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01-12-2016 | XX International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 14–18, 2016

CdHgTe heterostructures for new-generation IR photodetectors operating at elevated temperatures

Authors: V. S. Varavin, V. V. Vasilyev, A. A. Guzev, S. A. Dvoretsky, A. P. Kovchavtsev, D. V. Marin, I. V. Sabinina, Yu. G. Sidorov, G. Yu. Sidorov, A. V. Tsarenko, M. V. Yakushev

Published in: Semiconductors | Issue 12/2016

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Title: CdHgTe heterostructures for new-generation IR photodetectors operating at elevated temperatures
Authors: V. S. Varavin
V. V. Vasilyev
A. A. Guzev
S. A. Dvoretsky
A. P. Kovchavtsev
D. V. Marin
I. V. Sabinina
Yu. G. Sidorov
G. Yu. Sidorov
A. V. Tsarenko
M. V. Yakushev
Publication date: 01-12-2016
Publisher: Pleiades Publishing
Published in: Semiconductors / Issue 12/2016
Print ISSN: 1063-7826
Electronic ISSN: 1090-6479
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616120265