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01-12-2016 | XX International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 14–18, 2016

Surface passivation of GaAs nanowires by the atomic layer deposition of AlN

Authors: I. V. Shtrom, A. D. Bouravleuv, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, I. P. Soshnikov, R. R. Reznik, G. E. Cirlin, V. Dhaka, A. Perros, H. Lipsanen

Published in: Semiconductors | Issue 12/2016

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Title: Surface passivation of GaAs nanowires by the atomic layer deposition of AlN
Authors: I. V. Shtrom
A. D. Bouravleuv
Yu. B. Samsonenko
A. I. Khrebtov
I. P. Soshnikov
R. R. Reznik
G. E. Cirlin
V. Dhaka
A. Perros
H. Lipsanen
Publication date: 01-12-2016
Publisher: Pleiades Publishing
Published in: Semiconductors / Issue 12/2016
Print ISSN: 1063-7826
Electronic ISSN: 1090-6479
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616120186