Grundlagen der Halbleiterphysik für Siliziumbauelemente

Der folgende Satz von 6 Gleichungen, davon 5 partielle Differentialgleichungen 1. Ordnung, beschreibt alle Phänomene der Siliziumbauelemente im technischen Betriebsbereich −55°C ≤ T ≤ +125°C. Vier Gleichungen verknüpfen orts- und zeitabhängig die Ladungsträgerkonzentrationen (oder Dichten) $$n(\vec r,t),p(\vec r,t)$$ und die Stromdichten $${\vec j_n}(\vec r,t),{\vec j_p}(\vec r,t)$$ von Elektronen und Löchern (Indizes n und p) mit Hilfe von Koeffizienten und Summanden. Eine weitere Gleichung formuliert die Gesamtstromdichte aus den beiden Anteilen der Ladungsträger. Die sechste Gleichung ist die Poisson-Gleichung, die die elektrische Verschiebungsdichte $$\vec D(\vec r,t)$$ mit der Raumladungsdichte $$\rho (\vec r,t)$$ verknüpft.