Skip to main content
Disciplines
Automotive Business IT + Informatics Construction + Real Estate Electrical Engineering + Electronics Energy + Sustainability Insurance + Risk Finance + Banking Management + Leadership Marketing + Sales Mechanical Engineering + Materials
Events
DE
EN
Books
Journals
Topic Page
Marketing
Start single access now
Access for companies
EXTENDED SEARCH
Log in
Top
Semiconductors
Published in: Semiconductors 7/2020

01-07-2020 | REVIEW

Modification of the Atomic and Electronic Structure of III–V Semiconductor Surfaces at Interfaces with Electrolyte Solutions (Review)

Author: M. V. Lebedev

Published in: Semiconductors | Issue 7/2020

Log in

Activate our intelligent search to find suitable subject content or patents.

search-config
loading …

Abstract

Recent experimental and theoretical data on modification of the atomic and electronic structures of the surface of different III–V semiconductors by electrolyte solutions are reviewed. The interrelation between chemical reactions occurring at semiconductor/electrolyte interfaces, the charge transfer between the semiconductor and the solution, and corresponding modifications of the atomic and electronic structures of the semiconductor surface is established. Examples of modification of the electronic characteristics and properties of semiconductor devices and nanostructures under interaction with electrolyte solutions are given.
next article First-Principle Investigation of the (001) Surface Reconstructions of GaSb and InSb Semiconductors

Dont have a licence yet? Then find out more about our products and how to get one now:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

inform now

Springer Professional "Wirtschaft"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 340 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Versicherung + Risiko




Jetzt Wissensvorsprung sichern!

