2002 | OriginalPaper | Buchkapitel
MOS-Technologien zur Schaltungsintegration
verfasst von : Ulrich Hilleringmann
Erschienen in: Silizium-Halbleitertechnologie
Verlag: Vieweg+Teubner Verlag
Enthalten in: Professional Book Archive
Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.
Wählen Sie Textabschnitte aus um mit Künstlicher Intelligenz passenden Patente zu finden. powered by
Markieren Sie Textabschnitte, um KI-gestützt weitere passende Inhalte zu finden. powered by
Zur Herstellung digitaler integrierter Schaltungen haben die MOS-Technologien die größte wirtschaftliche Bedeutung erlangt, da sie die wesentlichen Forderungen nach hoher Packungsdichte, kleiner Verlustleistung und geringer Prozesskomplexität in positiver Weise miteinander verbinden. Innerhalb dieser Technologien besitzen heute die CMOS-Prozesse gegenüber den Einkanal-Technologien (N-/PMOS) die führende Rolle, denn sie weisen sowohl im statischen Zustand als auch im dynamischen Betrieb die geringste Leistungsaufnahme auf. Trotzdem werden hier zur Verdeutlichung der gewachsenen Komplexität der Integrationstechniken zunächst die Einkanal-MOS-Technologien erläutert:p-Kanal-Aluminium-Gate-Prozess auf n-Substrat;n-Kanal-Aluminium-Gate-Technik auf p-Substrat;n-Kanal-Silizium-Gate-Technologie auf p-Substrat.