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1987 | Book

Oberflächen- und Dünnschicht-Technologie

Teil I: Beschichtungen von Oberflächen

Author: Dr. René A. Haefer

Publisher: Springer Berlin Heidelberg

Book Series : WFT Werkstoff-Forschung und -Technik

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Table of Contents

Frontmatter
1. Oberflächentechnologien — ein Überblick
Zusammenfassung
Materialoberflächen sind Einflüssen der Umgebung ausgesetzt. An der Oberfläche treten am Festkörper Korrosion und Verschleiß auf. An seiner Oberfläche steht der Festkörper auch in Wechselwirkung mit Licht und anderen äußeren elektrischen und magnetischen Feldern. Mit der fortschreitenden Miniaturisierung mechanischer, elektronischer, optischer und optoelektronischer Komponenten vergrößert sich das Verhältnis von Oberfläche zu Volumen der beteiligten Materialien. In der modernen Materialforschung und der technischen Anwendung gewinnen daher Oberflächeneigenschaften immer mehr an Bedeutung. Jedoch stehen die geforderten mechanischen, elektrischen, optischen oder chemischen Oberflächeneigenschaften oft im Gegensatz zu den gewünschten Volumeneigenschaften, wie etwa einfache Herstellbarkeit, geringe Materialkosten und hohe Festigkeit.
René A. Haefer
2. Haftfestigkeit und MikroStruktur der Schichten, Vorbehandlung der Substrate
Zusammenfassung
In allen Einsatzbereichen von beschichteten Werkstoffen wird gefordert, daß die Schichten mit einer der technischen Anwendung entsprechenden, genügend großen Haftfestigkeit auf die artverschiedene Unterlage aufgebracht werden und das Werkstück möglichst lange Zeit funktionstüchtig bleibt. Die durch ihre Haftfestigkeit gekennzeichnete Adhäsion der Schicht ist eine makroskopische Eigenschaft, die von den atomaren Bindungskräften in der Übergangszone (Interface) zwischen Substrat und Schicht, den inneren Spannungen im Verbund Schicht/Substrat und den jeweiligen Beanspruchungen abhängt. Letztere können durch mechanische (Zug, Scherung), thermische (hohe und niedrige Temperaturen, auch in zyklischer Folge), chemische (Korrosion, sowohl chemisch als auch elektrochemisch) und andere Einwirkungen erzeugt werden.
René A. Haefer
3. Meß- und Prüftechnik von Oberflächen und dünnen Schichten
Zusammenfassung
Um sicherzustellen, daß die mit den verschiedenen Technologien hergestellten Oberflächen und dünnen Schichten ihren jeweiligen technischen Anforderungen genügen, sind entsprechende Untersuchungen, Messungen und Prüfungen erforderlich.
René A. Haefer
4. Plasmen in der Oberflächentechnologie
Zusammenfassung
Ein Plasma ist ein quasineutrales Gemisch aus freien Elektronen, Ionen und Neutralteilchen eines Gases, die sich untereinander in ständiger Wechselwirkung befinden. Plasmen in Gasen und Dämpfen bei niedrigen Drücken (p < 100 Pa = 1 mbar), d. h. nichtthermische Plasmen, spielen wegen ihrer Wechselwirkungen mit Festkörperoberflächen bei folgenden Beschichtungsprozessen eine Rolle: Sputtern, Ionenplattieren, aktivierte reaktive Bedampfung, plasma-aktivierter CVD-Prozeß, plasma-aktiviertes Ätzen und Plasmapolymerisation. Plasmen bei höheren Drücken (p > 104 Pa = 0,1 bar), d.h. thermische Plasmen, werden bei thermischen Spritzverfahren und dem Auftragschweißen als Wärmequelle eingesetzt. Darstellungen über Plasmaphysik liegen in [4.1–4.7] vor.
René A. Haefer
5. Bedampfungstechniken
Zusammenfassung
Beim Bedampfungsprozeß wird die zu verdampfende Substanz im Vakuum in einem Tiegel auf eine hinreichend hohe Temperatur erhitzt, Abb. 5.1. Die verdampfenden Atome oder Moleküle verlassen die Oberfläche des Verdampfungsgutes und schlagen sich als Schicht auf dem Substrat und umgebenden Wänden nieder. Der Prozeß findet üblicherweise im Hochvakuum bei p < 10-3 Pa statt. Die Teilchen fliegen dann praktisch ohne Kollisionen, also geradlinig von der Quelle zum Substrat. Um bestimmte Schichteigenschaften (z. B. Härte, Struktur) zu erzielen, müssen die Substrate vielfach vor und während des Aufdampfens auf Temperaturen bis zu einigen 100 °C gebracht werden. Dazu dient eine Substratheizung mittels Heizstäben oder Quarzlampen. Eine drehbare Blende deckt den Dampfstrahl ab, bis die Dampfquelle ihre Gleichgewichtstemperatur erreicht hat, und unterbricht ihn wieder, wenn die gewünschte Schichtdicke hergestellt ist.
