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2007 | OriginalPaper | Chapter

Modeling of NBTI Degradation for SiON pMOSFET

Authors : J. Shimokawa, T. Enda, N. Aoki, H. Tanimoto, S. Ito, Y. Toyoshima

Published in: Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2007

Publisher: Springer Vienna

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For SiO

2

pMOSFETs, the reaction diffusion model is well used to describe the NBTI degradation theoretically and the Ogawa model for hole trap generation is known exper imentally. However, there is not a good model of NBTI degradation for SiON devices. In this paper, we propose a nitrogen dependent hole trap generation model by extending these two models and present the NBTI degradation model for SiON pMOSFETs.

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Metadata
Title
Modeling of NBTI Degradation for SiON pMOSFET
Authors
J. Shimokawa
T. Enda
N. Aoki
H. Tanimoto
S. Ito
Y. Toyoshima
Copyright Year
2007
Publisher
Springer Vienna
Book
Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2007

Print ISBN: 978-3-211-72860-4

Electronic ISBN: 978-3-211-72861-1

Copyright Year: 2007

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-211-72861-1_34