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Journal of Electronic Materials

Published in:

01-11-2017 | Topical Collection: 59th Electronic Materials Conference 2017

Characterization of Strain Due to Nitrogen Doping Concentration Variations in Heavy Doped 4H-SiC

Published in: Journal of Electronic Materials | Issue 2/2018

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Title: Characterization of Strain Due to Nitrogen Doping Concentration Variations in Heavy Doped 4H-SiC
Publication date: 01-11-2017
Published in: Journal of Electronic Materials / Issue 2/2018
Print ISSN: 0361-5235
Electronic ISSN: 1543-186X
DOI: https://doi.org/10.1007/s11664-017-5846-5