Skip to main content
Top
Published in: Semiconductors 2/2009

01-02-2009 | Low-Dimensional Systems

Transport in GaAs/Al x Ga1−x As superlattices with narrow minibands: Effects of interminiband tunneling

Authors: A. A. Andronov, E. P. Dodin, D. I. Zinchenko, Yu. N. Nozdrin

Published in: Semiconductors | Issue 2/2009

Log in

Activate our intelligent search to find suitable subject content or patents.

search-config
loading …

Dont have a licence yet? Then find out more about our products and how to get one now:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Springer Professional "Wirtschaft"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 340 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Versicherung + Risiko




Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Metadata
Title
Transport in GaAs/Al x Ga1−x As superlattices with narrow minibands: Effects of interminiband tunneling
Authors
A. A. Andronov
E. P. Dodin
D. I. Zinchenko
Yu. N. Nozdrin
Publication date
01-02-2009
Publisher
SP MAIK Nauka/Interperiodica
Published in
Semiconductors / Issue 2/2009
Print ISSN: 1063-7826
Electronic ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782609020213

Other articles of this Issue 2/2009

Semiconductors 2/2009 Go to the issue

Electronic and Optical Properties of Semiconductors

The nature of “heavy” electrons in the p-HgTe zero-gap semiconductor

Semiconductor Structures, Interfaces, and Surfaces

Properties of heterojunction based on pentacene and perylene derivatives

Atomic Structure and Nonelectronic Properties of Semiconductors

Spinodal decomposition of ZnO-BeO alloys

Electronic and Optical Properties of Semiconductors

Terbium photoluminescence in yttrium aluminum garnet xerogels

Premium Partner