

32.319.

S. J. Pearton, J. D. MacKenzie, C. R. Abernathy, U. Hömmerich, X. Wu, R. G. Wilson, R. N. Schwartz, J. M. Zavada, F. Ren: Appl. Phys. Lett. 71, 1807 (1997)

32.320.

J. Li, K. B. Nam, M. L. Nakarmi, J. Y. Lin, H. X. Jiang: Appl. Phys. Lett. 81, 3365 (2002)

32.321.

E. Kuokstis, J. Zhang, Q. Fareed, J. W. Yang, G. Simin, M. A. Khan, R. Gaska, M. Shur, C. Rojo, L. Schowalter: Appl. Phys. Lett. 81, 2755 (2002)

32.322.

K. B. Nam, J. Li, M. L. Nakarmi, J. Y. Lin, H. X. Jiang: Appl. Phys. Lett. 82, 1694 (2003)

32.323.

T. Onuma, S. F. Chichibu, T. Sota, K. Asai, S. Sumiya, T. Shibata, M. Tanaka: Appl. Phys. Lett. 81, 652 (2002)

32.324.

M. Morita, K. Tsubouchi, N. Mikoshiba: Jpn. J. Appl. Phys. 21, 1102 (1982)

32.325.

F. R. B. Hossain, X. Tang, K. Wongchotigul, M. G. Spencer: Proc. SPIE 42, 2877 (1996)

32.326.

X. Tang, F. R. B. Hossian, K. Wongchotigul, M. G. Spencer: Appl. Phys. Lett. 72, 1501 (1998)

32.327.

Y. Shishkin, R. P. Devaty, W. J. Choyke, F. Yun, T. King, H. Morkoç: Phys. Stat. Sol. (a) 188, 591 (2001)

32.328.

Q. Guo, A. Yoshida: Jpn. J. Appl. Phys. 33, 2453 (1994)

32.329.

P. B. Perry, R. F. Rutz: Appl. Phys. Lett. 33, 319 (1978)

32.330.

J. Pasternak, L. Roskovcova: Phys. Stat. Sol. 26, 591 (1968)

32.331.

T. Yodo, H. Yona, H. Ando, D. Nosei, Y. Harada: Appl. Phys. Lett. 80, 968 (2002)

32.332.

J. Bauer, L. Biste, D. Bolze: Phys. Stat. Sol. 39, 173 (1977)

32.333.

R. G. Gordon, D. M. Hoffmann, U. Riaz: J. Mater. Res. 6, 5 (1991)

32.334.

H. Demiryont, L. R. Thompson, G. J. Collins: Appl. Opt. 25, 1311 (1986)

32.335.

W. J. Meng, J. A. Sell, G. L. Eesley: J. Appl. Phys. 74, 2411 (1993)

32.336.

I. Akasaki, M. Hashimoto: Solid State Commun. 5, 851 (1967)

32.337.

A. T. Collins, E. C. Lightowlers, P. J. Dean: Phys. Rev. 158, 833 (1967)

32.338.

A. J. Noreika, M. H. Francombe, S. A. Zeitman: J. Vac. Sci. Technol. 6, 194 (1969)

32.339.

K. Osamura, N. Nakajima, Y. Murakami, P. H. Shingu, A. Ohtsuki: Solid State Commun. 46, 3432 (1975)

32.340.

T. Inushima, T. Yaguchi, A. Nagase, T. Shiraishi: Ins. Phys. Conf. Ser. 142, 971 (1996)

32.341.

A. Wakahara, T. Tsuchiya, A. Yoshida: J. Cryst. Growth 99, 385 (1990)

32.342.

K. Kubota, Y. Kobayashi, K. Fujimoto: J. Appl. Phys. 66, 2984 (1989)

32.343.

T. L. Tansley, C. P. Foley: J. Appl. Phys. 59, 3241 (1986)

32.344.

S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, T. Takeuchi, C. Wetzel, H. Amano, I. Akasaki: Appl. Phys. Lett. 76, 876 (2000)

32.345.

