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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Published in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 7/2005

01-07-2005

Raman study of the strain and H2 preconditioning effect on self-assembled Ge island on Si (001)

Authors: Lu Xu, P. J. McNally, G. D. M. Dilliway, N. E. B. Cowern, Chris Jeynes, Ernest Mendoza, Peter Ashburn, Darren M. Bagnall

Published in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Issue 7/2005

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Metadata
Title
Raman study of the strain and H2 preconditioning effect on self-assembled Ge island on Si (001)
Authors
Lu Xu
P. J. McNally
G. D. M. Dilliway
N. E. B. Cowern
Chris Jeynes
Ernest Mendoza
Peter Ashburn
Darren M. Bagnall
Publication date
01-07-2005
Publisher
Kluwer Academic Publishers
Published in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Issue 7/2005
Print ISSN: 0957-4522
Electronic ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-005-2320-6

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