Skip to main content
Top
Published in: Journal of Electronic Materials 3/2019

19-12-2018 | 5th International Conference of Asian Union of Magnetics Societies

Structure and Magnetic Properties of Nanocrystalline MnAl-C Prepared by Solid-State Reaction and High-Pressure Compaction

Authors: Hui-Dong Qian, Ping-Zhan Si, Jihoon Park, Kyung Mox Cho, Chul-Jin Choi

Published in: Journal of Electronic Materials | Issue 3/2019

Log in

Activate our intelligent search to find suitable subject content or patents.

search-config
loading …

Dont have a licence yet? Then find out more about our products and how to get one now:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Metadata
Title
Structure and Magnetic Properties of Nanocrystalline MnAl-C Prepared by Solid-State Reaction and High-Pressure Compaction
Authors
Hui-Dong Qian
Ping-Zhan Si
Jihoon Park
Kyung Mox Cho
Chul-Jin Choi
Publication date
19-12-2018
Publisher
Springer US
Published in
Journal of Electronic Materials / Issue 3/2019
Print ISSN: 0361-5235
Electronic ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-018-06848-2

Other articles of this Issue 3/2019

Journal of Electronic Materials 3/2019 Go to the issue