inform now

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

inform now
Literature
1.
A. Thiel and H. Koelsch, Zs. Anorg. Chem. 66, 288 (1910).
2.
V. M. Goldschmidt, Trans. Faraday Soc. 25, 253 (1929).
3.
A. I. Blyum, N. P. Mokrovskii, and A. R. Regel’, Izv. Akad. Nauk SSSR, Ser. Fiz. 16, 139 (1952).
4.
N. H. Welker, Zs. Naturforsch. 7a, 744 (1952).
5.
D. N. Nasledov, A. A. Rogachev, S. M. Ryvkin, and B. V. Tsarenkov, Sov. Phys. Solid State 4, 782 (1962).
6.
Zh. I. Alferov and B. V. Tsarenkov, Sov. Phys. Semicond. 19, 1303 (1985).
7.
8.
M. P. Mikhailova, K. D. Moiseev, and Yu. P. Yakovlev, Semiconductors 53, 273 (2019).ADS
9.
J. Robertson and R. M. Wallace, Mater. Sci. Eng. R 88, 1 (2015).
10.
L. Shen, E. Y. B. Pun, and J. C. Ho, Mater. Chem. Front. 1, 630 (2017).
11.
J. L. Boland, G. Tütüncüoglu, J. Q. Gong, S. Conesa-Boj, C. L. Davies, L. M. Herz, A. Fontcuberta i Morral, and M. B. Johnston, Nanoscale 9, 7839 (2017).
12.
J. C. Norman, D. Jung, Z. Zhang, Y. Wan, S. Liu, C. Shang, R. W. Herrick, W. W. Chow, A. C. Gossard, and J. E. Bowers, IEEE J. Quantum Electron. 55, 2000511 (2019).
13.
E. Barrigón, M. Heurlin, Z. Bi, B. Monemar, and L. Samuelson, Chem. Rev. 119, 9170 (2019).
14.
15.
16.
S. P. Svensson,  J. Kanski,  T. G. Andersson,  and P.-O. Nilsson, J. Vac. Sci. Technol. B 2, 235 (1984).
17.
W. Chen, M. Dumas, D. Mao, and A. Kahn, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1886 (1992).
18.
I. M. Vitomirov, A. Raisanen, A. C. Finnefrock, R. E. Viturro, L. J. Brillson, P. D. Kirchner, G. D. Pettit, and J. M. Woodall, Phys. Rev. B 46, 13293 (1992).ADS
19.
Y. Ishikawa, T. Fukui, and H. Hasegawa, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 1163 (1997).
20.
C. L. Hinkle, M. Milojevic, E. M. Vogel, and R. M. Wallace, Microelectron. Eng. 86, 1544 (2009).
21.
E. A. Plis, M. N. Kutty, and S. Krishna, Laser Photon. Rev. 7, 45 (2013).ADS
22.
A. Gaur, I. Manwaring, M. J. Filmer, P. M. Thomas, S. L. Rommel, K. Bhatnagar, and R. Droopad, J. Vac. Sci. Technol. B 33, 021210 (2015).
23.
F. Seker, K. Meeker, T. F. Kuech, and A. B. Ellis, Chem. Rev. 100, 2505 (2000).
24.
25.
Y. Mizokawa, O. Komoda, and S. Miyase, Thin Solid Films 156, 127 (1988).ADS
26.
F. S. Aguirre-Tostado, M. Milojevic, C. L. Hinkle, E. M. Vogel, R. M. Wallace, S. McDonnel, and G. J. Hughes, Appl. Phys. Lett. 92, 171906 (2008).ADS
27.
M. V. Lebedev, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, W. Calvet, B. Kaiser, and W. Jaegermann, Mater. Sci. Semicond. Process. 51, 81 (2016).
28.
C. L. Hinkle, E. M. Vogel, P. D. Ye, and R. M. Wallace, Curr. Opin. Solid State Mater. Sci. 15, 188 (2011).ADS
29.
L. Zhou, B. Bo, X. Yan, C. Wang, Y. Chi, and X. Yang, Crystals 8, 226 (2018).
30.
V. N. Bessolov and M. V. Lebedev, Semiconductors 32, 1141 (1998).ADS
31.
32.
V. P. LaBella, M. R. Krause, Z. Ding, and P. M. Thibado, Surf. Sci. Rep. 60, 1 (2005).ADS
33.
34.
R. Duszak, C. J. Palmstrøm, L. T. Florez, Y.-N. Yang, and J. H. Weaver, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1891 (1992).
35.
G. Hollinger, R. Skheyta-Kabbani, and M. Gendry, Phys. Rev. B 49, 11159 (1994).ADS
36.
S. Tanuma, C. J. Powell, and D. R. Penn, Surf. Interface Anal. 17, 927 (1991).
37.
G. Le Lay, D. Mao, A. Kahn, Y. Hwu, and G. Margaritondo, Phys. Rev. B 43, 14301 (1991).ADS
38.
C. C. Surdu-Bob, S. O. Saied, and J. L. Sullivan, Appl. Surf. Sci. 183, 126 (2001).ADS
39.
T. Ishikawa and H. Ikoma, Jpn. J. Appl. Phys. 31, 3981 (1992).ADS
40.
M. Beerbom, Th. Mayer, and W. Jaegermann, J. Phys. Chem. B 104, 8503 (2000).
41.
M. V. Lebedev, E. Mankel, Th. Mayer, and W. Jaegermann, J. Phys. Chem. C 114, 21385 (2010).
42.
A. Jablonski and J. Zemek, Surf. Interface Anal. 41, 193 (2009).
43.
S. Tanuma, C. J. Powell, and D. R. Penn, Surf. Interface Anal. 21, 165 (1993).
44.
C. J. Powell and A. Jablonski, NIST Electron Inelastic-Mean-Free-Path Database, Version 1.2 (Natl. Inst. Standards Technol., Gaithersburg, MD, 2010).
45.
S. I. Yi, P. Kruse, M. Hale, and A. C. Kummel, J. Chem. Phys. 114, 3215 (2001).ADS
46.
M. J. Hale, S. I. Yi, J. Z. Sexton, A. C. Kummel, and M. Passlack, J. Chem. Phys. 119, 6719 (2003).ADS
47.
D. L. Winn, M. J. Hale, T. J. Grassman, J. Z. Sexton, A. C. Kummel, M. Passlack, and R. Droopad, J. Chem. Phys. 127, 134705 (2007).ADS
48.
E. R. Weber, H. Ennen, U. Kaufmann, J. Windscheif, J. Schneider, and T. Wosinski, J. Appl. Phys. 53, 6140 (1982).ADS
49.
W. E. Spicer, Z. Liliental-Weber, E. Weber, N. Newman, T. Kendelewicz, R. Cao, C. McCants, P. Mahowald, K. Miyano, and I. Limdau, J. Vac. Sci. Technol. B 6, 1245 (1988).
50.
W. E. Spicer, N. Newman, C. J. Spindt, Z. Liliental-Weber, and E. R. Weber, J. Vac. Sci. Technol. A 8, 2084 (1990).ADS
51.
C. L. Hinkle, M. Milojevic, B. Brennan, A. M. Sonnet, F. S. Aguirre-Tostado, G. J. Hughes, E. M. Vogel, and R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. 94, 162101 (2009).ADS
52.
G. S. Chang, W. C. Hwang, Y. C. Wang, Z. P. Yang, and J. S. Hwang, J. Appl. Phys. 86, 1765 (1999).ADS
53.
H. Ito and T. Ishibashi, Jpn. J. Appl. Phys. 33, 88 (1994).ADS
54.
M. Passlack, M. Hong, J. P. Mannaerts, J. R. Kwo, and L. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 68, 3605 (1996).ADS
55.
J. Lloyd-Hughes, S. K. E. Merchant, L. Fu, H. H. Tan, C. Jagadish, E. Castro-Camus, and M. B. Johnson, Appl. Phys. Lett. 89, 232102 (2006).ADS
56.
M. V. Lebedev and T. Mayer, Phys. Status Solidi A 211, 2005 (2014).ADS
57.
M. V. Lebedev, P. A. Dementev, T. V. Lvova, and V. L. Berkovits, J. Mater. Chem. C 7, 7327 (2019).
58.
M. V. Lebedev, E. V. Kunitsyna, W. Calvet, T. Mayer, and W. Jaegermann, J. Phys. Chem. C 117, 15996 (2013).
59.
R. Nishitani, H. Iwasaki, Y. Mizokawa, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 17, 321 (1978).ADS
60.
B. Kaiser, D. Fertig, J. Ziegler, J. Klett, S. Hoch, and W. Jaegermann, Chem. Phys. Chem. 13, 3053 (2012).
61.
D. M. Zhernokletov, H. Dong, B. Brennan, J. Kim, and R. M. Wallace, J. Vac. Sci. Technol. B 30, 04E103 (2012).
62.
Z. Y. Liu, B. Hawkins, and T. F. Kuech, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 71 (2003).
63.
Z. Y. Liu, D. A. Saulys, and T. F. Kuech, Appl. Phys. Lett. 85, 4391 (2004).ADS
64.
E. A. Plis, Adv. Electron. 2014, 246769 (2014).
65.
