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2007 | OriginalPaper | Chapter

Asymmetrical Triple-Gate FET

Authors : Meng-Hsueh Chiang, Jeng-Nan Lin, Keunwoo Kim, Ching-Te Chuang

Published in: Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2007

Publisher: Springer Vienna

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A novel triple-gate MOSFET structure with polysilicon gate process is proposed using asymmetrical (n

+

p

+

) polysilicon gates. CMOS-compatible V

T

’s for high-performance circuit applications can be achieved for both nFET and pFET. The superior subthreshold characteristics and device performance are analyzed by three-dimensional numerical simulations. Comparisons of device properties with the mid-gap metal gate are presented.

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Metadata
Title
Asymmetrical Triple-Gate FET
Authors
Meng-Hsueh Chiang
Jeng-Nan Lin
Keunwoo Kim
Ching-Te Chuang
Copyright Year
2007
Publisher
Springer Vienna
DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-211-72861-1_94