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1987 | OriginalPaper | Chapter

Feldeffekt-Transistoren

Author : Erwin Böhmer

Published in: Elemente der angewandten Elektronik

Publisher: Vieweg+Teubner Verlag

Included in: Professional Book Archive

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Das Wort Transistor entstand aus der Bezeichnung „transfer resistor“. Es gibt mehrere Transistorvarianten. Bild 1 zeigt schematisch den Aufbau eines Sperrschicht-Feldeffekt-Transistors. Eine innere „Kanalzone“ von n- oder p-leitendem Typ wird umgeben von einem Mantel aus dem Substrat und der damit verbundenen Gateschicht des entgegengesetzten Leitungstyps. Die Gatezone hat den Anschluß „Gate“ G, der für die Stromleitung vorgesehene Kanal hat die Anschlüsse „Source“ S und „Drain“ D.

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