A. Ali, H. S. Madan, A. P. Kirk, D. A. Zhao, D. A. Mourey, M. K. Hudait, R. M. Wallace, T. N. Jackson, B. R. Bennett, J. B. Boos, and S. Datta, Appl. Phys. Lett. 97, 143502 (2010).ADS
66.
L. Jedral, H. E. Ruda, R. Sodhi, H. Ma, and L. Mannik, Can. J. Phys. 70, 1050 (1992).ADS
67.
H. Morota and S. Adachi, J. Appl. Phys. 100, 054904 (2006).ADS
68.
H. Morota and S. Adachi, J. Appl. Phys. 101, 113518 (2007).ADS
69.
M. V. Lebedev, T. V. Lvova, and I. V. Sedova, J. Mater. Chem. C 6, 5760 (2018).
70.
P. W. Chye, C. Y. Su, I. Lindau, C. M. Garner, P. Pianetta, and W. E. Spicer, Surf. Sci. 88, 439 (1979).ADS
71.
72.
P. S. Dutta, H. L. Bhat, and V. Kumar, J. Appl. Phys. 81, 5821 (1997).ADS
73.
A. P. Kirk, M. Milojevic, J. Kim, and R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. 96, 202905 (2010).ADS
74.
B. Brennan and G. Hughes, J. Appl. Phys. 108, 053516 (2010).ADS
75.
C. B. M. Andersson, U. O. Karlsson, M. C. Håkansson, L. Ö. Olsson, L. Ilver, P.-O. Nilsson, J. Kanski, and P. E. S. Persson, Phys. Rev. B 54, 1833 (1996).ADS
76.
P. de Padova, C. Quaresima, P. Perfetti, R. Larciprete, R. Brochier, C. Richter, V. Ilakovac, P. Bencok, C. Teodorescu, V. Y. Aristov, R. L. Johnson, and K. Hricovini, Surf. Sci. 482–485, 587 (2001).
77.
M. J. Lowe, T. D. Veal, A. P. Mowbray, and C. F. McConville, Surf. Sci. 544, 320 (2003).ADS
78.
L. F. J. Piper, T. D. Veal, M. J. Lowe, and C. F. McConville, Phys. Rev. B 73, 195321 (2006).ADS
79.
P. D. C. King, T. D. Veal, M. J. Lowe, and C. F. McConville, J. Appl. Phys. 104, 083709 (2008).ADS
80.
T. V. Lvova, A. L. Shakhmin, I. V. Sedova, and M. V. Lebedev, Appl. Surf. Sci. 311, 300 (2014).ADS
81.
C. Adelmann, D. Cuypers, M. Tallarida, L. N. J. Rodriguez, A. de Clercq, D. Friedrich, T. Conard, A. Delabie, J. W. Seo, J.-P. Locquet, S. de Gendt, D. Schmeisser, S. van Elshocht, and M. Caymax, Chem. Mater. 25, 1078 (2013).
82.
D. Cuypers, D. H. van Dorp, M. Tallarida, S. Brizzi, T. Conard, L. N. J. Rodriguez, M. Mees, S. Arnauts, D. Schmeisser, C. Adelmann, and S. de Gendt, ECS J. Solid State Sci. Technol. 3, N3016 (2014).
83.
J. M. Moison, M. van Rompay, and M. Bensoussan, Appl. Phys. Lett. 48, 1362 (1986).ADS
84.
G. Chen, S. B. Visbeck, D. C. Law, and R. F. Hicks, J. Appl. Phys. 91, 9362 (2002).ADS
85.
N. Newman, W. E. Spicer, T. Kendelewicz, and I. Lindau, J. Vac. Sci. Technol. B 4, 931 (1986).
86.
J. Mäkelä, A. Lahti, M. Tuominen, M. Yasir, M. Kuzmin, P. Laukkanen, K. Kokko, M. P. J. Punkkinen, H. Dong, B. Brennan, and R. M. Wallace, Sci. Rep. 9, 1462 (2019).ADS
87.
M. Kobayashi, P. T. Chen, Y. Sun, N. Goel, P. Majhi, M. Garner, W. Tsai, P. Pianetta, and Y. Nishi, Appl. Phys. Lett. 93, 182103 (2008).ADS
88.
A. Nainani, Y. Sun, T. Irisawa, Z. Yuan, M. Kobayashi, P. Pianetta, B. R. Bennett, J. B. Boos, and K. C. Saraswat, J. Appl. Phys. 109, 114908 (2011).ADS
89.
M. M. May, H.-J. Lewerenz, D. Lackner, F. Dimroth, and T. Hannappel, Nat. Commun. 6, 8286 (2015).ADS
90.
A. Höglund, C. W. M. Castleton, M. Göthelid, B. Johansson, and S. Mirbt, Phys. Rev. B 74, 075332 (2006).ADS
91.
W. K. Liu and M. B. Santos, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 647 (1996).
92.
A. Guillén-Cervantes, Z. Rivera-Alvarez, M. López-López, E. López-Luna, and I. Hernández-Calderón, Thin Solid Films 373, 159 (2000).ADS
93.
H. Morota and S. Adachi, J. Appl. Phys. 105, 123520 (2009).ADS
94.
J. J. Kelly, J. E. A. M. van den Meerakker, P. H. L. Notten, and R. P. Tijburg, Philos. Tech. Rev. 44, 61 (1988).
95.
C. Bryce and D. Berk, Ind. Eng. Chem. Res. 35, 4464 (1996).
96.
S. Adachi and K. Oe, J. Electrochem. Soc. 130, 2427 (1983).ADS
97.
Z. Liu, Y. Sun, F. Machuca, P. Pianetta, W. Spicer, and R. F. W. Pease, J. Vac. Sci. Technol. A 21, 212 (2003).ADS
98.
S. Osakabe and S. Adachi, J. Electrochem. Soc. 144, 290 (1997).ADS
99.
D. Aureau, R. Chaghi, I. Gerard, H. Sik, J. Fleury, and A. Etcheberry, Appl. Surf. Sci. 276, 182 (2013).ADS
100.
D. H. van Dorp, S. Arnauts, F. Holsteyns, and S. de Gendt, ECS J. Solid State Sci. Technol. 4, N5061 (2015).
101.
P. H. L. Notten, J. J. Kelly, and H. K. Kuiken, J. Electrochem. Soc. 133, 1226 (1986).ADS
102.
J. J. Kelly and A. C. Reynders, Appl. Surf. Sci. 29, 149 (1987).ADS
103.
P. H. L. Notten, J. Electrochem. Soc. 131, 2641 (1984).ADS
104.
J. Mukherjee, B. Erickson, and S. Maldonado, J. Electrochem. Soc. 157, H487 (2010).
105.
A. R. Clawson, Mater. Sci. Eng. R 31, 1 (2001).
106.
G. C. DeSalvo, C. A. Bozada, J. L. Ebel, D. C. Look, J. P. Barrette, C. L. A. Cerny, R. W. Dettmer, J. K. Gillespie, C. K. Havasy, T. J. Jenkins, K. Nakano, C. I. Pettiford, T. K. Quach, J. S. Sewell, and G. D. Via, J. Electrochem. Soc. 143, 3652 (1996).ADS
107.
Y. Sun, Z. Liu, F. Machuca, P. Pianetta, and W. E. Spicer, J. Appl. Phys. 97, 124902 (2005).ADS
108.
R. P. Vasquez, B. F. Lewis, and F. J. Grunthaner, J. Vac. Sci. Technol. B 1, 791 (1983).
109.
A. Salètes, J. Massies, and J. P. Contour, Jpn. J. Appl. Phys. 25, L48 (1986).ADS
110.
O. E. Tereshchenko, S. I. Chikichev, and A. S. Terekhov, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 2655 (1999).ADS
111.
O. E. Tereshchenko, V. L. Alperovich, and A. S. Terekhov, Surf. Sci. 600, 577 (2006).ADS
112.
O. E. Tereshchenko, D. Paget, P. Chiaradia, J. E. Bonnet, F. Wiame, and A. Teleb-Ibrahimi, Appl. Phys. Lett. 82, 4280 (2003).ADS
113.
O. E. Tereshchenko, E. Placidi, D. Paget, P. Chiaradia, and A. Balzarotti, Surf. Sci. 570, 237 (2004).ADS
114.
O. E. Tereshchenko, D. Paget, A. C. H. Rowe, V. L. Berkovits, P. Chiaradia, B. P. Doyle, and S. Nannarone, Surf. Sci. 603, 518 (2009).ADS
115.
O. E. Tereshchenko, D. Paget, P. Chiaradia, E. Placidi, J. E. Bonnet, F. Wiame, and A. Teleb-Ibrahimi, Surf. Sci. 600, 3160 (2006).ADS
116.
117.
T. Mayer, K. Schwanitz, B. Kaiser, A. Hajduk, M. V. Lebedev, and W. Jaegermann, J. Electron Spectrosc. Rel. Phenom. 221, 116 (2017).
118.
X. Zhang and S. Ptasinska, J. Phys. Chem. C 118, 4259 (2014).
119.
M. M. May, H.-J. Lewerenz, and T. Hannappel, J. Phys. Chem. C 118, 19032 (2014).
120.
M. Bomers, D. M. Di Paola, L. Cerutti, T. Michel, R. Arinero, E. Tournié, A. Patanè, and T. Taliercio, Semicond. Sci. Technol. 33, 095009 (2018).ADS
121.
M. V. Lebedev, E. Mankel, T. Mayer, and W. Jaegermann, J. Phys. Chem. C 113, 20421 (2009).
122.
