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2010 | OriginalPaper | Buchkapitel

6. Control logic

verfasst von : A. Marelli, R. Micheloni, R. Ravasio

Erschienen in: Inside NAND Flash Memories

Verlag: Springer Netherlands

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Abstract

Logic is the part of the NAND device that enables the communication with the external user and organizes data inside the device and the functionalities of the device itself. It represents the interface with the user and the brain of the device.

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Literatur
1.
Zurück zum Zitat R. Micheloni et al., “A 4Gb 2b/cell NAND Flash Memory with Embedded 5b BCH ECC for 36MB/s System Read Throughput”, IEEE Solid-State Circuits Conference, Digest of Technical Papers, pp. 497–506, 2006. R. Micheloni et al., “A 4Gb 2b/cell NAND Flash Memory with Embedded 5b BCH ECC for 36MB/s System Read Throughput”, IEEE Solid-State Circuits Conference, Digest of Technical Papers, pp. 497–506, 2006.
2.
Zurück zum Zitat G. Campardo, R. Micheloni, D. Novosel, “VLSI-Design of Non-Volatile Memories”. Springer, 2005. G. Campardo, R. Micheloni, D. Novosel, “VLSI-Design of Non-Volatile Memories”. Springer, 2005.
3.
Zurück zum Zitat P. Cappelletti, C. Golla, P. Olivo, E. Zanoni, Eds., “Flash Memories”. Kluwer, 1999, ch. 5. P. Cappelletti, C. Golla, P. Olivo, E. Zanoni, Eds., “Flash Memories”. Kluwer, 1999, ch. 5.
4.
Zurück zum Zitat R. Micheloni, A. Marelli, R. Ravasio “Error Correction Codes for Non-Volatile Memories”, Springer, 2008. R. Micheloni, A. Marelli, R. Ravasio “Error Correction Codes for Non-Volatile Memories”, Springer, 2008.
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Zurück zum Zitat G. Campardo et al., “An Overview of Flash Architectural Developments”, IEEE Proceedings of the, vol. 91, No. 4, pp. 523–536, April 2003.CrossRef G. Campardo et al., “An Overview of Flash Architectural Developments”, IEEE Proceedings of the, vol. 91, No. 4, pp. 523–536, April 2003.CrossRef
6.
7.
Zurück zum Zitat D. Nobunaga et al., “A 50nm 8Gb NAND Flash Memory with 100MB/s Program Throughput and 200MB/s DDR Interface”, IEEE Solid-State Circuits Conference, Digest of Technical Papers, pp. 426–625, 2008. D. Nobunaga et al., “A 50nm 8Gb NAND Flash Memory with 100MB/s Program Throughput and 200MB/s DDR Interface”, IEEE Solid-State Circuits Conference, Digest of Technical Papers, pp. 426–625, 2008.
8.
Zurück zum Zitat D. L. Perry,(2002) “VHDL: Programming by Example”, McGraw-Hill. D. L. Perry,(2002) “VHDL: Programming by Example”, McGraw-Hill.
Metadaten
Titel
Control logic
verfasst von
A. Marelli
R. Micheloni
R. Ravasio
Copyright-Jahr
2010
Verlag
Springer Netherlands
DOI
https://doi.org/10.1007/978-90-481-9431-5_6

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