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30-06-2018 | Topical Collection: 17th Conference on Defects (DRIP XVII)

Analysis and Reduction of Obtuse Triangular Defects on 150-mm 4° 4H-SiC Epitaxial Wafers

Authors: Yongqiang Sun, Gan Feng, Junyong Kang, Jianhui Zhang, Weining Qian

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Title: Analysis and Reduction of Obtuse Triangular Defects on 150-mm 4° 4H-SiC Epitaxial Wafers
Authors: Yongqiang Sun
Gan Feng
Junyong Kang
Jianhui Zhang
Weining Qian
Publication date: 30-06-2018
Publisher: Springer US
Published in: Journal of Electronic Materials / Issue 9/2018
Print ISSN: 0361-5235
Electronic ISSN: 1543-186X
DOI: https://doi.org/10.1007/s11664-018-6476-2