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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 1/2007

01.01.2007 | Semiconductor Structures, Interfaces, and Surfaces

Capacitance-voltage characteristics of the p-Cd0.27Hg0.73Te-based structures with a wide-gap graded-gap surface layer

verfasst von: V. V. Vasil’ev, Yu. P. Mashukov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 1/2007

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Metadaten
Titel
Capacitance-voltage characteristics of the p-Cd0.27Hg0.73Te-based structures with a wide-gap graded-gap surface layer
verfasst von
V. V. Vasil’ev
Yu. P. Mashukov
Publikationsdatum
01.01.2007
Verlag
Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 1/2007
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782607010095

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