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Published in:

01-11-2013

Depth Profiling of Electronic Transport Parameters in n-on-p Boron-Ion-Implanted Vacancy-Doped HgCdTe

Authors: G. A. Umana-Membreno, H. Kala, J. Antoszewski, Z. H. Ye, W. D. Hu, R. J. Ding, X. S. Chen, W. Lu, L. He, J. M. Dell, L. Faraone

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Title: Depth Profiling of Electronic Transport Parameters in n-on-p Boron-Ion-Implanted Vacancy-Doped HgCdTe
Authors: G. A. Umana-Membreno
H. Kala
J. Antoszewski
Z. H. Ye
W. D. Hu
R. J. Ding
X. S. Chen
W. Lu
L. He
J. M. Dell
L. Faraone
Publication date: 01-11-2013
Publisher: Springer US
Published in: Journal of Electronic Materials / Issue 11/2013
Print ISSN: 0361-5235
Electronic ISSN: 1543-186X
DOI: https://doi.org/10.1007/s11664-013-2659-z