René A. Haefer
6. Sputtertechniken
Zusammenfassung
Treffen Ionen hinreichender Energie auf eine Festkörperoberfläche, so kommt es neben anderen Wechselwirkungen zur Emission von Atomen oder Molekülen des beschossenen Materials. Dieses Zerstäuben oder Sputtern ist die Grundlage eines Vakuum-Beschichtungsprozesses. Dazu wird eine Quelle des Beschichtungsmaterials, das Target, zusammen mit den Substraten in eine Kammer gebracht, die zunächst auf Hochvakuum evakuiert wird. Eine gebräuchliche Methode, das Ionenbombardement zu erzeugen, besteht darin, in einer planaren Diode in einem strömenden inerten Gas, meistens Argon von 0,1...10Pa, eine anomale Glimmentladung zwischen dem Target als Kathode und dem Substrathalter als Anode mit Gleichspannungen von 500...5000 V (Abb. 6.1) oder mit HF-Spannungen (Abschn. 6.3.1) aufrechterhalten. Weitere Methoden werden in Abschn. 6.3 besprochen.
René A. Haefer
7. Ionenplattieren
Zusammenfassung
Die Idee des Ionenplattierens wurde bereits 1939 von Berghaus [7.1] ausgesprochen, realisiert wurde sie aber erst 1964 durch Mattox [7.2; 7.3], der auch den Begriff „Ion Plating“ prägte. Nach Mattox ist das Ionenplattieren (IP) ein Vakuumbeschichtungs verfahren, bei dem die Substratoberfläche und/oder die sich abscheidende Schicht einem Teilchenstrom hinreichend hoher Energie ausgesetzt wird, um in der Übergangszone Substrat/Schicht (interface) sowie in der Schicht selbst Veränderungen gegenüber Beschichtungen ohne Teilchenbeschuß zu verursachen. Mit dieser Definition wird nur das beschrieben, was am zu beschichtenden Werkstück geschieht, während die Frage nach der Quelle des Schichtmaterials sowie die nach der Quelle des energiereichen Teilchenstroms offen bleibt. Demnach fallen auch das Bias-Sputtern und gewisse Formen des plasmaaktivierten CVD unter den Oberbegriff des Ionenplattierens.
René A. Haefer
8. Chemische Abscheidung aus der Gasphase: CVD-Verfahren
Zusammenfassung
Der CVD (chemical vapor deposition)-Prozeß ist ein Verfahren, bei dem chemische Reaktionen in der Gasphase bei Drücken von 0,01 bis etwa 1 bar und Temperaturen von etwa 200...2000°C unter Zufuhr von Wärme- oder Strahlungsenergie ablaufen und dabei Festkörperprodukte und flüchtige Nebenprodukte bilden. Die einzelnen Gaskomponenten werden zusammen mit einem inerten Trägergas, meist Argon, durch die Reaktorkammer geleitet, in der die Festkörper durch eine heterogene Reaktion als Schicht oder eine homogene Reaktion als Pulver abgeschieden werden [8.1–8.1b].
René A. Haefer
9. Plasma-aktivierte chemische Dampfabscheidung (PACVD)
Zusammenfassung
„Plasma activated (assisted) chemical vapour deposition“ (PACVD) ist ein Verfahren zur Bildung fester Niederschläge durch chemische Reaktionen in einem Gas, dem durch ein Plasma, z. B. eine Niederdruck-Glimmentladung Energie zugeführt wird [9.1–9.4]. Die zur Reaktion bestimmten Gasmoleküle werden im Plasma dissoziiert, in Radikale gespalten und/oder in angeregte Zustände überfuhrt und reagieren daher bereits bei tieferen als den thermodynamisch erlaubten Temperaturen. Abbildung 9.1 zeigt deutlich den reaktionsfördernden Einfluß der Entladung auf die Abscheidung von Si bei der SiCl4/H2-Reaktion [9.5]. Daher können durch PACVD Substrate beschichtet werden, die beim CVD-Verfahren verdampfen, schmelzen oder chemisch reagieren würden, und es bilden sich nach dem Abkühlen auf Raumtemperatur in der Schicht entsprechend geringere mechanische Spannungen aus. Vor und während der Beschichtung werden Substrat und Schicht durch Ionenbombardement gereinigt. Diesen Vorteilen des PACVD kann der Nachteil gegenüberstehen, daß wegen der gegenüber dem CVD geringeren Substrattemperatur die Desorption gasförmiger Reaktionsprodukte unzureichend ist. Im Fall der a-Si-Solarzellen ist dies aber gerade ein Vorteil, weil hier — wie später erläutert wird — ein H-haltiges Material gefordert wird.
René A. Haefer
10. Plasmapolymerisation
Zusammenfassung
