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Journal of Materials Science: Materials in Electronics

Published in:

01-07-2005

Synchrotron X-ray topography study of defects in indium antimonide P-I-N structures grown by metal organic vapour phase epitaxy

Authors: J. Riikonen, T. Tuomi, A. Lankinen, J. Sormunen, A. Säynätjoki, L. Knuuttila, H. Lipsanen, P. J. McNally, L. O’Reilly, A. Danilewsky, H. Sipilä, S. Vaijärvi, D. Lumb, A. Owens

Published in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Issue 7/2005

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Title: Synchrotron X-ray topography study of defects in indium antimonide P-I-N structures grown by metal organic vapour phase epitaxy
Authors: J. Riikonen
T. Tuomi
A. Lankinen
J. Sormunen
A. Säynätjoki
L. Knuuttila
H. Lipsanen
P. J. McNally
L. O’Reilly
A. Danilewsky
H. Sipilä
S. Vaijärvi
D. Lumb
A. Owens
Publication date: 01-07-2005
Publisher: Kluwer Academic Publishers
Published in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Issue 7/2005
Print ISSN: 0957-4522
Electronic ISSN: 1573-482X
DOI: https://doi.org/10.1007/s10854-005-2313-5

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