M. V. Lebedev, D. Ensling, R. Hunger, T. Mayer, and W. Jaegermann, Appl. Surf. Sci. 229, 226 (2004).ADS
123.
I. Krylov, A. Gavrilov, M. Eizenberg, and D. Ritter, Appl. Phys. Lett. 101, 063504 (2012).ADS
124.
Y. Lechaux, A. B. Fadjie-Djomkam, M. Pastorek, X. Wallart, S. Bollaert, and N. Wichmann, J. Appl. Phys. 124, 175302 (2018).ADS
125.
V. L. Alperovich, O. E. Tereshchenko, N. S. Rudaya, D. V. Sheglov, A. V. Latyshev, and A. S. Terekhov, Appl. Surf. Sci. 235, 249 (2004).ADS
126.
E. Yablonovitch, C. J. Sandroff, R. Bhat, and T. Gmitter, Appl. Phys. Lett. 51, 439 (1987).ADS
127.
V. L. Berkovits, V. P. Ulin, T. V. L’vova, and A. Izumi, in Proceedings of the 7th International Symposium on Nanostructures: Physics and Technology (Ioffe Inst., 1999).
128.
V. L. Berkovits, T. V. L’vova, and V. P. Ulin, Vacuum 57, 201 (2000).
129.
V. L. Berkovits, V. P. Ulin, M. Losurdo, P. Capezzuto, G. Bruno, G. Perna, and V. Capozzi, Appl. Phys. Lett. 80, 3739 (2002).ADS
130.
V. L. Berkovits, D. Paget, A. N. Karpenko, V. P. Ulin, and O. E. Tereshchenko, Appl. Phys. Lett. 90, 022104 (2007).ADS
131.
N. A. Valisheva, M. S. Aksenov, V. A. Golyashov, T. A. Levtsova, A. P. Kovchavtsev, A. K. Gutakovskii, S. E. Khandarkhaeva, A. V. Kalinkin, I. P. Prosvirin, V. I. Bukhtiyarov, and O. E. Tereshchenko, Appl. Phys. Lett. 105, 161601 (2014).ADS
132.
N. A. Valisheva, A. V. Bakulin, M. S. Aksenov, S. E. Khandarkhaeva, and S. E. Kulkova, J. Phys. Chem. C 121, 20744 (2017).
133.
S. R. Lunt, G. N. Ryba, P. G. Santangelo, and N. S. Lewis, J. Appl. Phys. 70, 7449 (1991).ADS
134.
O. S. Nakagawa, S. Ashok, C. W. Sheen, J. Mårtensson, and D. L. Allara, Jpn. J. Appl. Phys. 30, 3759 (1991).ADS
135.
C. W. Sheen, J.-J. Shi, J. Mårtensson, A. N. Parikh, and D. L. Allara, J. Am. Chem. Soc. 114, 1514 (1992).
136.
137.
X. Ding, K. Moumanis, J. J. Dubowski, L. Tay, and N. L. Rowell, J. Appl. Phys. 99, 054701 (2006).ADS
138.
H. A. Budz, M. C. Biesinger, and R. R. LaPierre, J. Vac. Sci. Technol. B 27, 637 (2009).
139.
A. Vilan, A. Shanzer, and D. Cahen, Nature (London, U.K.) 404, 166 (2000).ADS
140.
M. P. Stewart, F. Maya, D. V. Kosynkin, S. M. Dirk, J. J. Stapleton, C. L. McGuiness, D. L. Allara, and J. M. Tour, J. Am. Chem. Soc. 126, 370 (2004).
141.
A. M. Botelho do Rego, A. M. Ferraria, J. El Beghdadi, F. Debontridder, P. Brogueira, R. Naaman, and M. R. Vilar, Langmuir 21, 8765 (2005).
142.
143.
G. Ashkenasy, D. Cahen, R. Cohen, A. Shanzer, and A. Vilan, Acc. Chem. Res. 35, 121 (2002).
144.
B. A. MacLeod, K. X. Steirer, J. L. Young, U. Koldemir, A. Sellinger, J. A. Turner, T. G. Deutsch, and D. C. Olson, ACS Appl. Mater. Interfaces 7, 11346 (2015).
145.
T. A. Tanzer, P. W. Bohn, I. V. Roshchin, L. H. Greene, and J. F. Klem, Appl. Phys. Lett. 75, 2794 (1999).ADS
146.
T. Kaindl, K. Adlkofer, T. Morita, J. Umemura, O. Konovalov, S. Kimura, and M. Tanaka, J. Phys. Chem. C 114, 22677 (2010).
147.
L. Zhou, X. Chu, Y. Chi, and X. Yang, Crystals 9, 130 (2019).
148.
K. Gartsman, D. Cahen, A. Kadyshevitch, J. Libman, T. Moav, R. Naaman, A. Shanzer, V. Umansky, and A. Vilan, Chem. Phys. Lett. 283, 301 (1998).ADS
149.
M. T. Sheldon, C. N. Eisler, and H. W. Atwater, Adv. Energy Mater. 2, 339 (2012).
150.
N. C. Henry, A. Brown, D. B. Knorr, N. Baril, E. Nallon, J. L. Lenhart, M. Tidrow, and S. Bandara, Appl. Phys. Lett. 108, 011606 (2016).ADS
151.
P. Arudra, G. M. Marshall, N. Liu, and J. J. Dubowski, J. Phys. Chem. C 116, 2891 (2012).
152.
K. Adlkofer, W. Eck, M. Grunze, and M. Tanaka, J. Phys. Chem. B 107, 587 (2003).
153.
L. Mohaddes-Ardabili, L. J. Martínez-Miranda, J. Silverman, A. Christou, L. G. Salamanca-Riba, and M. Al-Sheikhly, Appl. Phys. Lett. 83, 192 (2003).ADS
154.
Y. Cho and A. Ivanisevic, J. Phys. Chem. B 109, 12731 (2005).
155.
S. A. Jewett and A. Ivanisevic, Acc. Chem. Res. 45, 1451 (2012).
156.
S. A. Jewett, J. A. Yoder, and A. Ivanisevic, Appl. Surf. Sci. 261, 842 (2012).ADS
157.
S. M. Luber, K. Adlkofer, U. Rant, A. Ulman, A. Gölzhäuser, M. Grunze, D. Schuh, M. Tanaka, M. Tornow, and G. Abstreiter, Phys. E (Amsterdam, Neth.) 21, 1111 (2004).
158.
R. Stine and D. Y. Petrovykh, J. Electron. Spectrosc. Rel. Phenom. 172, 42 (2009).
159.
M. Losurdo, P. C. Wu, T.-H. Kim, G. Bruno, and A. S. Brown, Langmuir 28, 1235 (2012).
160.
S. L. Peczonczyk, J. Mukherjee, A. I. Carim, and S. Maldonado, Langmuir 28, 4672 (2012).
161.
V. Lazarescu, A.-M. Toader, M. Enache, L. Preda, M. Anastasescu, G. Dobrescu, C. Negrila, and M. F. Lazarescu, Electrochim. Acta 176, 112 (2015).
162.
J. J. Dubowski, O. Voznyy, and G. M. Marshall, Appl. Surf. Sci. 256, 5714 (2010).ADS
163.
H. A. Budz, M. M. Ali, Y. Li, and R. R. LaPierre, J. Appl. Phys. 107, 104702 (2010).ADS
164.
V. Duplan, E. Frost, and J. J. Dubowski, Sens. Actuators, B 160, 46 (2011).
165.
E. Nazemi, W. M. Hassen, E. H. Frost, and J. J. Dubowski, Biosens. Bioelectron. 93, 234 (2017).
166.
M. R. Aziziyan, W. M. Hassen, D. Morris, E. H. Frost, and J. J. Dubowski, Biointerphases 11, 019301 (2016).
167.
L. Tang, I. S. Chun, Z. Wang, J. Li, X. Li, and Y. Lu, Anal. Chem. 85, 9522 (2013).
168.
C. J. Sandroff, R. N. Nottenburg, J. C. Bischoff, and R. Bhat, Appl. Phys. Lett. 51, 33 (1987).ADS
169.
W. H. Choi, G. You, M. Abraham, S.-Y. Yu, J. Liu, L. Wang, J. Xu, and S. E. Mohney, J. Appl. Phys. 116, 013103 (2014).ADS
170.
N. V. Kryzhanovskaya, E. I. Moiseev, Yu. S. Polubavkina, F. I. Zubov, M. V. Maximov, A. A. Lipovskii, M. M. Kulagina, S. I. Troshkov, V.-M. Korpijärvi, T. Niemi, R. Isoaho, M. Guina, M. V. Lebedev, T. V. Lvova, and A. E. Zhukov, J. Appl. Phys. 120, 233103 (2016).ADS
171.
M.-S. Park, M. Razaei, K. Barnhart, C. L. Tan, and H. Mohseni, J. Appl. Phys. 121, 233105 (2017).ADS
172.
K. Banerjee, S. Ghosh, S. Mallick, E. Plis, and S. Krishna, J. Electron. Mater. 38, 1944 (2009).ADS
173.
M. V. Lebedev, V. V. Sherstnev, E. V. Kunitsyna, I. A. Andreev, and Yu. P. Yakovlev, Semiconductors 45, 526 (2011).ADS
174.
E. Papis-Polakowska, J. Kaniewski, J. Szade, W. Rzodkiewicz, A. Jasik, J. Jurenczyk, Z. Orman, and A. Wawro, Thin Solid Films 567, 77 (2014).ADS
175.
R. K. Oxland and F. Rahman, Semicond. Sci. Technol. 23, 085020 (2008).ADS
176.
Y.-S. Lin, Y.-J. Jou, and P.-C. Huang, Appl. Phys. Lett. 94, 063506 (2009).ADS
177.
