Leistungstransistoren und Leistungsschaltungen

Leistungstransistoren sind ausgelegt für relativ große Ströme und Verlustleistungen (> 10 W). Ihr „thermischer Innenwiderstand“ ist kleiner als 15 K/W. Die dem Transistor zugeführte und in Wärme umgesetzte (Verlust-)Leistung P muß notfalls über einen Kühlkörper nach außen so abgeleitet werden, daß eine übermäßige Erwärmung des Kristalls vermieden wird. Bei Ge-Transistoren darf die Sperrschichttemperatur T_j höchstens auf 75 ... 90 °C ansteigen, bei Si-Transistoren auf 150 ... 200 °C. Im stationären Zustand gilt für die „totale“ Verlustleistung eines Bipolartransistors:(1)$${P_{tot}}={U_{CE}}\,\cdot \,{{\rm I}_C}+{U_{BE}}\cdot\,{I_B}\approx{U_{CE}}\cdot{I_C}$$. Damit erält man:(2)$${T_j} = {P_{tot}}\cdot {R_{thJU}}+{T_U}$$ für die Temperatur der besonders beanspruchten Kollektor-Basis-Sperrschicht.