Top

Published in:

2016 | OriginalPaper | Chapter

7. Reaktives Ionentiefenätzen

Author : Stephanus Büttgenbach

Published in: Mikrosystemtechnik

Publisher: Springer Berlin Heidelberg

Activate our intelligent search to find suitable subject content or patents.

search-config

AI-assisted search

Off

Auszug

Silizium‐Mikrostrukturen mit hohen Aspektverhältnissen und steilen Seitenwänden werden in vielen mikrosystemtechnischen Produkten benötigt. Bei der nasschemischen anisotropen Ätztechnik mit KOH und anderen basischen Lösungen (Kap. 4) bestimmen die Kristallebenen die Geometrie der entstehenden Mikrostruktur. Tiefe, enge Kanäle können zum Beispiel mit dieser Technologie nicht hergestellt werden. …

Dont have a licence yet? Then find out more about our products and how to get one now:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

über 102.000 Bücher
über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

Automobil + Motoren
Bauwesen + Immobilien
Business IT + Informatik
Elektrotechnik + Elektronik
Energie + Nachhaltigkeit
Finance + Banking
Management + Führung
Marketing + Vertrieb
Maschinenbau + Werkstoffe
Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

inform now

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

über 67.000 Bücher
über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

Automobil + Motoren
Bauwesen + Immobilien
Business IT + Informatik
Elektrotechnik + Elektronik
Energie + Nachhaltigkeit
Maschinenbau + Werkstoffe

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

inform now

previous chapter Oberflächenmikromechanik

next chapter Softlithografie

F. Lärmer, A. Schilp, Patentschrift DE 4241045, Verfahren zum anisotropen Ätzen von Silicium, Prioritätsdatum: 5. Dezember 1992.

F. Chollet, H. Liu, A (not so) short introduction to micro electromechanical systems, Version 3.0 2009). http://www.austincc.edu/jtiede/Files/Intro%20MEMS%20Book%20V2.pdf, Zugegriffen: 27. Mai 2016

O.A. Popov (Hrsg.), High density plasma sources: design, physics and performance (Noyes Publications, Park Ridge, 1995)

F. Lärmer, A. Urban, Challenges, developments and applications of silicon deep reactive ion etching. Microelectronic Engineering 67–68, 349–355 (2003)CrossRef

M. Offenberg, F. Lärmer, B. Elsner, H. Münzel, W. Riethmüller, Novel process for a monolithic integrated accelerometer Technical Digest of the 8th International Conference on Solid-State Sensors and Actuators, Stockholm, Schweden. 1995), S. 589–592

X. Li, T. Abe, M. Esashi, Deep reactive ion etching of pyrex glass using SF₆ plasma. Sensors and Actuators A 87, 139–145 (2001)CrossRef

S. Wang, X. Li, K. Wakabayashi, M. Esashi, Deep reactive ion etching of lead zirconate titanate using sulfur hexafloride gas. Journal of the American Ceramic Society 82, 1339–1341 (1999)CrossRef

C. Zhang, C. Yang, D. Ding, Deep reactive ion etching of commercial PMMA in O2/CHF3, and O2/Ar-based discharges. Journal of Micromechanics and Microengineering 14, 663–666 (2004)CrossRef

S. Büttgenbach, A. Burisch, J. Hesselbach (Hrsg.), Design and manufacturing of active microsystems (Springer, Heidelberg, 2011)

10.

A. Phataralaoha, R. Bandorf, G. Bräuer, S. Büttgenbach, Friction behavior in microsystems, in Design and manufacturing of active microsystems, ed. by S. Büttgenbach, A. Burisch, J. Hesselbach (Springer, Heidelberg, 2011), S. 89–108CrossRef

Title: Reaktives Ionentiefenätzen
Author: Stephanus Büttgenbach
Publisher: Springer Berlin Heidelberg
Book: Mikrosystemtechnik
Print ISBN: 978-3-662-49772-2

Electronic ISBN: 978-3-662-49773-9

Copyright Year: 2016
DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-662-49773-9_7

Springer Professional

Auszug

Please log in to get access to your license.

Dont have a licence yet? Then find out more about our products and how to get one now:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Springer Professional "Technik"

Premium Partners