C.-F. Yen and M.-K. Lee, J. Vac. Sci. Technol. B 30, 052201 (2012).
178.
A. Higuera-Rodriguez, B. Romeira, S. Birindelli, L. E. Black, E. Smalbrugge, P. J. van Veldhoven, W. M. M. Kessels, M. K. Smit, and A. Fiore, Nano Lett. 17, 2627 (2017).ADS
179.
N. Tajik, C. M. Haapamaki, and R. R. LaPierre, Nanotechnology 23, 315703 (2012).ADS
180.
N. Tajik, A. C. E. Chia, and R. R. LaPierre, Appl. Phys. Lett. 100, 203122 (2012).ADS
181.
B. Granados-Alpizar, F. L. Lie, and A. J. Muscat, J. Vac. Sci. Technol. A 31, 01A143 (2013).
182.
L. Chauhan, D. R. Gajula, D. McNeill, and G. Hughes, Appl. Surf. Sci. 317, 696 (2014).ADS
183.
M. S. Carpenter, M. R. Melloch, M. S. Lundstrom, and S. P. Tobin, Appl. Phys. Lett. 52, 2157 (1988).ADS
184.
J.-F. Fan, H. Oigawa, and Y. Nannichi, Jpn. J. Appl. Phys. 27, L1331 (1988).
185.
H. H. Lee, R. J. Racicot, and S. H. Lee, Appl. Phys. Lett. 54, 724 (1989).ADS
186.
K. C. Hwang and S. S. Li, J. Appl. Phys. 67, 2162 (1990).ADS
187.
Y. Wang, Y. Darici, and P. H. Holloway, J. Appl. Phys. 71, 2746 (1992).ADS
188.
E. D. Lu, F. P. Zhang, S. H. Xu, X. J. Yu, P. S. Xu, Z. F. Han, F. Q. Xu, and X. Y. Zhang, Appl. Phys. Lett. 69, 2282 (1996).ADS
189.
R. Stine, E. H. Aifer, L. J. Whitman, and D. Y. Petrovykh, Appl. Surf. Sci. 255, 7121 (2009).ADS
190.
B. A. Kuruvilla, S. V. Ghaisas, A. Datta, S. Banerjee, and S. K. Kulkarni, J. Appl. Phys. 73, 4384 (1993).ADS
191.
J. Sun, D. J. Seo, W. L. O’Brien, F. J. Himpsel, A. B. Ellis, and T. F. Kuech, J. Appl. Phys. 85, 969 (1999).ADS
192.
J. Arokiaraj, T. Soga, T. Jimbo, and M. Umeno, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 6587 (1999).ADS
193.
P. Premchander, R. Jayavel, D. Arivuoli, and K. Baskar, J. Cryst. Growth 263, 454 (2004).ADS
194.
Z. S. Li, W. Z. Cai, R. Z. Su, G. S. Dong, D. M. Huang, X. M. Ding, X. Y. Hou, and X. Wang, Appl. Phys. Lett. 64, 3425 (1994).ADS
195.
L. J. Gao, G. W. Anderson, F. Esposto, P. R. Norton, B. F. Mason, Z.-H. Lu, and M. J. Graham, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 2053 (1995).
196.
D. N. Gnoth, D. Wolfframm, A. Patchett, S. Hohenecker, D. R. T. Zahn, A. Leslie, I. T. McGovern, and D. A. Evans, Appl. Surf. Sci. 123–124, 120 (1998).
197.
P. Tomkiewicz, S. Arabasz, B. Adamowicz, M. Miczek, J. Mizsei, D. R. T. Zahn, H. Hasegawa, and J. Szuber, Surf. Sci. 603, 498 (2009).ADS
198.
Y. Wu, Y. Liu, X. M. Ding, E. G. Obbard, X. Z. Wang, H. J. Ding, X. Y. Hou, and X. B. Li, Appl. Surf. Sci. 228, 5 (2004).ADS
199.
Z. L. Yuan, X. M. Ding, H. T. Hu, Z. S. Li, J. S. Yang, X. Y. Miao, X. Y. Chen, X. A. Cao, X. Y. Hou, E. D. Lu, S. H. Xu, P. S. Xu, and X. Y. Zhang, Appl. Phys. Lett. 71, 3081 (1997).ADS
200.
Z. L. Yuan, X. M. Ding, B. Lai, X. Y. Hou, E. D. Lu, P. S. Xu, and X. Y. Zhang, Appl. Phys. Lett. 73, 2977 (1998).ADS
201.
Z. L. Yuan, B. Lai, X. M. Ding, and X. Y. Hou, Appl. Surf. Sci. 134, 69 (1998).ADS
202.
X. Zhang, A. Z. Li, C. Lin, Y. L. Zheng, G. Y. Xu, M. Qi, and Y. G. Zhang, J. Cryst. Growth 251, 782 (2003).ADS
203.
N. Eassa, D. M. Murape, J. H. Neethling, R. Betz, E. Coetsee, H. C. Swart, A. Venter, and J. R. Botha, Surf. Sci. 605, 994 (2011).ADS
204.
D. M. Murape, N. Eassa, C. Nyamhere, J. H. Neethling, R. Betz, E. Coetsee, H. C. Swart, J. R. Botha, and A. Venter, Phys. B (Amsterdam, Neth.) 407, 1675 (2012).
205.
D. M. Murape, N. Eassa, J. H. Neethling, R. Betz, E. Coetsee, H. C. Swart, J. R. Botha, and A. Venter, Appl. Surf. Sci. 258, 6753 (2012).ADS
206.
D. Tao, Y. Cheng, J. Liu, J. Su, T. Liu, F. Yang, F. Wang, K. Cao, Z. Dong, and Y. Zhao, Mater. Sci. Semicond. Process. 40, 685 (2015).
207.
V. N. Bessolov, A. F. Ivankov, E. V. Konenkova, and M. V. Lebedev, Tech. Phys. Lett. 21, 20 (1995).ADS
208.
V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, and M. V. Lebedev, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2761 (1996).
209.
V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, and M. V. Lebedev, Mater. Sci. Eng. B 44, 376 (1997).
210.
V. N. Bessolov, M. V. Lebedev, B. V. Tsarenkov, and Yu. M. Shernyakov, Mater. Sci. Eng. B 44, 380 (1997).
211.
R. Hakimi and M.-C. Amann, Semicond. Sci. Technol. 12, 778 (1997).ADS
212.
C. Huh, S.-W. Kim, H.-S. Kim, H.-M. Kim, H. Hwang, and S.-J. Park, Appl. Phys. Lett. 78, 1766 (2001).ADS
213.
K. Amarnath, R. Grover, S. Kanakaraju, and P.-T. Ho, IEEE Photon. Technol. Lett. 17, 2280 (2005).ADS
214.
E. I. Moiseev, N. V. Kryzhanovskaya, M. V. Maximov, A. M. Mozharov, A. S. Gudovskikh, A. S. Polushkin, I. S. Mukhin, Yu. A. Guseva, M. M. Kulagina, S. I. Troshkov, T. Niemi, R. Isoaho, M. Guina, and A. E. Zhukov, J. Phys.: Conf. Ser. 917, 052002 (2017).
215.
N. Tajik, Z. Peng, P. Kuyanov, and R. R. LaPierre, Nanotechnology 22, 225402 (2011).ADS
216.
C. Huh,  S.-W. Kim,  H.-S. Kim, I.-H. Lee, and S.-J. Park, J. Appl. Phys. 87, 4591 (2000).ADS
217.
S. C. Han, J.-K. Kim, J. Y. Kim, D. M. Lee, J.-S. Yoon, J.-K. Kim, E. F. Schubert, J.-M. Lee, and J. Nanosci, Nanotechnology 13, 5715 (2013).
218.
T. H. Yu, L. Yan, W. You, R. B. Laghumavarapu, D. Huffaker, and C. Ratsch, Appl. Phys. Lett. 103, 173902 (2013).ADS
219.
D. J. Carrad, A. M. Burke, P. J. Reece, R. W. Lyttleton, D. E. J. Waddington, A. Rai, D. Reuter, A. D. Wieck, and A. P. Micolich, J. Phys.: Condens. Matter 25, 325304 (2013).
220.
T. Ohno and K. Shiraishi, Phys. Rev. B 42, 11194 (1990).ADS
221.
K. N. Ow and X. W. Wang, Phys. Rev. B 54, 17661 (1996).ADS
222.
Z. Tian, M. W. C. Dharma-wardana, Z. H. Lu, R. Cao, and L. J. Lewis, Phys. Rev. B 55, 5376 (1997).ADS
223.
S. Miyamura, Y. Kasai, Y. Yamamura, T. Inokuma, K. Iiyama, and S. Takamiya, Jpn. J. Appl. Phys. 42, 7244 (2003).ADS
224.
D. F. Li, H. Y. Xiao, X. T. Zu, and F. Gao, Solid State Commun. 147, 141 (2008).ADS
225.
M. Çakmak and G. P. Srivastava, Phys. Rev. B 57, 4486 (1998).
226.
227.
O. Voznyy and J. J. Dubowski, J. Phys. Chem. C 112, 3726 (2008).
228.
V. N. Bessolov, M. V. Lebedev, E. V. Novikov, and B. V. Tsarenkov, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 10 (1993).
229.
E. A. Moelwyn-Hughes, The Chemical Statics and Kinetics of Solutions (Academic, New York, 1971).
230.
B. J. Scromme, C. J. Sandroff, E. Yablonovitch, and T. Gmitter, Appl. Phys. Lett. 51, 2022 (1987).ADS
231.
A. A. Viggiano, S. T. Arnold, R. A. Morris, A. F. Ahrens, and P. M. Hierl, J. Phys. Chem. 100, 14397 (1996).
