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2019 | OriginalPaper | Chapter

3. Oxidation des Siliziums

Author : Ulrich Hilleringmann

Published in: Silizium-Halbleitertechnologie

Publisher: Springer Fachmedien Wiesbaden

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Zusammenfassung

Siliziumdioxid lässt sich durch thermische Oxidation in einer Sauerstoff enthaltenden Atmosphäre erzeugen. Das Schichtwachstum wird mit einem einfachen Modell über einen linearen und einen parabolischen Anteil beschrieben. Es ist sowohl für die trockene als auch für die feuchte Oxidation gültig. Auch Abscheideverfahren für Siliziumdioxid werden angesprochen.

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Schumicki, G., Seegebrecht, P.: Prozeßtechnologie, Reihe Mikroelektronik. Springer, Berlin (1991)
Metadata
Title
Oxidation des Siliziums
Author
Ulrich Hilleringmann
Copyright Year
2019
Book
Silizium-Halbleitertechnologie

Print ISBN: 978-3-658-23443-0

Electronic ISBN: 978-3-658-23444-7

Copyright Year: 2019

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-658-23444-7_3