Skip to main content
Top
Published in: Semiconductors 12/2016

01-12-2016 | XX International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 14–18, 2016

Asymmetric devices based on carbon nanotubes for terahertz-range radiation detection

Authors: G. E. Fedorov, T. S. Stepanova, A. Sh. Gazaliev, I. A. Gaiduchenko, N. S. Kaurova, B. M. Voronov, G. N. Goltzman

Published in: Semiconductors | Issue 12/2016

Log in

Activate our intelligent search to find suitable subject content or patents.

search-config
loading …

Dont have a licence yet? Then find out more about our products and how to get one now:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Springer Professional "Wirtschaft"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 340 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Versicherung + Risiko




Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Metadata
Title
Asymmetric devices based on carbon nanotubes for terahertz-range radiation detection
Authors
G. E. Fedorov
T. S. Stepanova
A. Sh. Gazaliev
I. A. Gaiduchenko
N. S. Kaurova
B. M. Voronov
G. N. Goltzman
Publication date
01-12-2016
Publisher
Pleiades Publishing
Published in
Semiconductors / Issue 12/2016
Print ISSN: 1063-7826
Electronic ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S106378261612006X

Other articles of this Issue 12/2016

Semiconductors 12/2016 Go to the issue

XX International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 14–18, 2016

Physical properties of metal–insulator–semiconductor structures based on n-GaAs with InAs quantum dots deposited onto the surface of an n-GaAs layer

XX International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 14–18, 2016

Microwave-signal generation in a planar Gunn diode with radiation exposure taken into account

XX International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 14–18, 2016

CdHgTe heterostructures for new-generation IR photodetectors operating at elevated temperatures

XX International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 14–18, 2016

Influence of surface roughness on a change in the growth mode from two-dimensional to three-dimensional for strained SiGe heterostructures

XX International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 14–18, 2016

Mercury vacancies as divalent acceptors in Hg y Te1 – y /Cd x Hg1 – x Te structures with quantum wells

Premium Partner