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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 5/2000

01.05.2000 | Atomic Structure and Nonelectronic Properties of Semiconductors

Carbon-stimulated increase in the concentration of gallium divacancies in semi-insulating undoped GaAs crystals

verfasst von: K. D. Glinchuk, N. M. Litovchenko, A. V. Prokhorovich, O. N. Stril’chuk

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 5/2000

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Metadaten
Titel
Carbon-stimulated increase in the concentration of gallium divacancies in semi-insulating undoped GaAs crystals
verfasst von
K. D. Glinchuk
N. M. Litovchenko
A. V. Prokhorovich
O. N. Stril’chuk
Publikationsdatum
01.05.2000
Verlag
Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 5/2000
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/1.1188017

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