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Published in:

07-02-2018 | Topical Collection: 17th Conference on Defects (DRIP XVII)

The Role of Defects in the Resistive Switching Behavior of Ta₂O₅-TiO₂-Based Metal–Insulator–Metal (MIM) Devices for Memory Applications

Authors: S. Dueñas, H. Castán, H. García, O. G. Ossorio, L. A. Domínguez, H. Seemen, A. Tamm, K. Kukli, J. Aarik

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Title: The Role of Defects in the Resistive Switching Behavior of Ta2O5-TiO2-Based Metal–Insulator–Metal (MIM) Devices for Memory Applications
Authors: S. Dueñas
H. Castán
H. García
O. G. Ossorio
L. A. Domínguez
H. Seemen
A. Tamm
K. Kukli
J. Aarik
Publication date: 07-02-2018
Publisher: Springer US
Published in: Journal of Electronic Materials / Issue 9/2018
Print ISSN: 0361-5235
Electronic ISSN: 1543-186X
DOI: https://doi.org/10.1007/s11664-018-6105-0