V. Yu. Davydov, A. A. Klochikhin, R. P. Seisyan, V. V. Emtsev, S. V. Ivanov, F. Bechstedt, J. Furthmuller, H. Harima, A. V. Mudryi, J. Aderhold, O. Semchinova, J. Graul: Phys. Stat. Solidi (b)R 229, 1 (2002)

32.346.

T. Inushima, V. V. Mamutin, V. A. Vekshin, S. V. Ivanov, T. Sakon, M. Motokawa, S. Ohoya: J. Crystal Growth 227-228, 481 (2001)

32.347.

J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager III, E. E. Haller, H. Lu, W. J. Schaff: Appl. Phys. Lett. 80, 4741 (2002)

32.348.

J. Wu, W. Walukiewicz, W. Shan, K. M. Yu, J. W. Ager III, E. E. Haller, H. Lu, W. J. Schaff: Phys. Rev. B 60, 201403 (2002)

32.349.

J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager III, E. E. Haller, H. Lu, W. J. Schaff, Y. Saito, Y. Nanishi: Appl. Phys. Lett. 80, 3967 (2002)

32.350.

K. Osamura, S. Naka, Y. Murakami: J. Appl. Phys. 46, 3432 (1975)

32.351.

A. Wakahara, T. Tsuchida, A. Yoshida: Vacuum 41, 1071 (1990)

32.352.

K. L. Westra, M. J. Brett: Thin Solid Films 192, 234 (1990)

32.353.

J. W. Trainor, K. Rose: J. Electron. Meter. 3, 821 (1974)

32.354.

Q. Guo, O. Kato, M. Fujisawa, A. Yoshida: Solid State Commun. 83, 721 (1992)

32.355.

Q. Guo, H. Ogawa, A. Yoshida: J. Electron. Spectrosc. Relat. Phenom. 79, 9 (1996)

32.356.

V. A. Tyagai, O. V. Snitko, A. M. Evstigneev, A. N. Krasiko: Phys. Stat. Sol. (b) 103, 589 (1981)

32.357.

F. Yun, M. A. Reshchikov, L. He, T. King, H. Morkoç, S. W. Novak, L. Wei: J. Appl. Phys. Rapid Commun. 92, 4837 (2002)

32.358.

S. Yoshida, S. Misawa, S. Gonda: J. Appl. Phys. 53, 6844 (1982)

32.359.

S. A. Nikishin, N. N. Faleev, A. S. Zubrilov, V. G. Antipov, H. Temkin: Appl. Phys. Lett. 76, 3028 (2000)

32.360.

W. Shan, J. W. Ager III, K. M. Yu, W. Walukiewicz, E. E. Haller, M. C. Martin, W. R. McKinney, W. Yang: J. Appl. Phys. 85, 8505 (1999)

32.361.

Ü. Özgür, G. Webb-Wood, H. O. Everitt, F. Yun, H. Morkoç: Appl. Phys. Lett. 79, 4103 (2001)

32.362.

J. Wagner, H. Obloh, M. Kunzer, M. Maier, K. Kohler, B. Johs: J. Appl. Phys. 89, 2779 (2000)

32.363.

H. Jiang, G. Y. Zhao, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo, M. J. Umeno: Appl. Phys. 89, 1046 (2001)

32.364.

T. J. Ochalski, B. Gil, P. Lefebvre, M. Grandjean, M. Leroux, J. Massies, S. Nakamura, H. Morkoç: Appl. Phys. Lett. 74, 3353 (1999)

32.365.

M. A. Khan, J. M. Van Hove, J. N. Kuznia, D. T. Olson: Appl. Phys. Lett. 58, 2408 (1991)

32.366.

T. Tanaka, A. Watanabe, H. Amano, Y. Kobayashi, I. Akasaki, S. Yamazaki, M. Koike: Appl. Phys. Lett. 65, 593 (1994)

32.367.

M. Stutzmann, O. Ambacher, A. Cros, M. S. Brandt, H. Angerer, R. Dimitrov, N. Reinacher, T. Metzger, R. Hopler, D. Brunner, F. Freudenberg, R. Handschuh, Ch. Deger: presented at the E-MRS Straßburg, Symposium L (1997)

32.368.