Plasmapolymerisation ist ein Prozeß, bei dem organische oder anorganische Polymerisate aus einem Monomerdampf unter der Einwirkung von Ionen, Elektronen und Photonen einer Gasentladung niedergeschlagen werden. Plasmapolymerisation ist keine Polymerisation im konventionellen Sinne, bei der durch Vernetzung von Monomermolekülen ein Polymer entsteht, z. B. Polyäthylen aus Äthylen. Es entsteht vielmehr eine Polymerstruktur, bei der das Ausgangsmaterial (von Ausnahmen [10.1] abgesehen) nicht erhalten bleibt, sondern als Quelle für die Fragmente dient, aus denen größere Moleküle aufgebaut werden. Reviewartikel liegen in [10.2–10.4] vor.
René A. Haefer
11. Elektrochemische und chemische Verfahren zur Herstellung von Schichten
René A. Haefer
12. Thermische Spritzverfahren
Zusammenfassung
Die thermischen Spritzverfahren dienen zum Beschichten von Werkstücken mit Metallen, keramischen Stoffen, Cermets und Sonderwerkstoffen. Die als Pulver oder Draht vorliegenden Stoffe werden in einer energiereichen Wärmequelle geschmolzen und durch geeignete Mittel in Form feiner Tröpfchen auf das im allgemeinen kalte (T < 200 ºC) und durch Sandstrahlen aufgerauhte Werkstück aufgesprüht. Beim Aufprall auf die Oberfläche werden die Tröpfchen abgeplattet und durch Wärmeübergang an das Werkstück abgekühlt. Üblicherweise wird auch bei Schicht/Grundmetall-Kombinationen mit der Fähigkeit zur Diffusion oder Verschweißung keine metallurgische Verbindung (Vermischung durch Interdiffusion) beobachtet. Die Schicht haftet durch mechanische Verklammerung und lokal durch van der Waals- und/oder chemische Bindung. Die gute Haftfestigkeit kommt dadurch zustande, daß die Teilchen auf den Rauhigkeitsspitzen der sandgestrahlten Oberfläche gewissermaßen aufschrumpfen. Andererseits werden in gewissen Verfahrensvarianten, z. B. dem Vakuum-Plasma Spritzen oder auch durch thermische Nachbehandlung, Schicht und Substratoberfläche so weit aufgeheizt, daß Interdiffusion und damit Erhöhung der Haftfestigkeit und der Packungsdichte sowie Verminderung der Porosität und der inneren Spannungen auftreten.
René A. Haefer
13. Auftragschweißen und Plattieren
Zusammenfassung
Unter Auftragschweißen versteht man das Beschichten metallischer Werkstücke mittels schweißtechnischer Verfahren. Daher wird das Auftragschweißen auch Schweißplattieren genannt. Man gliedert diese Verfahren nach der Art der verwendeten Energiequelle, die als Flamme, Lichtbogen, Plasmastrahl oder Joulesche Wärme zur Verfügung stehen kann. Mit diesen Energiequellen werden sowohl das aufzutragende Material als auch eine dünne Oberflächenschicht des Werkstückes geschmolzen, so daß durch Diffusion und Vermischung eine haftfeste, porenfreie Schicht entsteht. Durch das Schmelzen der Werkstückoberfläche und deren Aufmischen mit dem Schichtwerkstoff unterscheidet sich das Auftragschweißen von den thermischen Spritzverfahren, bei denen die Werkstückoberfläche, vom Vakuum-Plasmaspritzen abgesehen, nicht wesentlich erwärmt wird.
René A. Haefer
14. Durch Schmelztauchen und Rascherstarrung erzeugte Metallschichten
René A. Haefer
15. Schichten aus organischen Polymeren und dispersen Systemen
Zusammenfassung
Schichten aus organischen Polymeren werden aus Lacken hergestellt, die als flüssige, pulverformig-feste oder pastenförmige Substanzen auf Substrate aufgetragen und durch chemische Reaktion und/oder physikalische Veränderung in einen festhaftenden Film umgewandelt werden. Diese Lacke sind dispersive Systeme, die außer dem organischen Bindemittel noch Lösungsmittel, Pigmente, Füllstoffe und Aktivierungsmittel (Katalysatoren) enthalten können. Füllstoffe werden zur Erzielung bestimmter Schichteigenschaften (Korrosionsschutz, geringe Reibung, elektrische Leitfähigkeit) zum Lack hinzugefügt. Durch Zugabe von Pigmenten werden Lacke für deckende Farbanstriche erzielt. Festen, pulverformigen Lacken fehlt das Lösungsmittel, und Transparentlacken das Pigment [15.1–15.4].
René A. Haefer
Backmatter
Metadata
Title
Oberflächen- und Dünnschicht-Technologie
Author
Dr. René A. Haefer
Copyright Year
1987
Publisher
Springer Berlin Heidelberg
Electronic ISBN
978-3-642-82835-5
Print ISBN
978-3-540-16723-5
DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-642-82835-5