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Erschienen in:
Co-existence of Multiferroic Memories in CoFe2O4/Bi3.4Sm0.6Ti3O12 Composite Structures Kapitel lesen Erstes Kapitel lesen

2014 | OriginalPaper | Buchkapitel

Characterization of InP1-xBix Alloy Grown by Liquid Phase Epitaxy

verfasst von : T. D. Das

Erschienen in: Physics of Semiconductor Devices

Verlag: Springer International Publishing

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I have investigated the effect of Bi incorporation on InPBi layers grown by liquid phase epitaxial technique. High resolution x-ray diffraction (HRXRD) patterns show high crystalline quality and secondary ion mass spectroscopy (SIMS) technique is used to get the amount of Bi incorporated into the layer ~1.25 %. 10 K Photoluminescence is clearly resolved that maximum band gap reduction of 20 meV.

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Metadaten
Titel
Characterization of InP1-xBix Alloy Grown by Liquid Phase Epitaxy
verfasst von
T. D. Das
Copyright-Jahr
2014
Verlag
Springer International Publishing
Buch
Physics of Semiconductor Devices

Print ISBN: 978-3-319-03001-2

Electronic ISBN: 978-3-319-03002-9

Copyright-Jahr: 2014

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-319-03002-9_226