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2019 | OriginalPaper | Chapter

6. Dotiertechniken

Author : Ulrich Hilleringmann

Published in: Silizium-Halbleitertechnologie

Publisher: Springer Fachmedien Wiesbaden

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Zusammenfassung

Ausgehend vom Legierungsverfahren folgen die Modellierung und praktische Durchführung von Diffusion und Ionenimplantation zur Dotierung von Halbleitern. Die Anlagen zur Dotierung werden vorgestellt und speziell bei der Ionenimplantation im Detail besprochen. Eine Analyse parasitärer Effekte auf die resultierende Dotierstoffverteilung rundet das Kapitel ab.

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Carter, G., Grant, W.A.: Ionenimplantation in der Halbleitertechnik. Hanser, München (1981)
Metadata
Title
Dotiertechniken
Author
Ulrich Hilleringmann
Copyright Year
2019
Book
Silizium-Halbleitertechnologie

Print ISBN: 978-3-658-23443-0

Electronic ISBN: 978-3-658-23444-7

Copyright Year: 2019

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-658-23444-7_6