232.
J. Cioslowski and M. Martinov, J. Chem. Phys. 103, 4967 (1995).ADS
233.
J. Tomasi and M. Persico, Chem. Rev. 94, 2027 (1994).
234.
R. G. Parr and W. Yang, Density Functional Theory of Atoms and Molecules (Oxford Univ. Press, Oxford, 1989).
235.
P. Geerlings, F. de Proft, and W. Langenaeker, Chem. Rev. 103, 1793 (2003).
236.
R. G. Pearson, J. Am. Chem. Soc. 85, 3533 (1963).
237.
K. Fukui, Science (Washington, DC, U. S.) 218, 747 (1982).ADS
238.
P. W. Ayers and R. G. Parr, J. Am. Chem. Soc. 122, 2010 (2000).
239.
W. Yang and W. J. Mortier, J. Am. Chem. Soc. 108, 5708 (1986).
240.
M. V. Lebedev, J. Phys. Chem. B 105, 5427 (2001).
241.
242.
243.
G. De Luca, E. Sicilia, N. Russo, and T. Mineva, J. Am. Chem. Soc. 124, 1494 (2002).
244.
R. K. Roy, S. Krishnamurti, P. Geerlings, and S. Pal, J. Phys. Chem. A 102, 3746 (1998).
245.
P. Piquini, A. Fazzio, and A. dal Pino, Jr., Surf. Sci. 313, 41 (1994).ADS
246.
F. Méndez and J. L. Gázquez, J. Am. Chem. Soc. 116, 9298 (1994).
247.
248.
M. V. Lebedev, T. Mayer, and W. Jaegermann, Surf. Sci. 547, 171 (2003).ADS
249.
T. Mayer, M. Lebedev, R. Hunger, and W. Jaegermann, Appl. Surf. Sci. 252, 31 (2005).ADS
250.
P. Kruse, J. G. McLean, and A. C. Kummel, J. Chem. Phys. 113, 2060 (2000).ADS
251.
252.
253.
V. N. Bessolov, A. F. Ivankov, and M. V. Lebedev, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1018 (1995).
254.
W. Yang and R. G. Parr, Proc. Natl. Acad. Sci. U. S. A. 82, 6723 (1985).ADS
255.
G. N. Ryba, C. N. Kenyon, and N. S. Lewis, J. Phys. Chem. 97, 13814 (1993).
256.
R. G. Parr and Z. Zhou, Acc. Chem. Res. 26, 256 (1993).
257.
L. Koenders, M. Blömacher, and W. Mönch, J. Vac. Sci. Technol. B 6, 1416 (1988).
258.
259.
A. Hajduk, M. V. Lebedev, B. Kaiser, and W. Jaegermann, Phys. Chem. Chem. Phys. 20, 21144 (2018).
260.
X. Zhang, J. Phys. Chem. C 123, 20916 (2019).
261.
E. V. Kunitsyna, T. V. L’vova, M. S. Dunaevskii, Ya. V. Terent’ev, A. N. Semenov, V. A. Solov’ev, B. Ya. Meltser, S. V. Ivanov, and Yu. P. Yakovlev, Appl. Surf. Sci. 256, 5644 (2010).ADS
262.
M. V. Lebedev, T. V. Lvova, A. L. Shakhmin, O. V. Rakhimova, P. A. Dementev, and I. V. Sedova, Semiconductors 53, 892 (2019).ADS
263.
F. J. Luque, M. Orozco, P. K. Bhadane, and S. R. Gadre, J. Chem. Phys. 100, 6718 (1994).ADS
264.
P. Jaramillo, P. Pérez, P. Fuentealba, S. Canuto, and K. Coutinho, J. Phys. Chem. B 113, 4314 (2009).
265.
Z. Y. Liu, T. F. Kuech, and D. A. Saulys, Appl. Phys. Lett. 83, 2587 (2003).ADS
266.
V. N. Bessolov, M. V. Lebedev, and D. R. T. Zahn, J. Appl. Phys. 82, 2640 (1997).ADS
267.
V. N. Bessolov, M. V. Lebedev, A. F. Ivankov, W. Bauhofer, and D. R. T. Zahn, Appl. Surf. Sci. 133, 17 (1998).ADS
268.
V. N. Bessolov, M. V. Lebedev, N. M. Binh, M. Friedrich, and D. R. T. Zahn, Semicond. Sci. Technol. 13, 611 (1998).ADS
269.
D. E. Aspnes and A. A. Studna, Phys. Rev. B 27, 985 (1983).ADS
270.
271.
L. A. Farrow, C. J. Sandroff, and M. C. Tamargo, Appl. Phys. Lett. 51, 1931 (1987).ADS
272.
273.
M. V. Lebedev and M. Aono, J. Appl. Phys. 87, 289 (2000).ADS
274.
M. V. Lebedev, K. Ikeda, H. Noguchi, Y. Abe, and K. Uosaki, Appl. Surf. Sci. 267, 185 (2013).ADS
275.
J. I. Pankove, Optical Processes in Semiconductors (Prentice-Hall, Englewood, NJ, 1971).
276.
M. C. Beard, G. M. Turner, and C. A. Schmuttenmaer, Phys. Rev. B 62, 15764 (2000).ADS
277.
I. Riech, E. Marin, P. Diaz, J. J. Alvarado-Gil, J. G. Mendoza-Alvarez, H. Vargas, A. Cruz-Orea, M. Vargas, and J. Bernal-Alvarado, Phys. Status Solidi A 169, 275 (1998).ADS
278.
G. Kaden and M. Mai, Semicond. Sci. Technol. 20, 1136 (2005).ADS
279.
S. Arab, C.-Y. Chi, T. Shi, Y. Wang, D. P. Dapkus, H. E. Jackson, L. M. Smith, and S. B. Cronin, ACS Nano 9, 1336 (2015).
280.
R. R. LaPierre, A. C. E. Chia, S. J. Gibson, C. M. Haapamaki, J. Boulanger, R. Yee, P. Kuyanov, J. Zhang, N. Tajik, N. Jewell, and K. M. A. Rahman, Phys. Status Solidi RRL 7, 815 (2013).
281.
E. Barrigón, M. Heurlin, Z. Bi, B. Monemar, and L. Samuelson, Chem. Rev. 119, 9170 (2019).
282.
J.-H. Ko, D. Yoo, and Y.-H. Kim, Chem. Commun. 53, 388 (2017).
283.
A. C. E. Chia and R. R. LaPierre, J. Appl. Phys. 112, 063705 (2012).ADS
284.
L. K. van Vugt, S. J. Veen, E. P. A. M. Bakkers, A. L. Roest, and D. Vanmaekelbergh, J. Am. Chem. Soc. 127, 12357 (2005).
285.
S. Naureen, N. Shahid, R. Sanatinia, and S. Anand, Adv. Funct. Mater. 23, 1620 (2013).
286.
R. Sanatinia, K. M. Awan, S. Naureen, N. Anttu, E. Ebraert, and S. Anand, Opt. Mater. Express 2, 1671 (2012).ADS
287.
H.-Y. Cheung, S. Yip, N. Han, G. Dong, M. Fang, Z.-X. Yang, F. Wang, H. Lin, C.-Y. Wong, and J. C. Ho, ACS Nano 9, 7545 (2015).
288.
C. Speich, F. Dissinger, L. Liborius, U. Hagemann, S. R. Waldvogel, F.-J. Tegude, and W. Prost, Phys. Status Solidi B 256, 1800678 (2019).ADS
289.
B. Li, S. Li, Y. Sun, S. Li, G. Chen, and X. Wang, Nanotechnology 30, 445704 (2019).
290.
P. A. Alekseev, M. S. Dunaevskiy, V. P. Ulin, T. V. Lvova, D. O. Filatov, A. V. Nezhdanov, A. I. Ma-shin, and V. L. Berkovits, Nano Lett. 15, 63 (2015).ADS
291.
G. Mariani, P.-S. Wong, A. M. Katzenmeyer, F. Léonard, J. Shapiro, and D. L. Huffaker, Nano Lett. 11, 2490 (2011).ADS
292.
C. Gutsche, R. Niepelt, M. Gnauk, A. Lysov, W. Prost, C. Ronning, and F.-J. Tegude, Nano Lett. 12, 1453 (2012).ADS
293.
D. B. Suyatin, C. Thelander, M. T. Björk, I. Maximov, and L. Samuelson, Nanotechnology 18, 105307 (2007).ADS
294.
D. Montemurro, D. Massarotti, P. Lucignano, S. Roddaro, D. Stornaiuolo, D. Ercolani, L. Sorba, A. Tagliacozzo, F. Beltram, and F. Tafuri, J. Supercond. Nov. Magn. 28, 3429 (2015).
295.
Y. Xiong, H. Tang, X. Wang, Y. Zhao, Q. Fu, J. Yang, and D. Xu, Sci. Rep. 7, 13252 (2017).ADS
296.
P. Yu, Z. Li, T. Wu, Y. T. Wang, X. Tong, C.-F. Li, Z. Wang, S.-H. Wei, Y. Zhang, H. Liu, L. Fu, Y. Zhang, J. Wu, H. H. Tan, C. Jagadish, and Z. M. Wang, ACS Nano 13, 13492 (2019).
297.
D. F. Smirnov and A. S. Troshin, Sov. Phys. Usp. 30, 851 (1987).ADS
298.
C. Zhao, T. K. Ng, A. Prabaswara, M. Conroy, S. Jahangir, T. Frost, J. O’Connell, J. D. Holmes, P. J. Parbrook, P. Bhattacharya, and B. S. Ooi, Nanoscale 7, 16658 (2015).ADS
299.
O. I. Mićić, J. Sprague, Z. Lu, and A. J. Nozik, Appl. Phys. Lett. 68, 3150 (1996).ADS
300.
