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Der Halbleiter Siliziumkarbid steht im Mittelpunkt eines EU-weiten Forschungsvorhabens, an dem Wissenschaftler vom Lehrstuhl für Angewandte Physik der Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU) beteiligt sind. Ziel des Projekts ist es, die Eigenschaften von Siliziumkarbid für künftige Hochleistungselektronik zu erforschen. Gemeinsam mit acht weiteren Universitäten in verschiedenen Ländern Europas sowie Forschungsinstituten und Partnern aus der Industrie sei es gelungen, ein "Initial Training Networks" der EU-Marie-Curie-Forschungsförderung einzuwerben. Mit rund 3,5 Millionen Euro finanziert die Europäische Kommission das Projekt, das über eine Dauer von vier Jahren läuft und den Titel "NetFISiC" trägt.
Das Projekt ist aufgeteilt in drei Forschungsbereiche, in denen die Projektpartner jeweils unterschiedliche Teilaspekte erforschen: Die einen "züchten" das Siliziumkarbid, die anderen untersuchen die gezüchteten Kristalle, zum Beispiel auf Defekte und auf ihre elektrischen Eigenschaften. Die Wissenschaftler des dritten Bereichs entwickeln Bauelemente, in denen das Material mit all seinen Eigenschaften optimal genutzt werden kann.
Am Lehrstuhl für Angewandte Physik der FAU sind Dr. Michael Krieger und Lehrstuhlinhaber Prof. Dr. Heiko Weber in das Projekt NetFISiC involviert. Sie forschen im zweiten Bereich und untersuchen die Materialeigenschaften von Siliziumkarbid. Dazu nutzen sie elektrische und optische Methoden. Sie legen zum Beispiel an das Siliziumkarbid elektrische Spannungen an oder beleuchten den Kristall mit einem Laser und messen die elektrische oder optische Antwort, um es auf seine elektronischen Eigenschaften zu testen. "Siliziumkarbid eignet sich - im Gegensatz zum heute verwendeten Silizium - für Hochtemperatur- und Hochleistungsanwendungen auch in aggressiven Umgebungen wie etwa dem Weltraum", erklärt Dr. Michael Krieger. Die Technologie könne außerdem zukünftig beim Bau von Hybridautos eingesetzt werden.