S. Nakamura, T. Mukai: J. Vac. Sci. Technol. A 13, 6844 (1995)

32.369.

H. Amano, T. Takeuchi, S. Sota, H. Sakai, I. Akasaki: In: III–V nitrides, Vol. 449, ed. by F. A. Ponce, T. D. Moustakas, I. Akasaki, B. Menemar (MRS Proc., Pittsburgh, Pennsylvania 1997) p. 1143

32.370.

K. P. OʼDonnell, R. W. Martin, C. Trager-Cowan, M. E. White, K. Esona, C. Deatcher, P. G. Middleton, K. Jacobs, W. van der Stricht, C. Merlet, B. Gil, A. Vantomme, J. F. W. Mosselmans: Mater. Sci. Eng. B 82, 194 (2001)

32.371.

T. Nagatomo, T. Kuboyama, H. Minamino, O. Omoto: Jpn. J. Appl. Phys. 28, L1334 (1989)

32.372.

W. Shan, W. Walukiewicz, E. E. Haller, B. D. Little, J. J. Song, M. D. McCluskey, N. M. Johnson, Z. C. Feng, M. Schurman, R. A. Stall: J. App. Phys. 84, 4452 (1998)

32.373.

S. Pereira, M. R. Correia, T. Monteiro, E. Pereira, E. Alves, A. D. Sequeira, N. Franco: Appl. Phys. Lett. 78, 2137 (2001)

32.374.

I. Akasaki, H. Amano: Jpn. J. Appl., Phys. 36, 5393 (1997)

32.375.

S. Yamasaki, S. Asami, N. Shibata, M. Koike, K. Manabe, T. Tanaka, H. Amano, I. Akasaki: Appl. Phys. Lett. 66, 1112 (1995)

32.376.

N. Yoshimoto, T. Matsuoka, A. Katsui: Appl. Phys. Lett. 59, 2251 (1991)

32.377.

S. Nakamura, T. Mukai, M. Seno: Jpn. J. Appl. Phys. 31, L16 (1993)

32.378.

S. Nakamura, N. Iwasa, S. Nagahama: Jpn. J. Appl. Phys. 32, L338 (1993)

32.379.

K. S. Kim, A. Saxler, P. Kung, R. Razeghi, K. Y. Lim: Appl. Phys. Lett. 71, 800 (1997)

32.380.

K. Starosta: Phys. Status Solidi A 68, K55 (1981)

32.381.

T. J. Kistenmacher, S. A. Ecelberger, W. A. Bryden: J. Appl. Phys. 74, 1684 (1993)

32.382.

S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, T. Takeuchi, C. Wetzel, H. Amano, I. Akasaki: Appl. Phys. Lett. 73, 830 (1998)

32.383.

G. Davies: Phys. Rep. 176, 83 (1989)

32.384.

W. R. Bryden, T. J. Kistenmacher: Electrical transport properties of InN, GaInN and AlInN. In: Properties of Group III Nitrides, ed. by J. H. Edgar (INSPEC, London 1994)

32.385.

S. M. Bedair, F. G. McIntosh, J. C. Roberts, E. L. Piner, K. S. Boutros, N. A. El-Masry: J. Crystal Growth 178, 32 (1997)

32.386.

S. N. Mohammad, A. Salvador, H. Morkoç: Proc. IEEE 83, 1306 (1995)

32.387.

M.-Y. Ryu, C. Q. Chen, E. Kuokstis, J. W. Yang, G. Simin, M. A. Khan: Appl. Phys. Lett. 80, 3730 (2002)

32.388.

K. Kim, W. R. L. Lambrecht, B. Segall: Phys. Rev. B 53, 7018 (1997)

Title: Group III Nitrides
Authors: Ali Teke, Prof.
Hadis Morkoç, Prof.
Publisher: Springer US
Book: Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials
Print ISBN: 978-0-387-26059-4

Electronic ISBN: 978-0-387-29185-7

Copyright Year: 2007
DOI: https://doi.org/10.1007/978-0-387-29185-7_32