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2017 | OriginalPaper | Chapter

3. MOS Transistors and CMOS Circuits

Author : Ahmet Bindal

Published in: Electronics for Embedded Systems

Publisher: Springer International Publishing

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Abstract

The third chapter explains the N-channel and the P-channel MOS transistors, their current-voltage characteristics and CMOS gates. It explains the proper circuit design techniques that lead to transistor sizing to meet design requirements prior to simulation. The estimation of rise and fall times, rise and fall delays are also given in this chapter as a function of load capacitance or gate fan-out.

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Metadata
Title
MOS Transistors and CMOS Circuits
Author
Ahmet Bindal
Copyright Year
2017
DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-319-39439-8_3