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Journal of Electronic Materials

Published in:

01-03-2012

The Effect of AlN Nucleation Temperature on the Growth of AlN Films via Metalorganic Chemical Vapor Deposition

Authors: H. Wang, S.L. Li, H. Xiong, Z.H. Wu, J.N. Dai, Y. Tian, Y.-Y. Fang, C.Q. Chen

Published in: Journal of Electronic Materials | Issue 3/2012

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Title: The Effect of AlN Nucleation Temperature on the Growth of AlN Films via Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Authors: H. Wang
S.L. Li
H. Xiong
Z.H. Wu
J.N. Dai
Y. Tian
Y.-Y. Fang
C.Q. Chen
Publication date: 01-03-2012
Publisher: Springer US
Published in: Journal of Electronic Materials / Issue 3/2012
Print ISSN: 0361-5235
Electronic ISSN: 1543-186X
DOI: https://doi.org/10.1007/s11664-011-1798-3