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Journal of Electronic Materials

Published in:

03-09-2020

Investigation of 1.9 μm GINA Simulated as Intrinsic Layer in a GaAs Homojunction: From 25% Towards 32.4% Conversion Yield

Authors: Marwa Ben Arbia, Hicham Helal, Faouzi Saidi, Hassen Maaref

Published in: Journal of Electronic Materials | Issue 11/2020

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Title: Investigation of 1.9 μm GINA Simulated as Intrinsic Layer in a GaAs Homojunction: From 25% Towards 32.4% Conversion Yield
Authors: Marwa Ben Arbia
Hicham Helal
Faouzi Saidi
Hassen Maaref
Publication date: 03-09-2020
Publisher: Springer US
Published in: Journal of Electronic Materials / Issue 11/2020
Print ISSN: 0361-5235
Electronic ISSN: 1543-186X
DOI: https://doi.org/10.1007/s11664-020-08417-y