S. B. Brichkin and V. F. Razumov, Russ. Chem. Rev. 85, 1297 (2016).ADS
301.
M. S. Skolnick and D. J. Mowbray, Ann. Rev. Mater. Res. 34, 181 (2004).ADS
302.
J. Wu, S. Chen, A. Seeds, and H. Liu, J. Phys. D: Appl. Phys. 48, 363001 (2015).
303.
D. V. Talapin, N. Gaponik, H. Borchert, A. L. Rogach, M. Haase, and H. Weller, J. Phys. Chem. B 106, 12659 (2002).
304.
T.-G. Kim, D. Zherebetskyy, Y. Bekenstein, M. H. Oh, L.-W. Wang, E. Jang, and A. P. Alivisatos, ACS Nano 12, 11529 (2018).
305.
S. Adam, D. V. Talapin, H. Borchert, A. Lobo, C. McGinley, A. R. B. de Castro, M. Haase, H. Weller, and T. Möller, J. Chem. Phys. 123, 084706 (2005).ADS
306.
M. J. Milla, J. M. Ulloa, and Á. Guzmań, Appl. Phys. Express 6, 092002 (2013).ADS
307.
A. Lin, B. L. Liang, V. G. Dorogan, Yu. I. Mazur, G. G. Tarasov, G. J. Salamo, and D. L. Huffaker, Nanotechnology 24, 075701 (2013).ADS
308.
G. Trevisi, L. Seravalli, and P. Frigeri, Nano Res. 9, 3018 (2016).
309.
H. Oigawa, J.-F. Fan, Y. Nannichi, H. Sugahara, and M. Oshima, Jpn. J. Appl. Phys. 30, L322 (1991).
310.
L. Biadala, W. Peng, Y. Lambert, J. H. Kim, D. Canneson, A. Houppe, M. Berthe, D. Troadec, D. Deresmes, G. Patriarche, T. Xu, X. Pi, X. Wallart, C. Delerue, M. Bayer, J. Xu, and B. Grandidier, ACS Nano 13, 1961 (2019).
311.
312.
313.
M. S. Carpenter, M. R. Melloch, and T. E. Dungan, Appl. Phys. Lett. 53, 66 (1988).ADS
314.
J.-F. Fan, H. Oigawa, and Y. Nannichi, Jpn. J. Appl. Phys. 27, L2125 (1988).
315.
P.-H. Lai, S.-I. Fu, Y.-Y. Tsai, C.-H. Yen, S.-Y. Cheng, and W.-C. Liu, Appl. Phys. Lett. 87, 083502 (2005).ADS
316.
P.-H. Lai, S.-I. Fu, Y.-Y. Tsai, C.-W. Hung, C.-H. Yen, H.-M. Chuang, and W.-C. Liu, J. Electrochem. Soc. 153, G632 (2006).
317.
V. L. Berkovits, T. V. L’vova, and V. P. Ulin, Semiconductors 45, 1575 (2011).ADS
318.
B. Rotelli, L. Tarricone, E. Gombia, R. Mosca, and M. Perotin, J. Appl. Phys. 81, 1813 (1997).ADS
319.
C.-L. Lin, Y.-K. Su, J.-R. Chang, S.-M. Chen, W.-L. Li, and D.-H. Jaw, Jpn. J. Appl. Phys. 39, L400 (2000).ADS
320.
M.-J. Jeng, H.-T. Wang, L.-B. Chang, and R.-M. Lin, Jpn. J. Appl. Phys. 40, 562 (2001).ADS
321.
G. He, X. Chen, and Z. Sun, Surf. Sci. Rep. 68, 68 (2013).ADS
322.
T. Gougousi, Prog. Cryst. Growth Charact. Mater. 62, 1 (2016).
323.
G. V. Svechnikova, S. I. Kol’tsov, and V. B. Aleshkovskii, Zh. Prikl. Khim. 43, 430 (1970).
324.
V. B. Aleshkovskii, Zh. Prikl. Khim. 47, 2145 (1974).
325.
T. Suntola and J. Hyvärinen, Ann. Rev. Mater. Sci. 15, 177 (1985).ADS
326.
C. H. L. Goodman and M. V. Pessa, J. Appl. Phys. 60, R65 (1986).ADS
327.
C. L. Hinkle, A. M. Sonnet, E. M. Vogel, S. McDonnel, G. J. Hughes, M. Milojevic, B. Lee, F. S. Aguirre-Tostado, K. J. Choi, H. C. Kim, J. Kim, and R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. 92, 071901 (2008).ADS
328.
J. Gao, G. He, S. Liang, D. Wang, and B. Yang, J. Mater. Chem. C 6, 2546 (2018).
329.
H. D. Trinh, Y.-C. Lin, H.-C. Wang, C.-H. Chang, K. Kakushima, H. Iwai, T. Kawanago, Y.-G. Lin, C.-M. Chen, Y.-Y. Wong, G.-N. Huang, M. Hudait, and E. Y. Chang, Appl. Phys. Express 5, 021104 (2012).ADS
330.
Y. Xuan, H.-C. Lin, and P. D. Ye, IEEE Trans. Electron. Dev. 54, 1811 (2007).ADS
331.
Y. C. Chang, C. Merckling, J. Penaud, C. Y. Lu, W.-E. Wang, J. Dekoster, M. Meuris, M. Caymax, M. Heyns, J. Kwo, and M. Hong, Appl. Phys. Lett. 97, 112901 (2010).ADS
332.
Y.-P. Gong, A.-D. Li, X.-J. Liu, W.-Q. Zhang, H. Li, and D. Wu, Surf. Interface Anal. 43, 734 (2011).
333.
Y.-P. Gong, A.-D. Li, X.-F. Li, H. Li, H.-F. Zhai, and D. Wu, Semicond. Sci. Technol. 25, 055012 (2010).ADS
334.
Y.-Q. Cao, X. Li, L. Zhu, Z.-Y. Cao, D. Wu, and A.-D. Li, J. Vac. Sci. Technol. A 33, 01A136 (2015).
335.
C.-H. An, Y.-C. Byun, M. S. Lee, and H. Kim, J. Electrochem. Soc. 158, G242 (2011).
336.
C.-F. Yen and M.-K. Lee, J. Vac. Sci. Technol. B 30, 052201 (2012).
337.
H.-K. Kang, Y.-S. Kang, M. Baik, K.-S. Jeong, D.-K. Kim, J.-D. Song, and M.-H. Cho, J. Phys. Chem. C 122, 7226 (2018).
338.
H. S. Jin, Y. J. Cho, T. J. Seok, D. H. Kim, D. W. Kim, S.-M. Lee, J.-B. Park, D.-J. Yun, S. K. Kim, C. S. Hwang, and T. J. Park, Appl. Surf. Sci. 357, 2306 (2015).ADS
339.
D. H. van Dorp, L. Nyns, D. Cuypers, T. Ivanov, S. Brizzi, M. Tallarida, C. Fleischmann, P. Hönicke, M. Müller, O. Richard, D. Schmeißer, S. de Gendt, D. Lin, and C. Adelmann, ACS Appl. Electron. Mater. 1, 2190 (2019).
340.
U. Peralagu, I. M. Povey, P. Carolan, J. Lin, R. Contreras-Guerrero, R. Droopad, P. Hurley, and I. G. Thayne, Appl. Phys. Lett. 105, 162907 (2014).ADS
341.
É. O’Connor, B. Brennan, V. Djara, K. Cherkaoui, S. Monaghan, S. B. Newcomb, R. Contreras, M. Milojevic, G. Hughes, M. E. Pemble, R. M. Wallace, and P. K. Hurley, J. Appl. Phys. 109, 024101 (2011).ADS
342.
L. Zhao, Z. Tan, R. Bai, N. Cui, J. Wang, and J. Xu, Appl. Phys. Express 6, 056502 (2013).ADS
343.
W.-J. Hsueh, C.-Y. Chen, C.-M. Chang, and J.-I. Chyi, J. Vac. Sci. Technol. A 35, 01B106 (2017).
344.
S.-H. Yoon, K. Kato, C. Yokoyama, D.-H. Ahn, M. Takenaka, and S. Takagi, J. Appl. Phys. 126, 184501 (2019).ADS
345.
S. K. Kim,  D.-M. Geum,  H.-R. Lim,  H. Kim, J.-H. Han, D. K. Hwang, J. D. Song, H.-J. Kim, and S. Kim, Appl. Phys. Lett. 115, 143502 (2019).ADS
346.
Y. Lechaux, A. B. Fadjie-Djomkam, S. Bollaert, and N. Wichmann, Appl. Phys. Lett. 109, 131602 (2016).ADS
347.
R. Driad, Z. H. Lu, S. Charbonneau, W. R. McKinnon, S. Laframboise, P. J. Poole, and S. P. McAlister, Appl. Phys. Lett. 73, 665 (1998).ADS
348.
Z. Jin, W. Prost, S. Neumann, and F. J. Tegude, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 1060 (2004).
349.
S.-I. Fu, S.-Y. Cheng, P.-H. Lai, Y.-Y. Tsai, C.-W. Hung, C.-H. Yen, and W.-C. Liu, J. Electrochem. Soc. 153, G938 (2006).
350.
S. L. McCall, A. F. J. Levi, R. E. Slusher, S. J. Pearton, and R. A. Logan, Appl. Phys. Lett. 60, 289 (1992).ADS
351.
S. Koseki, B. Zhang, K. de Greve, and Y. Yamamoto, Appl. Phys. Lett. 94, 051110 (2009).ADS
352.
W. S. Hobson, F. Ren, U. Mohideen, R. E. Slusher, M. Lamont Schnoes, and S. J. Pearton, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 642 (1995).ADS
353.
A. Rogalski, P. Martyniuk, and M. Kopytko, Appl. Phys. Rev. 4, 031304 (2017).ADS
354.
M.-S. Park, M. Razaei, K. Barnhart, C. L. Tan, and H. Mohseni, J. Appl. Phys. 121, 233105 (2017).ADS
355.
