2002 | OriginalPaper | Chapter
MOS-Technologien zur Schaltungsintegration
Author : Ulrich Hilleringmann
Published in: Silizium-Halbleitertechnologie
Publisher: Vieweg+Teubner Verlag
Included in: Professional Book Archive
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Zur Herstellung digitaler integrierter Schaltungen haben die MOS-Technologien die größte wirtschaftliche Bedeutung erlangt, da sie die wesentlichen Forderungen nach hoher Packungsdichte, kleiner Verlustleistung und geringer Prozesskomplexität in positiver Weise miteinander verbinden. Innerhalb dieser Technologien besitzen heute die CMOS-Prozesse gegenüber den Einkanal-Technologien (N-/PMOS) die führende Rolle, denn sie weisen sowohl im statischen Zustand als auch im dynamischen Betrieb die geringste Leistungsaufnahme auf. Trotzdem werden hier zur Verdeutlichung der gewachsenen Komplexität der Integrationstechniken zunächst die Einkanal-MOS-Technologien erläutert:p-Kanal-Aluminium-Gate-Prozess auf n-Substrat;n-Kanal-Aluminium-Gate-Technik auf p-Substrat;n-Kanal-Silizium-Gate-Technologie auf p-Substrat.