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2021 | OriginalPaper | Chapter

21. Serielle EEPROMs

Authors : Ansgar Meroth, Petre Sora

Published in: Sensornetzwerke in Theorie und Praxis

Publisher: Springer Fachmedien Wiesbaden

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Zusammenfassung

Kapitel 21 widmet sich den seriellen EEPROMs, die mit I2C oder SPI angesteuert werden.

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Appendix
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Footnotes
1
MOS steht für die Schichtfolge Metall-Oxid-Semiconductor (Halbleiter).
 
2
Uth steht für Threshold-Spannung, zu Deutsch Schwellenspannung, typischerweise 1,5 V bis 3,3 V.
 
3
Frei übersetzt: Lebensdauer.
 
Literature
1.
go back to reference Stiny, L. (2018). Aktive elektronische Bauelemente – Aufbau, Struktur, Wirkungsweise, Eigenschaften und praktischer Einsatzdiskreter und integrierter Halbleiter-Bauteile (4. Aufl.). Springer Vieweg Wiesbaden. Stiny, L. (2018). Aktive elektronische Bauelemente – Aufbau, Struktur, Wirkungsweise, Eigenschaften und praktischer Einsatzdiskreter und integrierter Halbleiter-Bauteile (4. Aufl.). Springer Vieweg Wiesbaden.
Metadata
Title
Serielle EEPROMs
Authors
Ansgar Meroth
Petre Sora
Copyright Year
2021
DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-658-31709-6_21