E. K. Duerr, M. J. Manfra, M. A. Diagne, R. J. Bailey, J. P. Donnelly, M. K. Connors, and G. W. Turner, Appl. Phys. Lett. 91, 231115 (2007).ADS
356.
R. R. LaPierre, M. Robson, K. M. Azizur-Rahman, and P. Kuyanov, J. Phys. D: Appl. Phys. 50, 123001 (2017).ADS
357.
G. R. Savich, D. E. Sidor, X. Du, G. W. Wicks, M. C. Debnath, T. D. Mishima, M. B. Santos, T. D. Golding. M. Jain, A. P. Craig, and A. R. J. Marshall, J. Vac. Sci. Technol. B 35, 02B105 (2017).
358.
D. Sheela and N. Das Gupta, Semicond. Sci. Technol. 23, 035018 (2008).ADS
359.
S. S. Kang, D.-M. Geum, K. Kwak, J.-H. Kang, C.-H. Shim, H. Y. Hyun, S. H. Kim, W. J. Choi, S.-H. Choi, M.-C. Park, and J. D. Song, Sci. Rep. 9, 12875 (2019).ADS
360.
A. Chen, B.-C. Juang, D. Ren, B. Liang, D. L. Prout, A. F. Chatziioannou, and D. L. Huffaker, Jpn. J. Appl. Phys. 58, 090907 (2019).ADS
361.
B.-M. Nguyen, D. Hoffman, P.-Y. Delaunay, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 91, 163511 (2007).ADS
362.
I. A. Andreev, E. V. Kunitsyna, V. M. Lantratov, T. V. L’vova, M. P. Mikhailova, and Yu. P. Yakovlev, Semiconductors 31, 556 (1997).ADS
363.
A. Gin, Y. Wei, A. Bajowala, V. Yazdanpanah, M. Razeghi, and M. Tidrow, Appl. Phys. Lett. 84, 2037 (2004).ADS
364.
J. Hoffmann, T. Lehnert, D. Hoffmann, and H. Fouckhardt, Semicond. Sci. Technol. 24, 065008 (2009).ADS
365.
M. R. Ravi, A. DasGupta, and N. Das Gupta, J. Cryst. Growth 268, 359 (2004).ADS
366.
K. Banerjee, S. Ghosh, E. Plis, and S. Krishna, J. Electron. Mater. 39, 2210 (2010).ADS
367.
L. X. Zhang, W. G. Sun, X. F. Zhang, X. B. Zhu, X. C. Cao, and J. J. Si, Appl. Phys. A 117, 853 (2014).
368.
L. X. Zhang, W. G. Sun, Y. Q. Lv, M. Li, J. X. Ding, and J. J. Si, Appl. Phys. A 118, 547 (2015).ADS
369.
P.-Y. Delaunay, A. Hood, B. M. Nguyen, D. Hoffman, Y. Wei, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 91, 091112 (2007).ADS
370.
N. A. Kalyuzhnyy, V. V. Evstropov, V. M. Lantratov, S. A. Mintairov, M. A. Mintairov, A. S. Gudovskikh, A. Luque, and V. M. Andreev, Int. J. Photoenergy 2014, 836284 (2014).
371.
O. Khaselev and J. A. Turner, Science (Washington, DC, U. S.) 280, 425 (1998).ADS
372.
J. L. Young, M. A. Steiner, H. Döscher, R. M. France, J. A. Turner, and T. G. Detsch, Nat. Energy 2, 17028 (2017).ADS
373.
W.-H. Cheng, M. H. Richter, M. M. May, J. Ohlmann, D. Lackner, F. Dimroth, T. Hannappel, H. A. Atwater, and H.-J. Lewerenz, ACS Energy Lett. 3, 1795 (2018).
374.
L.-W. Lai, J.-T. Chen, L.-R. Lou, C.-H. Wu, and C.-T. Lee, J. Electrochem. Soc. 155, B1270 (2008).
375.
N. M. Lebedeva, A. A. Usikova, V. V. Evstropov, M. V. Lebedev, V. P. Ulin, V. M. Lantratov, and V. M. Andreev, Tech. Phys. 59, 879 (2014).
376.
M. Chitambar, Z. Wang, Y. Liu, A. Rocket, and S. Maldonado, J. Am. Chem. Soc. 134, 10670 (2012).
377.
H. Lim, J. L. Young, J. F. Geisz, D. J. Friedman, T. G. Deutsch, and J. Yoon, Nat. Commun. 10, 3388 (2019).ADS
378.
D. Khatiwada, M. Rathi, P. Dutta, S. Sun, C. A. Favela, Y. Yao, Y. Li, S. Pouladi, J. H. Ryou, and V. Selvamanickam, ACS Appl. Energy Mater. 2, 3114 (2019).
379.
A. M. Burke, D. E. J. Waddington, D. J. Carrad, R. W. Lyttleton, H. H. Tan, P. J. Reece, O. Klochan, A. R. Hamilton, A. Rai, D. Reuter, A. D. Wieck, and A. P. Micolich, Phys. Rev. B 86, 165309 (2012).ADS
380.
M. V. Lebedev, M. Shimomura, and Y. Fukuda, Surf. Interface Anal. 42, 791 (2010).
381.
T. V. Lvova, M. S. Dunaevskii, M. V. Lebedev, A. L. Shakhmin, I. V. Sedova, and S. V. Ivanov, Semiconductors 47, 721 (2013).ADS
382.
V. A. Solov’ev, I. V. Sedova, T. V. Lvova, M. V. Lebedev, P. A. Dement’ev, A. A. Sitnikova, A. N. Semenov, and S. V. Ivanov, Appl. Surf. Sci. 356, 378 (2015).ADS
383.
I. V. Sedova, T. V. L’vova, V. P. Ulin, S. V. Sorokin, A. V. Ankudinov, V. L. Berkovits, S. V. Ivanov, and P. S. Kop’ev, Semiconductors 36, 54 (2002).ADS
384.
T. V. L’vova, I. V. Sedova, M. S. Dunaevskii, A. N. Karpenko, V. P. Ulin, S. V. Ivanov, and V. L. Berkovits, Phys. Solid State 51, 1114 (2009).ADS
385.
S. Butera, R. T. Moug, P. Vines, G. S. Buller, and K. A. Prior, Phys. Status Solidi C 11, 1210 (2014).ADS
386.
S. Kollakowski, C. Lemm, A. Strittmatter, E. H. Böttcher, and D. Bimberg, IEEE Photon. Technol. Lett. 10, 114 (1998).ADS
387.
K. Kubo, K. Kanai, J. Okabayashi, M. Oshima, and H. Ofuchi, J. Cryst. Growth 301–302, 619 (2007).
388.
S. T. Gill, J. Damasco, B. E. Janicek, M. S. Durkin, V. Humbert, S. Gazibegovic, D. Car, E. P. A. M. Bakkers, P. Y. Huang, and N. Mason, Nano Lett. 18, 6121 (2018).ADS
389.
I. E. Cortes-Mestizo, L. I. Espinosa-Vega, J. A. Espinoza-Figueroa, A. Cisneros-de-la-Rosa, E. Eugenio-Lopez, V. H. Mendez-Garsia, E. Briones, J. Briones, L. Zamora-Peredo, R. Droopad, and C. Yee-Rendon, J. Vac. Sci. Technol. B 34, 02L110 (2016).
Metadata
Title
Modification of the Atomic and Electronic Structure of III–V Semiconductor Surfaces at Interfaces with Electrolyte Solutions (Review)
Author
M. V. Lebedev
Publication date
01-07-2020
Publisher
Pleiades Publishing
Published in
Semiconductors / Issue 7/2020
Print ISSN: 1063-7826
Electronic ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782620070064

Other articles of this Issue 7/2020

Semiconductors 7/2020 Go to the issue

SURFACES, INTERFACES, AND THIN FILMS

First-Principle Investigation of the (001) Surface Reconstructions of GaSb and InSb Semiconductors

PHYSICS OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Investigation of Pd|HfO2|AlGaN|GaN Enhancement-Mode High Electron Mobility Transistor with Sensitization, Activation, and Electroless-Plating Approaches

SEMICONDUCTOR STRUCTURES, LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS, AND QUANTUM PHENOMENA

Scattering Matrix Method for Calculating the Spontaneous-Emission Probability in Cylindrically Symmetric Structures

SURFACES, INTERFACES, AND THIN FILMS

Effect of Interfaces and Thickness on the Crystallization Kinetics of Amorphous Germanium Films

SEMICONDUCTOR STRUCTURES, LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS, AND QUANTUM PHENOMENA

2D SiC/Si Structure: Electron States and Adsorbability

FABRICATION, TREATMENT, AND TESTING OF MATERIALS AND STRUCTURES

Influence of the Growth Conditions and Doping Level on the Luminescence Kinetics of Ge:Sb Layers Grown on Silicon

Premium Partner

    Image Credits