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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 9/2018

07.02.2018 | Topical Collection: 17th Conference on Defects (DRIP XVII)

The Role of Defects in the Resistive Switching Behavior of Ta2O5-TiO2-Based Metal–Insulator–Metal (MIM) Devices for Memory Applications

verfasst von: S. Dueñas, H. Castán, H. García, O. G. Ossorio, L. A. Domínguez, H. Seemen, A. Tamm, K. Kukli, J. Aarik

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 9/2018

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Metadaten
Titel
The Role of Defects in the Resistive Switching Behavior of Ta2O5-TiO2-Based Metal–Insulator–Metal (MIM) Devices for Memory Applications
verfasst von
S. Dueñas
H. Castán
H. García
O. G. Ossorio
L. A. Domínguez
H. Seemen
A. Tamm
K. Kukli
J. Aarik
Publikationsdatum
07.02.2018
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 9/2018
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-018-6105-0

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