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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 12/2016

01.12.2016 | XX International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 14–18, 2016

CdHgTe heterostructures for new-generation IR photodetectors operating at elevated temperatures

verfasst von: V. S. Varavin, V. V. Vasilyev, A. A. Guzev, S. A. Dvoretsky, A. P. Kovchavtsev, D. V. Marin, I. V. Sabinina, Yu. G. Sidorov, G. Yu. Sidorov, A. V. Tsarenko, M. V. Yakushev

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 12/2016

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Metadaten
Titel
CdHgTe heterostructures for new-generation IR photodetectors operating at elevated temperatures
verfasst von
V. S. Varavin
V. V. Vasilyev
A. A. Guzev
S. A. Dvoretsky
A. P. Kovchavtsev
D. V. Marin
I. V. Sabinina
Yu. G. Sidorov
G. Yu. Sidorov
A. V. Tsarenko
M. V. Yakushev
Publikationsdatum
01.12.2016
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 12/2016
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782616120265

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