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2019 | OriginalPaper | Buchkapitel

6. Dotiertechniken

verfasst von : Ulrich Hilleringmann

Erschienen in: Silizium-Halbleitertechnologie

Verlag: Springer Fachmedien Wiesbaden

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Zusammenfassung

Ausgehend vom Legierungsverfahren folgen die Modellierung und praktische Durchführung von Diffusion und Ionenimplantation zur Dotierung von Halbleitern. Die Anlagen zur Dotierung werden vorgestellt und speziell bei der Ionenimplantation im Detail besprochen. Eine Analyse parasitärer Effekte auf die resultierende Dotierstoffverteilung rundet das Kapitel ab.

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Literatur
1.
von Münch, W.: Einführung in die Halbleitertechnologie. Teubner, Wiesbaden (1993)CrossRef
2.
Schumicki, G., Seegebrecht, P.: Prozeßtechnologie, Reihe Mikroelektronik. Springer, Berlin (1991)
3.
Ruge, I.: Halbleiter-Technologie, Reihe Halbleiter-Elektronik, Bd. 4. Springer, Berlin (1984)
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Ziegler, J.F.: The Stopping and Range of Ions in Solids, Ion Implantation Technology. Academic Press, New York (1984)
5.
Ziegler, J.F., Biersack, J.P., Littmark, U.: The stopping and range of ions in solids. In: The Stopping and Range of Ions in Matter, Bd. 1. Pergamon Press, New York (1985)
6.
Schumacher, K.: Integrationsgerechter Entwurf analoger MOS-Schaltungen. Oldenbourg, München (1987)
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Hecking, N., Heidemann, K.F., TeKaat, E.: Model of temperature dependent defect interaction and amorphization in crystalline silicon during ion irradiation. Nucl. Instrum. Methods Sect. B. 15, 760–764 (1986)CrossRef
8.
9.
Carter, G., Grant, W.A.: Ionenimplantation in der Halbleitertechnik. Hanser, München (1981)
Metadaten
Titel
Dotiertechniken
verfasst von
Ulrich Hilleringmann
Copyright-Jahr
2019
Buch
Silizium-Halbleitertechnologie

Print ISBN: 978-3-658-23443-0

Electronic ISBN: 978-3-658-23444-7

Copyright-Jahr: 2019

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-658-23444-7_6

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