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2002 | OriginalPaper | Chapter

MOS-Technologien zur Schaltungsintegration

Author : Ulrich Hilleringmann

Published in: Silizium-Halbleitertechnologie

Publisher: Vieweg+Teubner Verlag

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Zur Herstellung digitaler integrierter Schaltungen haben die MOS-Technologien die größte wirtschaftliche Bedeutung erlangt, da sie die wesentlichen Forderungen nach hoher Packungsdichte, kleiner Verlustleistung und geringer Prozesskomplexität in positiver Weise miteinander verbinden. Innerhalb dieser Technologien besitzen heute die CMOS-Prozesse gegenüber den Einkanal-Technologien (N-/PMOS) die führende Rolle, denn sie weisen sowohl im statischen Zustand als auch im dynamischen Betrieb die geringste Leistungsaufnahme auf. Trotzdem werden hier zur Verdeutlichung der gewachsenen Komplexität der Integrationstechniken zunächst die Einkanal-MOS-Technologien erläutert:p-Kanal-Aluminium-Gate-Prozess auf n-Substrat;n-Kanal-Aluminium-Gate-Technik auf p-Substrat;n-Kanal-Silizium-Gate-Technologie auf p-Substrat.

Metadata
Title
MOS-Technologien zur Schaltungsintegration
Author
Ulrich Hilleringmann
Copyright Year
2002
Publisher
Vieweg+Teubner Verlag
DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-322-94119-0_10