Top

Published in:

01-01-2016

Well Thickness Dependence of the Internal Quantum Efficiency and Carrier Concentration in GaN-Based Multiple Quantum Well Light-Emitting Diodes

Authors: Kun Zhao, Xiufang Yang, Bing Xu, Ding Li, Cunda Wang, Liefeng Feng

Activate our intelligent search to find suitable subject content or patents.

search-config

AI-assisted search

Off

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

aus folgenden Fachgebieten:

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

inform now

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

aus folgenden Fachgebieten:

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

inform now

Title: Well Thickness Dependence of the Internal Quantum Efficiency and Carrier Concentration in GaN-Based Multiple Quantum Well Light-Emitting Diodes
Authors: Kun Zhao
Xiufang Yang
Bing Xu
Ding Li
Cunda Wang
Liefeng Feng
Publication date: 01-01-2016
Publisher: Springer US
Published in: Journal of Electronic Materials / Issue 1/2016
Print ISSN: 0361-5235
Electronic ISSN: 1543-186X
DOI: https://doi.org/10.1007/s11664-015-4203-9